溶胶-凝胶法合成Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料

以Si(OC2H5)4、MgO、Sr(NO3)2、H3BO3、Eu2O3、Dy2O3等为原料，采用溶胶-凝胶法，在低于传统高温固相法近200℃的温度下，合成了长余辉发光材料Sr2MgSi2O7：Eu^2 ，Dy^3 ，研究了由溶胶向凝胶转变和凝胶向发光晶体转变的过程。测试结果表明，用溶胶一凝胶法制备的样品较高温固相法余辉性能有较大提高，余辉时间达到12h以上。     

溶胶凝胶法SiO_2-Eu(Ⅲ)配合物杂化材料的制备及其发光性能

以N,N-二-二苯氧膦-4-溴甲基-苯胺(DPBB)与3-氨丙基三乙氧基硅烷反应得到一种含P=O的有机硅烷前驱体Si-DPBB,并与Eu(DBM)3.2H2O及四乙氧基硅烷通过溶胶-凝胶法反应得到一种新的无定形无机-Eu(Ⅲ)配合物杂化材料SiO2-DPBB-Eu。红外、紫外-可见漫反射及荧光光谱表明,在杂化材料SiO2-DPBB-Eu中,稀土离子Eu3+与Si-DPBB中的P=O发生配位,并分布在SiO2网络中。该杂化材料显出良好的由配体到Eu3+能量转移的线状5D0-7FJ(J=0,1,2,3与4)红光发射。     

相变储能材料溶胶-凝胶复合法研究

提出一种采用溶胶-凝胶法对相变储能材料进行复合的制备方法.在模拟环境中,重点研究了制备工艺各因素如陈化时间、陈化温度、相变材料用量、分散剂用量和超声波分散时间等对复合相变材料的影响.研究表明:当相变材料加入量为14 g、陈化温度为80℃、陈化时间为4 min、分散剂用量为1.5 g和超声波分散时间为10 min时,制备出的储能复合相变材料具有极好的热性能,达到了储能效果.     

稀土发光材料Mg_(0.2)Ca_(0.8)TiO_3:Pr的合成与表征

应用溶胶凝胶法制备了不同Pr3+摩尔浓度下的Mg0.2Ca0.8TiO3:Pr纳米粉体,并通过XRD,TG,TEM,发射光谱和激发光谱等测试手段来表征Mg0.2Ca0.8TiO3:Pr的结构、形貌和荧光性质.X射线衍射结果表明:样品为正方晶格结构,其晶粒尺寸随着热处理温度的提高而逐渐增大,Pr离子浓度的提高不会影响晶体结构.发射光谱与激发光谱的强度都随着温度的升高而增强,而Pr3+摩尔浓度的提高对发射光谱和激发光谱的影响不大.余辉性能测试表明Mg0.2Ca0.8TiO3:Pr的余辉时间可达30 ms.     

溶胶-凝胶法制备稳定WO3光致变色溶胶的研究

以钨酸钠和盐酸为主要原料,以溶胶-凝胶法制备了具有较高光致变色敏感性的稳定WO3溶胶,并应用SC-80C型全自动色差仪对溶胶进行了色度表征.使用漫反射紫外-可见吸收光谱分光光度计和TWM分析了WO3光致变色溶胶的吸收光谱和溶胶的颗粒形态;同时对WO3干溶胶粉体颗粒进行XRD表征.主要得出以下结论制备稳定WO3光致变色溶胶的最佳工艺条件为溶液体系的Ph值为1.6;丙醇的加入量为初始Na2WO4溶液的15 Vol%;乙酰丙酮的加入量为初始Na2WO4溶液的1.5 Vol%.     

溶胶-凝胶-燃烧法制备MgO-Al2O3:Ce3+、Tb3+及其光谱行为的研究

采用溶胶-凝胶-燃烧法在800℃合成了掺杂Ce3＋和Tb3＋的MgO-Al2O3体系发光材料,比传统高温固相扩散法的合成温度降低了700～800℃.研究了MgO-Al2O3基质当中单掺杂Tb^3＋及共掺杂Ce^3＋、Tb^3＋的发光材料荧光光谱行为,以及恒定温度下时间与浓度对发光材料荧光光谱行为的影响,并对其红外光谱和反应原理进行了探讨.     

Eu~(3+)掺杂ZnO纳米粒子的制备及发光性能研究

采用溶胶-凝胶法,在温和条件下以无水乙醇做反应溶剂制备出了Eu3+掺杂的ZnO纳米粒子,粒子呈纺锤体形,长度约为70nm,宽度为40nm,长径比为1.8。XRD分析表明,ZnO∶Eu粒子为六方晶系结构,结晶良好,Eu3+的掺杂并没有改变其晶型结构。通过EDS得到了晶体中Eu3+与Zn2+的物质的量的比;通过荧光光谱仪测定其荧光性能,结果表明,其荧光光谱具有2个Eu3+的特征峰,分别位于595nm和617nm,且在n(Zn2+)∶n(Eu3+)=100∶3时,Eu3+特征峰最强;通过对样品荧光光谱的分析,证明了ZnO基质和Eu3+发光中心存在能量传递。     

Sr_2Al_6O_(11):Eu~(2+),Dy~(3+)蓝色发光材料制备

用高温固相法合成Sr2Al6O11:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料,研究了合成温度、保温时间、B2O3加入量对该材料物相组成和发光性能的影响。结果表明,只有在掺入一定量的B2O3(5%~15%)的条件下,通过控制温度(1000℃~1150℃)和保温时间(1h~2h)能够合成Sr2Al6O11:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料。     

溶胶-凝胶法合成Sr2SiO4Dy^3＋粉体及发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了Sr2SiO4Dy^3＋粉体。用热重-差热（TG-DSC）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等表征了样品的结构、形貌,研究了Dy掺杂浓度和Dy与L i的摩尔比对发光强度的影响。结果表明,所得样品为单斜晶系结构,呈长为800 nm的纤维状小颗粒,其发射光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为480,571和661 nm;监测571 nm的发射峰,所得材料的激发光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为327,352,366,391,429,453和478 nm;当Dy3＋的掺杂浓度（摩尔分数）为4%,Dy与L i的摩尔比为1 1时,样品的发光强度最强。     

溶胶-凝胶法制备纳米钛酸钡

以溶胶-凝胶法制备纳米钛酸钡粉体,利用价廉的重晶石为主要原料制备钡源,有效地克服了传统方法因采用有机钡盐或有机钛而导致的生产成本过高的缺点:研究结果表明,该方法可制备出高纯钛酸钡粉体,制备过程中三废排放物中基本不含有害物质,并可从母液中回收质量较高的副产品硝酸铵,具有产品质量高,原料来源广泛、价格低廉、工艺环保、节能等特点.     

溶胶-凝胶法制备BaTiO3纳米粉体

阐述了用溶胶－凝胶工艺的半醇盐法制备BaTiO3纳米粉体的基本原理和工艺流程，讨论了溶剂、pH值、Ti/Ba摩尔比以及热处理工艺对BaTiO3纳米粉体性能的影响，并分析了目前以该法制备BaTiO3纳米粉体存在的问题。     

溶胶—凝胶法制备Al2O3气凝胶

以铝，正丁醇和乙酰乙酸乙酯为原料，采用溶胶－凝胶法和超临界Ｎ２萃取干燥工艺制备轻质，纳米多孔固体Ａｌ２Ｏ３气凝前，并用ＸＲＤ实验手段对气凝胶的结构进行了研究。     

溶胶-凝胶法制备二元金属氧化物

以柠檬酸为络合剂、PEG为分散剂,用Ce（NO3）3.6H2O和Zr（NO3）4.5H2O为原料制备出CexZr1-xO2。以Mg（NO3）2.6H2O和Al（NO3）3.9H2O为原料,同样方法制得了MgO-Al2O3。进行了X-射线衍射（XRD）和比表面积测试。Scherrer方程计算出MgAl2O4的主要晶面尺寸,表明MgO-Al2O3为纳米粒子。讨论了制备MgO-Al2O3过程中PEG种类和焙烧温度对产物结构的影响。     

Eu~(3+)掺杂生物多孔硅酸钙发光材料性能

自然界天然存在的微结构可以有效提高材料的性能,特别是分级纳米孔结构被证明可以有效增加材料的光吸收效率。为了提高硅酸钙材料的发光性能,以树叶为模板所制备了Eu3+掺杂硅酸钙发光材料,并进行了光吸收、发光和余辉发光性能的测试。研究结果表明,以树叶为模板所制备的Eu3+掺杂硅酸钙发光材料具有2.5nm、3.0nm、10.0～20.0nm孔径的生物分级孔结构,可以有效增加发光材料的表面积和孔容,使材料有更多的光接触面积来增加光子的吸收,从而增加发光材料被激发活性的比例和Eu3+离子被激发发光的概率并使材料有较高的载流子陷阱密度和较深的陷阱深度,从而有更高的荧光和余辉发光的强度。     

微乳液法制备长余辉发光材料CaAl_2O_4∶Eu~(2 ),Dy~(3 )

采用微乳液法合成CaAl2O4:Eu2 ,Dy3 长余辉发光材料,并对其晶型结构和发光性能进行研究.XRD分析表明,所合成的样品为CaAl2O4单斜晶系的晶体结构.发光粉体的激发波长范围较宽,表明从紫外至可见光均可激发该发光材料.发射光谱主峰位于440nm左右.余辉衰减曲线证明其余辉衰减过程存在快衰减和慢衰减2个过程.样品在自然光照射后持续发出明亮的蓝光.     

Sol-Gel法合成SrO-TiO2-SiO2:Eu3+,Bi3+发光材料

用Sol-Gel法合成了SrO-TiO2-SiO2为基质、稀土Eu3+激活的发光材料;研究了材料的合成条件,测试了样品的激发光谱、发射光谱、X-ray衍射光谱等;用TGA-DTA分析了样品合成时的反应行为;获得了合成样品的最佳组成及最佳实验条件。     

溶胶凝胶法制备无机有机杂化材料的研究进展

描述了溶胶凝胶法合成无机有机杂化材料的原理,对于无机有机杂化材料进行了分类,介绍了其合成方法,并详细阐述了无机有机杂化材料的性能及在相关领域的应用。     

CuInS_2薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显微镜、NKD-7000 W光学薄膜分析系统等现代测试手段,研究了不同反应物Cu/In/S摩尔比对薄膜的晶相结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,沿(112)面择优取向生长。反应物Cu/In/S摩尔配比为1.5∶1∶6所生长的CuInS2薄膜晶粒尺寸分布均匀,表面平整致密。CuInS2薄膜的光学带隙宽度在1.97~2.05 eV范围内变化。