共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
双E形结构硅压力传感器的研制 总被引:2,自引:1,他引:2
介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 ,制成了灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
介绍利用AutoLisp语言编程实现硅压力传感器版图自动生成的CAD系统,并给出C型压阻式压力传感器版图的设计实例。 相似文献
7.
介绍了采用簧片式硅弹性膜芯片研制成功的压力敏感元件和传感器,利用这种硅芯片已制得灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器。 相似文献
8.
木文介绍了两种硅压阻式压力传感器的新颍的制造工艺。文中讲述的芯片证明了一种重要的、新的硅-硅焊接工艺,即硅熔焊接(SFB)。利用这一工艺,单晶硅片能够以接近理想的界面被可靠地焊接起来,而不必利用过渡层。用SFB工艺制造的压力传感器比用常规工艺制造的传感器性能有很大的改善。SFB工艺还可以用于许多其它的微机械加工的结构件。 相似文献
9.
10.
微压传感器制造中的硅杯腐蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
<正> 一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求: 其中,r为硅杯半径;h为膜片厚度;σ_c为硅的弹性极限,σ_c=8×10~7Pa。(1) 相似文献
11.
12.
本文用数值方法计算C型和E型硅膜片电容压力传感器的输入、输出关系及性能指标,给出了能减少非线性误差的新的电极形状。 相似文献
13.
扩散硅压力传感器性能优化研究 总被引:4,自引:1,他引:4
本文论述了实现扩散硅压力传感器性能优化的一些技术措施、设计原理和工艺技术.采用矩形双岛硅膜结构等新型微机械结构可提高灵敏度和精度并实现过压保护;通过改善工艺并进行表面钝化、改进封装工艺与结构等可改善稳定性;用恒压源及三极管补偿法和等效电阻最佳耦合法可对其灵敏度、零位温度系数进行补偿;采用各向异性腐蚀工艺技术可实现集成化生产. 相似文献
14.
通过将扩散硅压力传感器的每一道工序作为“部件或元件”构成“工艺”的可靠性框图,进行FMECA分析,指出了各个工艺所产生的失效模式,失效原因,失效效应和改进措施。 相似文献
15.
16.
对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件;硅梁作为二次敏感元件的硅谐振式压力微传感器进行了研究:建立了微传感器敏感结构的数学模型;敏感结构参数:方形膜边长4 mm,膜厚0.1 mm,梁谐振子长1.3 mm,宽0.08 mm,厚0.007 mm;对原理实验样件采用电热激励、压阻拾振方式作了开环测试,讨论了传感器的闭环系统. 相似文献
17.
硅谐振压力传感器制备工艺包括硅-玻璃工艺和全硅工艺,采用硅-玻璃工艺时,硅材料和玻璃材料热膨胀系数存在差异,会产生热应力。为解决硅材料和玻璃材料热膨胀系数不匹配而产生的热应力,设计一种基于全硅工艺的硅谐振压力传感器。该设计采用全硅工艺制备,其中电极层和敏感膜层集成于一体,密封层实现真空键合,在消除热应力的同时可减小黏接剂带来的应力干扰。采用全硅工艺制备的硅谐振压力传感器能够克服各种应力干扰,使传感器迟滞、重复性等指标得到改善,进而提升综合精度、长期稳定性等指标。全硅工艺还可改善传感器温度系数,可提升传感器温度跟随性指标。传感器最终测试结果显示,其综合精度优于±0.01%F.S.,其余指标如温度系数、迟滞、重复性等均优于基于硅-玻璃工艺的同类产品。 相似文献
18.
影响扩散硅压力传感器稳定性的因素及解决方法 总被引:2,自引:0,他引:2
本文分析了影响扩散硅压力顺稳定性产产生的原理,并依据半导体理论,在工艺上采取了相应的措施。在大改善的传感器的稳定性,使我们生产的传感器稳定性达到国外同类产品的先进水平。 相似文献
19.
本文指出采用矩形双岛结构可以实现硅压力传感器的非线性内补偿,用一维近似模型分析计算了矩形双岛结构硅压力传感器硅芯片的应力分布及其与(100)硅各向异性腐蚀深度的关系,指出对已确定了几何尺寸的掩膜,可以找到某一最佳腐蚀深度,使这时两对力敏电阻所受横向应力大小与其非线性值成反比,这样总的非线性零值,通过实验证实了这一结论。 相似文献
20.
灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计,但由于膜片本身 相似文献