双E形结构硅压力传感器的研制

介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 ,制成了灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器     

用<111>硅的自停止腐蚀方法制作硅膜

利用各向异性腐蚀和键合工艺,提出了一种新的自停止腐蚀方法,该方法可以得到大于1μm厚的均匀硅膜,可用于微传感器研制。     

微加工硅压力传感器

一、引言 压力是反映物质状态的重要参数之一：常用的压力传感器型式有电容式、电感式、压电式、应变式、振频     

阳极氧化膜对花萼状涡流阵列传感器裂纹监测的影响

针对飞机铝合金结构件表面具有阳极氧化膜的实际,制备具有不同厚度阳极氧化膜的2A12-T4铝合金试件,搭建疲劳裂纹监测系统,对花萼状涡流阵列传感器的裂纹监测特性进行了研究.研究表明:花萼状涡流阵列传感器可以对具有阳极氧化膜的铝合金结构疲劳裂纹进行有效监测,监测精度为1 mm;但阳极氧化膜的厚度会对花萼状涡流阵列传感器的裂纹监测特性产生显著影响,随着阳极氧化膜厚度的增大,传感器的输出信号幅值增加,裂纹监测能力明显降低.     

硅压力传感器版图的计算机辅助设计

介绍利用ＡｕｔｏＬｉｓｐ语言编程实现硅压力传感器版图自动生成的ＣＡＤ系统，并给出Ｃ型压阻式压力传感器版图的设计实例。     

簧片式硅压力传感器的研制

介绍了采用簧片式硅弹性膜芯片研制成功的压力敏感元件和传感器，利用这种硅芯片已制得灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器。     

用于压力传感器的硅熔融焊接

木文介绍了两种硅压阻式压力传感器的新颍的制造工艺。文中讲述的芯片证明了一种重要的、新的硅-硅焊接工艺,即硅熔焊接(SFB)。利用这一工艺,单晶硅片能够以接近理想的界面被可靠地焊接起来,而不必利用过渡层。用SFB工艺制造的压力传感器比用常规工艺制造的传感器性能有很大的改善。SFB工艺还可以用于许多其它的微机械加工的结构件。     

厚膜压力传感器

厚膜压力传感器为新型应变式压力传感器。具有工作温度范围宽、耐腐蚀、蠕变小、漂移小、成本低廉、性能／价格比高等特点。本文介绍其设计原理、构造、工艺，并对厚膜应变电阻工艺与力敏特性的影响进行了讨论。此外，对传感器的主要性能指标及应用也作了必要介绍。     

微压传感器制造中的硅杯腐蚀

<正> 一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求: 其中,r为硅杯半径;h为膜片厚度;σ_c为硅的弹性极限,σ_c=8×10~7Pa。(1)     

飞机用压力传感器

<正> 现代飞机在许多部位安装有压力监测与控制装置,例如飞机的液压系统、发动机数字控制系统,座舱压力及氧气发生系统。测压时,需要通过压力传感器将作用在薄膜上的压力转换成线性输出的电信号。目前,飞机制造商们面临的主要困难就是要选择一种重量轻、体积小、无需维修、且具有卓越性能的压     

硅膜片电容压力传感器CAD

本文用数值方法计算C型和E型硅膜片电容压力传感器的输入、输出关系及性能指标,给出了能减少非线性误差的新的电极形状。     

扩散硅压力传感器性能优化研究

本文论述了实现扩散硅压力传感器性能优化的一些技术措施、设计原理和工艺技术.采用矩形双岛硅膜结构等新型微机械结构可提高灵敏度和精度并实现过压保护;通过改善工艺并进行表面钝化、改进封装工艺与结构等可改善稳定性;用恒压源及三极管补偿法和等效电阻最佳耦合法可对其灵敏度、零位温度系数进行补偿;采用各向异性腐蚀工艺技术可实现集成化生产.     

扩散硅压力传感器工艺工程的FMECA分析

通过将扩散硅压力传感器的每一道工序作为“部件或元件”构成“工艺”的可靠性框图，进行ＦＭＥＣＡ分析，指出了各个工艺所产生的失效模式，失效原因，失效效应和改进措施。     

一种新场发射压力传感器阳极膜结构的模拟与测试

提出了场发射压力传感器阳极变形膜的双层膜结构.计算机模拟证明这种结构与已报道的单层膜相比具有大量程与高灵敏度的优点.对这种结构的形变特性进行了实验测试,考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素,测实结果与模拟结果较为相符.     

热激励谐振式硅微结构压力传感器

对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件;硅梁作为二次敏感元件的硅谐振式压力微传感器进行了研究:建立了微传感器敏感结构的数学模型;敏感结构参数:方形膜边长4 mm,膜厚0.1 mm,梁谐振子长1.3 mm,宽0.08 mm,厚0.007 mm;对原理实验样件采用电热激励、压阻拾振方式作了开环测试,讨论了传感器的闭环系统.     

基于全硅工艺的硅谐振压力传感器设计与制备

硅谐振压力传感器制备工艺包括硅-玻璃工艺和全硅工艺,采用硅-玻璃工艺时,硅材料和玻璃材料热膨胀系数存在差异,会产生热应力。为解决硅材料和玻璃材料热膨胀系数不匹配而产生的热应力,设计一种基于全硅工艺的硅谐振压力传感器。该设计采用全硅工艺制备,其中电极层和敏感膜层集成于一体,密封层实现真空键合,在消除热应力的同时可减小黏接剂带来的应力干扰。采用全硅工艺制备的硅谐振压力传感器能够克服各种应力干扰,使传感器迟滞、重复性等指标得到改善,进而提升综合精度、长期稳定性等指标。全硅工艺还可改善传感器温度系数,可提升传感器温度跟随性指标。传感器最终测试结果显示,其综合精度优于±0.01%F.S.,其余指标如温度系数、迟滞、重复性等均优于基于硅-玻璃工艺的同类产品。     

影响扩散硅压力传感器稳定性的因素及解决方法

本文分析了影响扩散硅压力顺稳定性产产生的原理,并依据半导体理论,在工艺上采取了相应的措施。在大改善的传感器的稳定性,使我们生产的传感器稳定性达到国外同类产品的先进水平。     

双岛结构硅压力传感器的非线性内补偿研究􀀁

本文指出采用矩形双岛结构可以实现硅压力传感器的非线性内补偿，用一维近似模型分析计算了矩形双岛结构硅压力传感器硅芯片的应力分布及其与（１００）硅各向异性腐蚀深度的关系，指出对已确定了几何尺寸的掩膜，可以找到某一最佳腐蚀深度，使这时两对力敏电阻所受横向应力大小与其非线性值成反比，这样总的非线性零值，通过实验证实了这一结论。     

硅压力传感器的灵敏度和非线性分析

灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计,但由于膜片本身