采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究

本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET.该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层.测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性.对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大.XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等.     

聚光器薄膜附着力机理与制备工艺的探讨

研究太阳能聚光器薄膜在制备过程中附着力存在的有关问题。阐述薄膜在生长过程中影响薄膜附着力的各种因素，针对其相关因素作了具体的理论分析，并在真空镀膜实验的基础上，探讨了提高蒸发镀膜附着力的具体方法。     

真空镀膜法制备纳米铝颗粒膜及其表面等离激元共振特性研究

采用直流磁控溅射镀膜技术制备了纳米铝颗粒膜,并尝试通过两种方式获得纳米铝的表面等离激元共振吸收峰,一种是先在室温石英基底上沉积纳米铝,再进行真空退火;另一种是在热石英基底上沉积纳米铝。用透射电镜和扫描电子显微镜、X-射线光电子谱、紫外-可见吸收光谱表征了样品的形貌和晶态结构、成份和吸收特性。采用比对的方式,研究了基底温度、沉积时间对两种方法制备的纳米铝表面等离激元共振的影响。结果表明,先沉积纳米铝,再进行真空退火,不能获得表面等离激元共振吸收峰,而在热基底上沉积纳米铝,可以获得明显的表面等离激元共振吸收峰。通过调控沉积时间和沉积温度实现了纳米铝表面等离激元共振峰从紫外光区到可见光区的可控移动。而且,研究发现对于平均厚度大于3 nm的纳米铝薄膜,由于纳米铝氧化具有自限性,其表面等离激元共振特性在空气中稳定且主要取决于纳米铝颗粒的团聚度。本研究对理解纳米铝表面等离激元共振特性及其应用具有指导意义。     

高温熔剂法制备硼酸铝晶须的研究

研究了高温熔剂法制行９Ａｌ２Ｏ３．２Ｂ２Ｏ３的方法，通过正交试验，利用方差和极并分析法对生长硼酸铝晶须的反应条件进行了优化，找出了生长硼酸铝晶须的最佳工艺条件。结果表明，在高温熔剂法制备肥的过程中，反应温度，氧化硼和氧化铝的摩尔配比及恒温时间为主要因素，并在最佳工艺条件下制得晶须的长经比５０～１００。     

高温陶瓷基复合材料制备工艺的研究

连续纤维增强高温陶瓷基复合材料（ＨＴ－ＣＭＣｓ）的制备主要有以液相或气相为先驱体的两条工艺路线。回波分析了几种最有希望的工艺得出低温、低压、低成本、操作性能与近净尺寸设计,是今后ＨＴ－ＣＭＣｓ制备工艺的发展趋势。     

室温固化型高温粘结剂的制备及其性能

利用高温粘结剂是实现炭材料连接最有效的方法。在组成为酚醛树脂和B4C的高温粘结剂基础上，向其中添加一定量的H3PO4固化剂制备室温固化型高温粘结剂，并对石墨材料进行粘接。对不同温度热处理后的粘接样品进行剪切强度测试。结果表明，室温固化型高温粘结剂对石墨材料具有良好的粘接性能。与原有的200℃加热固化的高温粘结剂相比，粘接强度有所提高。此外，对不同条件处理后的粘接性能与结构相关性也进行了研究。发现固化剂磷酸在高温处理后缩聚为多聚磷酸，并和石墨基体发生了键合连接。     

用有机硅聚合物制备高温结构陶瓷材料研究进展

回顾了用有机硅聚合物制备陶瓷历史,综述了工艺及材料性能,其中碳化硅、氮化硅等纤维,碳化硅、二氧化硅等薄膜已进入实用阶段;重点介绍了在高温1400－2000℃下长期稳定存在的块体材料研究进展和趋势。     

WC/Cu复合材料制备及其高温性能

用机械合金化法结合冷变形，制备了WC／Cu复合材料，研究了冷变形后复合材料的组织特征和高温退火时韵性能变化。结果表明：烧结后的材料经冷变形，组织呈显著纤维状，WC颗粒弥散分布，密度明显提高，达到理论密度的99．2％；复合材料经600～900℃高温退火，强度和硬度略有下降，塑性则有大幅提高；900℃退火时未发生明显的再结晶，界面结合良好；所制备的WC／Cu复合材料有优良的综合性能。     

碳纤维增强TiC复合材料的制备与高温强度

采用热压烧结工艺制备了碳纤维增强 Ti C复合材料 (2 0 vol%碳纤维 ) ,研究了热压烧结温度对力学性能的影响和碳纤维对复合材料高温强度的增强作用。结果表明 :采用球磨湿混工艺将易于团聚的短碳纤维均匀地分散在 Ti C基体中 ,Cf/ Ti C复合材料最佳热压烧结温度为 2 10 0℃ ,Cf/ Ti C复合材料的室温抗弯强度为 5 93MPa,断裂韧性为 6 .87MPa· m1 / 2 ,140 0℃时的高温抗弯强度为 439MPa。定量分析了碳纤维对复合材料的增强和增韧效果     

卷绕式高真空镀铝膜蒸发舟及其使用工艺的探讨

本文就卷绕式高真空镀膜机用铝丝蒸发舟的蒸发温度与横向膜厚均匀性以及提高蒸发舟使用寿命等问题进行了探讨。     

抽空涂晶法合成A型分子筛膜及渗透汽化性能研究

采用抽空涂晶二次生长法在管状α-Al2O3基膜上合成了具有高选择性、高渗透量的A型分子筛膜.XRD结果表明,分子筛膜晶相中只有A型分子筛存在;SEM表明,基膜表面覆盖了一层致密连续的分子筛膜.考察了A型分子筛膜的渗透汽化性能,结果表明,在温度为323K和343K下,当原料液中异丙醇的质量分数为95%时,其水/异丙醇分离系数都大于10000,渗透量分别为1.27kg/(m2·h)和1.74kg/(m2·h).     

真空熔结镍基合金的界面组织研究

采用扫描电镜、X射线衍射、显微硬度计等研究了真空熔结镍基合金涂层的微观组织、相结构以及显微硬度的分布特征。结果表明，在真空烧结镍基合金Ni60与45钢的界面处出现薄白亮的熔合带，涂层的相由Ni基固溶体及Cr7C3、Ni3B、Ni3Si、CrB等组成。涂层显微硬度最高为935HV。     

包埋法制备SiC涂层内残留Si的高温抗氧化作用机制

采用包埋法在C/C基体上制备了SiC涂层, 借助X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对涂层的相组成及微观形貌进行了观察和分析, 研究了涂层在1500℃静态空气中的氧化行为, 并进一步阐述了涂层的抗氧化机制。结果显示: 包埋法制备的涂层由α-SiC、 β-SiC及游离Si组成, 经XRD半定量分析得到不同工艺制备的涂层中游离Si含量不同; 游离Si含量越高涂层越致密; 氧化性能显示涂层中适量的游离Si有利于涂层的抗氧化, 当涂层中游离Si质量分数为1.3%和2.9%时其抗氧化性能均较好, 在1500℃静态空气中氧化7 h失重率分别为0.19%和0.16%。      

真空镀银抗菌包装薄膜的研究

通过真空镀膜的技术将Ag蒸镀在PET、CPP、PE、PA薄膜上,然后用于包装鲜牛肉,以此延长鲜牛肉的货价寿命.讨论了经该抗菌薄膜包装的鲜牛肉储存期间各项理化指标及感观品质的变化,并研究了该抗菌薄膜的抗菌效果和物理指标.结果表明经这种材料包装后的鲜牛肉的挥发性盐基氮(TVB-N)明显下降,感观品质提高;该抗菌薄膜的杀菌率达到99%以上,与未经过包装的鲜牛肉相比,该材料使鲜牛肉的货架寿命延长了3倍.     

一种新型的幅宽1500 mm的卷绕式真空镀膜机

幅宽1500mm卷绕式真空镀膜机，是为了满足1500mm幅宽的聚脂薄膜（PET）、定向聚丙烯薄膜（OPP）、聚丙烯流涎薄膜（CPP）、聚乙烯薄膜（PVC）的真空镀铝而设计的。和通常的卷绕式真空镀膜机相比，具有真空度高，抽真空的时间短，卷取性能好，镀膜幅度宽，镀膜速度快。跑偏量小，镀膜层牢固、均匀等优点。是一种理想的卷绕式真空镀膜机。     

基于光纤通讯的真空镀膜控制系统

本文针对镀膜的特殊要求,通过分析传统控制方式的不足,提出了新型的控制方式,即光纤通讯。以成都普斯特真空镀膜控制系统为例,介绍了该系统的软硬件配置,工作原理,主要控制功能,应用效果以及光纤通讯在该系统中的应用。     

真空管道TiN膜热出气率实验研究

简要叙述了小孔流量法测量材料出气率实验的原理和实验装置，给出了不锈钢溅射镀TiN膜在不同情况下的热出气率，并对影响不锈钢溅射镀TiN膜热出气率情况的各种因素进行了分析，为使用溅射镀TiN膜表面处理的储存环真空室的设计提供了依据。     

镀膜设备真空系统主泵的配置

真空系统是真空镀膜设备的主要组成部分,其主泵的选择对真空性能影响很大,真空镀膜设备的发展要求真空性能清洁无油,动态抽速大.传统的以油扩散泵为主泵的设备不能满足要求,本文叙述了油扩散泵、分子泵及低温泵的特点及北京北仪创新真空技术有限责任公司开发以分子泵及低温泵为真空系统主泵的镀膜设备情况.     

YBa2Cu3O x superconducting thin films prepared by low temperature vacuum codeposition

Y-Ba-Cu-O films were prepared by low temperature codeposition of three components. The Y and Cu contents were evaporated from metallic sources, while Ba was vacuum-evaporated from Ba, BaO and BaF₂ sources in separate codeposition experiments. The lowest temperature at which superconducting YBa₂Cu₃O _x thin films (about 0.5μm thick) preparedin situ was near 500°C. This process enables preparation of superconducting films on various substrates (SrTiO₃, MgO, Al₂O₃, Si) without a buffer layer. Zero-resistance critical temperature was as high as 88 K and the critical current density was 10⁴ A/cm² at 4.2 K. The morphology of the films was granular with disordered grain orientation, the average grain size being typically 0.5μm.