ASIC的发展研究

首先介绍了专用集成电路（ＡＳＩＣ）的概况，指出ＡＳＩＣ可适应使用与制造的特殊要求。对ＡＳＩＣ的发展与市场进行了研究，给出了市场增长情况和世界ＡＳＩＣ产品市场及预测以及产品按地区、工艺、应用分布表。对ＡＳＩＣ技术和发展趋势也作了较详细的介绍，亚微米ＣＭＯＳ技术已开始用于ＡＳＩＣ。     

低电压低功耗CMOSASIC技术的进展

综述了低电压低功耗ＣＭＯＡＳＩＣ技术，包括低压ＡＳＩＣ器件的主要类型及特点；选择的产品系列及其主要的工艺，性能参数与专用牧场生；芯片功耗的估算方法；高门密度ＡＳＩＣ芯片低电压低耗自动化设计与测试技术，最后扼要评述了低电压低功耗ＡＳＩＣ的今后发展方向。     

国外ASIC工艺设备现状及趋势

本文根据专用集成电路（ＡＳＩＣ）制造工艺的特点，主要介绍了电子束和激光束片子直写系统的应用及适用于ＡＳＩＣ标准加工线的计算机工艺集成、模块组合加工系统的发展趋势。     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

FPGA将逐渐取代ASIC和ASSP

可编程逻辑技术目前已经能与 ＡＳＩＣ（专用集成电路）和ＡＳＳＰ（专用标准产品）争夺市场,并逐渐呈现出取代ＡＳＩＣ和ＡＳＳＰ的趋势,这极大程度上是因为ＦＰＧＡ技术的发展。ＦＰＧＡ产品在逻辑密度、性能和功能上有了极大的提高,同时器件成本也大幅下降。 另外,ＦＰＧＡ进步的同时,ＡＳＩＣ市场也发生了重大的变化。传统 ＡＳＩＣ供应商逐渐改变过去的通用ＡＳＩＣ战略,转而专注于开发满足特定应用的产品。系统设计商、知识产权（ＩＰ）开发商和代工制造厂也逐渐开始关注设计者的需求。随着深亚微米ＡＳＩＣ掩模的成本接近５０…     

ASIC的发展模式

本文讨论了ＡＳＩＣ类型中半定制与全定制电路的发展、器件与工艺的发展以及开发环境的发展，提出了一种ＡＳＩＣ的发展模式。     

SDH专用集成电路设计中的并行处理方法

ＳＤＨ的发展带动了ＳＤＨ专用集成电路ＡＳＩＣ的发展,ＳＤＨ专用ＡＳＩＣ也促进了ＳＤＨ的发展,由于ＳＤＨ处理的信号速率高,而现有的大规模ＣＭＯＳ集成工艺在速率和功耗等方面给出ＡＳＩＣ的设计提出了一定的限制,从而给ＳＤＨ专用集成电路设计带来了困难。     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

ASIC的实现：全定制IC和半定制IC

ＡＳＩＣ是一种非常有用的集成电路门类。它的实现技术主要分为全定制和半定制。本文介绍了实现ＡＳＩＣ的主要技术：门陈列，标准单元，宏单元，ＰＬＡ，ＰＬＤ，ＦＰＧＡ等。最后，简单地讨论了ＡＳＩＣ的工具：计算机及其应用软件。     

可编程ASIC的新进展

由于ＣＰＬＤ和ＦＰＧＡ等器件的可由于ＣＰＬＤ和ＦＰＧＡ等器件的可编程专用集成电路（ＡＳＩＣ）具有用户编程实现专门应用的功能，近年来发展极为迅速。１９９５年．Ｘｉｌｉｎｘ、Ａｌｔｅｒａ、ＡＭＤ、Ｌａｔｔｉｃｅ、Ａｃｔｅｌ、Ｃｙｐｒｅｓｓ、Ｌｕｃｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ、Ａｔｍｅｌ、ＴＩ和ＩＣＴ等前十家可编程ＡＳＩＣ公司的总销售额达１７亿美元。其中销售额占第一位．达到５．２亿多美元的Ｘｉｌｉｎｘ公司排进了全球前十家ＡＳＩＣ供应商的第九位。可编程ＡＳＩＣ主要是依靠集成电路工艺的不断提高和器件结…     

ASIC设计的方法和CAD工具

本文概述专用集成电路（ＡＳＩＣ）的设计技术，着重比较常用几种ＡＳＩＣ的类型的特点，描述了ＡＳＩＣ设计的不同方法。最后，介绍计算机辅助设计（ＣＡＤ）系统的发展过程及展望。     

产品设计中的SMT

微电子技术的迅猛发展。促进了电子器件和电子产品的小型化的发展。电子产品的高密度组装组装使得传统的ＴＨＴ无能为力。ＳＭＴ是较好地解决了电子产品发展的组装需求。现在，微电子器件已趋向于ＡＳＩＣ和ＶＬＳＩＣ化。而这些器件通常采用ＱＦＰ、，ＰＬＣＣ，ＳＯＩＣ，ＢＧＡ等封装形式。     

ASIC功耗估计和分析技术

功耗已越来越成为ＡＳＩＣ设计中必须考虑的重要因素。评述了对ＡＳＩＣ电路的各种功耗估计和分析方法，展望了功耗分析和估计技术的发展，为低功耗设计提供参考。     

索尼开发0．18μm工艺的光刻技术

索尼开发０．１８μｍ工艺的光刻技术索尼公司已开发出用于０．１８μｍ工艺的光刻技术。近几年来数字化及多功能设备对大规模、高密度器件及专用集成电路（ＡＳＩＣ）单个芯片的需求大大增加，这就使得光刻技术转向短波长曝光光源，光源也由ｉ线转向准分子激光，同时倾斜...     

ULSI技术的发展趋势

本文介绍了与ＵＬＳＩ技术相关的ＤＲＡＭ器件的微细化进展，对半导体制造工艺技术的发展也作了讨论，指出了，ＵＬＳＩ技术在今后的发展中，应注重半导体工艺的“清洁化技术”，并将改善半导体器件制造的成本费用与效益的比例减产 ＵＬＳＩ技术开发的依据。     

GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术

介绍了自主开发的多个完整实用的ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ软件,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波ＩＣ ＣＡＤ、光电集成电路ＣＡＤ、ＧａＡｓ ＶＨＳＩＣ ＣＡＤ、微波高速ＭＣＭ ＣＡＤ等,并简要介绍了针对ＧａＡｓ工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

Quickturn硬件仿真工具

当今复杂的ＡＳＩＣ设计需要经过系统的完善测试，否则所设计的Ａ－ＳＩＣ难以保证系统的正常工作（据Ｄａｔａｑｕｅｓｔ统计：若ＡＳＩＣ未经系统级完善仿真，当实际系统完成后，不能正常工作的几率高达６５％）。在当前的电子系统设计周期中，在目标系统中ＡＳＩＣ在板测试的周期相当长（必须等ＡＳＩＣ样片得到后），而要改变这种设计方法是非常困难的，以致许多设计者采用了一些变通的方法：如用分立元件在面包扳上实现此ＡＳＩＣ芯片的功能，并与目标系统相联，以便进行整机系统实时测试。但这种方法很难做到与ＡＳＩＣ相近的时序特性…     

ASIC时髦有期

几年前，专用集成电路（ＡＳＩＣ）还只是设计者圈中的玩物，他们用来推出先进产品。时移世易，现在ＡＳＩＣ正步入主流。采用ＡＳＩＣ进行设计的主要原因有①缩短产品周期：许多产品从设计到生产原本需要近一年时间；②设计转向供应商：供应商正在做更多的分系统设计，对于系统和分系统公司来说，这是缩短产品周期的主要途径之一。智能特性（ＩＰ）模块将缩短Ａ－ＳＩＣ的设计。③适应硅周期曲线：半导体技术持续快速发展，唯一能跟上这一步伐的方式就是通过大规模专用标准处理器（ＡＳＳＰ）或ＡＳＩＣ走向片上（ｏｎ－ｃｈｉｐ）化。规模…