低Br纳米晶Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的中、高频损耗行为

在f＝2．0－10^3kHz和Bm＝0．05－1．0T的范围内，考虑查了低Br纳米晶合金的每周损耗的频率关系。结果表明，在0．2－5kHz的范围内，惯用的损耗分离原则适用，可用Bertotti的统计理论描述P／f-f行为。大约在3－5kHz以前的相当宽的中、高频区内，不能采用惯用的分离法。大致可分为三个区间，P／f-f行为可很好地用P／f＝Kccl^(i) Pch(i)型线性方程来描述。有效涡流系数Kccl^(i)比经典涡流系数Kcl小得多，也明显比高导磁态的Kccl^(i)的相应值小。     

高导磁纳米晶Fe67.9Cu0.5 Nb0.6Cr3V1Si14B13合金的高频磁性能

报道了新开发的纳米晶Fe67.9Cu0.5Nb0.6Cr3V1Si14B13合金的综合磁性能.新合金的直流起始磁导率和矫顽力水平分别为7.8×104和0.8Am-1.在Bm=0.3T,f=100kHz和Bm=0.2T,f=200kHz条件下,铁损分别为544kW·m-3和830kW·m-3,这可与纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9的相比,但比优良的功率Mn-Zn铁氧体H7c4的低得多.在直到1MHz的频率范围内考查了弱场磁导率的频散特性.在f=20～103kHz和Bm=0.01～1.0T范围内,考查了高频矫顽力和Bm的关系.在f=20～103kHz和Bm=0.05～0.9T范围内,描述了铁损和f及Bm的关系.     

高导磁纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9合金的低频损耗行为

在 f=1 0 ～ 1 0 0 0Hz及Bm =0 1～ 1 0T的范围内 ,测量了具有高起始磁导率的纳米晶Fe73 5 Cu1Nb2 V1Si13 5 B9合金的总铁损。将总铁损分离为磁滞损耗、经典涡流损耗和过剩损耗之和 ,我们仔细地考查了每周低频损耗的非线性行为。根据损耗的统计理论 ,仔细地计算了每周过剩损耗。结果表明 ,这一理论能很好地描述低频损耗的非线性行为。     

低B_r纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9合金的低频损耗行为

在 f=10～ 10 0 0Hz和Bm=0 4～ 1 0T范围内 ,测量了低Br 纳米晶Fe73 5Cu1Nb2 V1Si13 5B9合金的总功率损耗。将总损耗分离为三部分后 ,仔细地考查了每周过剩损耗的非线性行为。结果表明 ,损耗统计理论能很好地描述这一非线性行为。与对高起始磁导率态所得的结果比较表明 ,导致低Br 态的横向场退火使过剩损耗明显降低 ,从而明显地降低了总损耗。     

纳米晶Fe72.5Cu1Nb1.5Mo1.5V1Si13.5B9合金的磁性能

报道了新开发的纳米晶Fe725Cu1Nb15Mo15V1Si135B9合金的综合磁性能。新合金的直流起始磁导率和矫顽力水平分别达到13×104和064Am-1。在Bm=03T,f=100kHz和Bm=02T,f=200kHz条件下,铁损分别为578kW·m-3和884kW·m-3,这可与纳米晶Fe735Cu1Nb3Si135B9合金的相比,但比优良的功率MnZn铁氧体H7C4的低得多。在Bmf=(10～40)T·kHz条件下,在f=(20～6000)kHz范围内,描述了铁损、相应幅值磁导率和动态矫顽力的行为     

高导磁Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的中,高频损耗行为

在ｆ＝０．３～１０＾３ｋＨｚ和Ｂｍ＝０．０５～１．０Ｔ的范围内,考查了具有高起始磁导率的纲伙晶合金的每周损耗频率关系。结果表明,在ｆ＝０．３～３０ｋＨｚ和Ｂｍ≤０．８Ｔ的范围内,惯用的损耗分离原则是适用的,可用Ｂｅｒｔｏｔｔｉ的统计理论描述Ｐ／ｆ－ｆ行为;对于Ｂｍ＝１Ｔ,这种描述在直到１５０ｋＨｚ的范围内都适用,大约在３０ｋＨｚ的高频区和Ｂｍ≤０．８Ｔ的范围内,不能采用惯用的损耗分离法,Ｐ／ｆ－ｆ     

低Br纳米晶Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的低频损耗行为

在f=10～1000Hz和Bm=0.4～1.0T范围内，测量了低Br纳米晶Fe7.35Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的总功率损耗，将总损耗分离为三部分后，仔细地老查了每周过剩损耗的非线性行为。结果表明，损耗统计理论能很好地描述这一非线性行为。与对高起始磁导率态所得的结果比较表明，导致低Br态的横向场退火使过剩损耗明显降低，从而明显地降低了总损耗。     

Fe76.9Cu0.6Nb2.5Si13B7合金结构和性能的研究

本文研究了Fe76．9Cu0．6Nb2．5Si1387纳米晶软磁合金的晶化过程及软磁性能。Fe76．9Cu0．6Nb2．5Si1387纳米晶软磁合金具有优良的软磁性能：高饱和磁感应强度、高初始磁导率、低矫顽力、低损耗。本文中对损耗P进行了拟合分析，当Bm=0．1～0．7T、f=10～300kHz时，损耗P可近似地表示为：P=0．63f^1.72B^2m。我们采用晶化过程中电阻测量及X射线衍射方法研究了该合金的晶化过程，研究表明该合金在很宽的温度范围内进行退火处理都只存在单一的α-Fe(Si)析出相。     

退火温度对FeCuNbSiB纳米晶合金磁性能的影响

用熔体快淬法制备出3种FeCuNbSiB纳米晶合金带材,绕制成50 mm×32 mm×20 mm的环形磁环,随后在530~620℃下进行等温退火,研究退火温度对合金磁性能的影响。结果表明:随着退火温度的增加,合金内部晶化相的晶粒尺寸和体积分数有所增加。在550~600℃等温退火后合金具有相对较低的矫顽力(Hc为1.0~1.5 A/m,测试条件:Bm=100 mT,f=10 kHz)和损耗值(Pm为1.4~1.8 W/kg,测试条件:Bm=300 mT,f=10 kHz),特别是经过570~590℃退火后合金在1 kHz^50 kHz频率范围内具有最佳的磁导率。同时,在1 kHz^10 MHz频率范围内,不同测试频率下合金阻抗值对应的最佳退火温度也不同。     

频率和磁场强度对非晶及纳米晶合金带材磁性能的影响

研究了频率(f10 kHz)和磁场强度对商业非晶合金1K101和纳米晶合金1K107成品带材铁芯的损耗Pc和幅值磁导率μa的影响。结果表明,两种带材铁芯损耗Pc均正比于磁感应强度B的平方(Pc∝B2)及正比于频率f的平方(Pc∝f2);两种带材铁芯的μa都随B增加到一定值然后下降;当频率f为200 kHz时,1K107合金带材在B为0.4 T时最大幅值磁导率μa=27273.3;1K101合金带材在B=0.7 T时具有最大幅值磁导率μa=6548.9;在相同f、B条件下1K107带材损耗明显小于1K101,即便是f相同、B更大的情况下前者损耗仍可能小于后者,例如P1K107(200 kHz,0.7T)为1302.08 W/kg,P1K101(200 k Hz,0.4T)为2180.36 W/kg,表明纳米晶合金带材的磁性能明显优于非晶合金带材,更适合用于制备高频电力电子变压器铁芯。     

Preparation of Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y by MOCVD

The GalnAsSb quaternary alloys for 2～4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaAs and GaSb/GaSb hybridsubstrates are mentioned,which effectively improve the properties of GalnAsSb epilayers.In order to controlthe epitaxial growth of GaSb and GalnAsSb,emphasis is given on the deposition rates,growth temperaturesand the relationship between growth conditions and the distribution coefficients of In and Sb.The experimen-tal solid compositions in this work are predicted by the thermodynamic calculations.Whether the growth ofGalnAsSb epilayers is controlled by chemical reactions or by mass diffusions depends on growth temperatures.This argument is verified by kinetic considerations.The FWHMs of the DCXD (double crystal X-raydiffraction)spectra of GalnAsSb epilayers grown on GaSb/GaSb and GaSb/GaAs hybrid substrates areabout 200～300 arcsec and 800 arcsec respectively.The unintentionally doped GalnAsSb epilayers have themobilities of μp=100～240 cm~2/V·s at 300 K.The corresponding wavelength ofMOCVD GaInAsSb alloysis calculated from EPMA(electronic probe microanalysis)data and determined by FTIR(Fourier transformedinfrared spectroscopy)measurement.     

T1-Y (Thallium-Yttrium)

Phase diagram updates     

电磁式接触器(一)

1电磁式接触器发展史1·1发展史在19世纪末,电器由闸刀开关组成,其是在空气中或在油中的断路器,固定在大理石板或石板上并手动操作。在20世纪初期,电磁式接触器出现,其担负起接通和断开供电线路的使命,当时使用的是直流电源。它实际上是以一定距离控制的电磁铁。这是一个明显的进步。一战末期,必须扩大工厂的生产能力和低压交流电网,需求经济型的接触器,以满足需要和使用条件。1924年TE公司创建,按公司创立人之一A.勃朗赛特先生设计意图,公司开发了一种专利电器,由可变化组件构成。这些组件安装在一个棒材上,产品安装在一个坚实的基板上,…