室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器

本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．     

GaInNAs／GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧｓＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长波长（１．３０和１．５５μｍ）光通信系统中具有广阔的应用前景。通过调节Ｉｎ和Ｎ的组分,既可获得应变ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９￣２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器的特征温度为２００Ｋ,远大于现行ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０Ｋ）。ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件     

MOCVD生长大功率单量子阱激光器

本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．     

MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器

我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ     

适应高温工作的大功率高效率1.3μmInAsP压应变MQW激光器

使用最佳结构的１．０５μｍＧａＡｓＰ势垒层的１．３μｍＩｎＡｓＰ压应变ＭＱＷ激光二极管，在９０℃时达到了３７ｍＷ的高输出功率和超过０．５５Ｗ／Ａ的高斜率效率。     

钛宝石激光泵浦的1.06μm和1.34μm高效连续掺钕氟钒酸锶激光器

利用钛宝石激光作为泵浦源,实现了掺钕氟钡酸锶（ＮｄＳＶＡＰ）晶体在１．０６μｍ和１．３４μｍ的高效连续激光运转。在１．０６μｍ和１．３４μｍ处得到的最低泵浦阈值分别为２ｍＷ和２．４ｍＷ,最高斜效率分别为４９．４％和３７．４％,最大输出功率分别为３３６ｍＷ和１６５ｍＷ。     

1.8 μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器

报道了１．８μｍ波段台面第形结构ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ量子阱激光器的研制结果,器件在７７Ｋ下以脉冲方式工作,阈值电流约２５ｍＡ,中心波开约１．８４μｍ。     

激光二极管泵浦固体激光器技术—2μm因体激光器的发展概况

本文阐述激光二极管泵浦技术和２μｍ波段固体激光器的特点，综述二极管泵浦２μｍ固体激光器的研制情况，并着重介绍人眼安全Ｑ开关ＬＤ泵浦的２．０９０μｍＨｏ：ＹＡＧ激光技术。     

具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ,阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时,单面连续输出光功率高达２００ ｍ Ｗ,且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ ｍ Ａ 时,单面连续输出光功率为０．５ Ｗ。     

2.5Gb/sGaAs激光器高速驱动电路

研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路,该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式,０．８μｍ栅工艺,全离子注入平面工艺,单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果：最大驱动电流可达４５ｍＡ,数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器

采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时,管芯最大输出功率超过５０ｍＷ,阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间,发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ,边模抑制比超过３５ｄＢ,室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。     

2.5Gb／s GaAs激光器高速驱动电路

研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路,该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形成,０．８μｍ栅工艺,全离子注入平面工艺,单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果;最大驱动电流可达４５ｍＡ,数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。     

光泵外腔面发射InGaAs／InP半导体激光器

本文报道了外腔面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光器的实验结果．利用面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体材料作为激活介质，采用锁模（或连续）Ｎｄ＋３：ＹＡＧ激光（波长１．３２μｍ）泵浦．平均输出功率达１８７ｍＷ，同步泵浦获得最窄脉冲宽度为６ｐｓ，输出波长１．５μｍ，利用衍射光栅对脉冲进行压缩获得１８１ｆｓ超短光脉冲．     

二次谐波产生的4.75μm激光

可重复生长的非线性红外晶体ＡｇＧａＳｅ２是Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２簇化合物之一。具有４２ｍ对称的负单轴特性。使用光栅选频要中调谐ＴＥＡ ＣＯ２激光器输出的９Ｐ支线泵浦ＡｇＧａＳｅ２晶体可产生波长４．７５μｍ左右的激光。晶体长度为６．７ｍｍ，在１０．６μｍ处按Ⅰ类相位匹配加工。     

重复频率40Hz高能量倍频调Q Nd：YAG激光器

在对圆棒形ＹＡＧ棒内热效应进行详细分析的基础上，报导了一种闪光灯泵浦、调Ｑ倍频ＹＡＧ激光器。当重复频率为４０Ｈｚ时，１．０６４μｍ最大单脉冲能量为４６２ｍＪ，０．５３２μｍ最大单脉冲能量为２５０ｍＪ；当每秒一次工作时，０．５３２μｍ激光能量为３８０ｍＪ／脉冲，倍频效率大于６９％。     

1.3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器

本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。     

掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器

我们利用分子束外延（ＭＢＥ）方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１４０Ａ／ｃｍ２，激发波长在９８０ｕｒｎ左右．通过脊型波导结构的制备，获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｕｒｎ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８ｍＷ／ｍＡ，基横模的输出功率大于８０ｍＷ，器件在５０℃，８０ｍｗ的恒功率老化实验表明，器件具有较好的可靠性．通过与掺铒光纤的耦合，其组合件出纤功率可达６０ｍＷ以上．     

Nd^3＋：YAG微球激光器的选择性激发

利用离轴照明选择性激发高Ｑ值Ｎｄ＾３：ＹＡＧ小球，测量到与体材料不同的激光振荡，例如１．３６５μｍ的激光谱线。     

质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用,并减小了限制层的寄生电容;ＤＦＢ激光器的斜率效率由注入前的０．１４７ｍＷ／ｍＡ提高到０．２１６ｍＷ／ｍＡ;电容测试结果表明：质子注入使ｐｎｐｎ结构的势垒电容明显减小,激光器的寄生电容由注入前的约１００ｐＦ降至注入后的６ｐＦ;激光器的３ｄＢ调制宽带由注入前的５００ＭＨｚ提高到５．６６ＧＨｚ。高温老化筛选结果表明