真空触头材料截流能力判据研究

本文阐述了真空触头材料截流定量研究的现况，并从传热暂态方程出发，结合阴极表面能量平衡方程，推导了一种新的能预测触头材料截流水平相对高低的理论判据，并得到了实验验证。从此判据可以看出，增大阴极材料的电阻率、游离电位；降低其沸点、比热、逸出功等将有利于减小截流。     

论开发低截流值触头材料的建议

介绍正在研究中的从真空开关本身采用低载流触头材料，效果显著地解决了真空开关在操作过程中产生的过电压问题。     

真空灭弧室在不同开距下截流值的对比研究

通过试验研究了小开距范围内开距对截流值的影响,给出了试验参数及线路,分析了测试结果。     

触头材料性质对真空开关截流水平的影响

综述了截流产生机理,讨论了触头材料的各种参数对真空开关截流水平的影响,论述了三类真空触头材料的截流特性。     

影响真空断路器截流值因素的研究

在真空断路开断感性小电流中，由于电路的利索真空灭弧过程的相互作用会产生截流过电压，本文主要对影响真空断路器截流值的因素进行研究，文中提出不但要对真空灭弧室进行深入研究，同时要从整机运动参数进行优化，方能使真空断路器在充分发挥其开断性能的同时减小截流值。     

真空断路器用铜铬触头材料的研制

本文简要叙述了制造Cu—Cr合金的方法,并介绍了这种Cu-Cr合金触头通过10kV,31.5kA、40kA的全部型式试验,和成功开断了8次50kA的短路电流的情况。     

纵向磁场对真空断路器截流的影响

作者对纵向磁场如何影响真空断路器截流水平的问题进行了较为全面的实验研究。研究结果表明,在作者所采用的试品条件下,选用合适的触头材料(Cu—W—C)和加上适当的纵向磁场(0.5～2mT),能使真空断路器的平均截流水平低于0.5A,最大截流低于2A。     

一种新型低截流值真空负荷开关的研制

介绍了一种新型带有主、辅电路的真空负荷开关,它具有低截流、高转移电流.长寿命、高性能价格比的特点,主要用于三相环网或终端供电的市区配电站和工业设备中,利用这种负荷开关构成的组合电器尤其适用于对变压器的保护.     

低截流双功能真空开关的原理与设计

针对大功率电机的控制与保护中的应用,以提高对电机的控制性能和短路保护的可靠性、降低系统成本为目标,研制出一种低截流双功能真空开关。文中给出了双功能开关的原理、结构特点、以及参数的设计与计算结果。     

铜铬系真空触头材料制造工艺

综述了铜铬系真空开关触头材料的各种制造工艺,详细分析了它们的优缺点。     

低操作功真空开关触头材料的研究进展

小型化、高容量、智能化是真空开关发展的趋势,这对开关系统的操动机构提出了新的要求,低操作功真空开关应运而生。小型化、高容量、低操作功真空开关的发展很大程度上决定于触头材料性能的不断提高,低工作压力的真空开关要求触头在保证高的开断能力的同时必须具有低的熔焊倾向。笔者在展望低操作功真空开关开发前景的基础上,综述了低操作功真空开关触头材料的研究成果,提出新一代具有极高抗熔焊性能的CuCr系材料是低操作功真空开关触头的发展方向。     

真空接触器用CuWAlTe电触头及其工艺研究

根据真空接触器对CuWAlTe电触头的性能要求,采用特有的熔渗技术,成功解决了制备CuWAlTe时Te挥发引起的Te含量低的问题。阐述了其技术难点,并对多种工艺方案进行了论证。所研制的触头材料达到性能要求,通过了型式实验。     

真空电弧熔炼的铜铬触头材料组织性能分析

论述了铜铬触头的金相组织与形成机理、金相组织对电气性能的影响及影响结晶组织的工艺因素,阐明了电弧熔炼法铜铬触头材料具有铬在铜基体中呈均匀细小弥散分布的铜铬组织;在开断能力、抗熔焊性、介质恢复强度等电气性能方面均明显优于传统粉末冶金法铜铬触头材料。     

真空接触器用CuWAlTe电触头及其工艺研究

根据真空接触器对CuWAlTe电触头的性能要求，采用特有的熔渗技术，成功解决了制备CuWAlTe时Te挥发引起的Te含量低的问题。阐述了其技术难点，并对多种工艺方案进行了论证。所研制的触头材料达到性能要求，通过了型式实验。