稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

酞菁铜薄膜传感器的气敏特性

利用酞菁铜有机半导体作为敏感材料制备成NO_2气体传感器,研究了其气敏特性,如器件的一致性、重复性、线性等,结果表明传感器具有实用价值。     

纳米薄膜气敏技术发展与展望

目前,纳米薄膜气体传感器的发展趋势是提高灵敏度和工作性能,降低功耗和成本,缩小尺寸,简化电路.介绍SnO2、ZnO、TiO2等主要纳米薄膜气敏传感器研究现状.电子鼻依靠气体传感器阵列而组成,还介绍了装有电子鼻的机器人.     

掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH_4.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

气敏酞菁锌薄膜透射光谱特性

采用真空升华方法制备了酞菁锌（ＺｎＰｃ）薄膜，并分别测量薄膜在不同浓度的乙醇和ＮＨ３气体中的透射光谱。结果发现，波长为３５０ｎｍ时有强的吸收峰，波长为４６０ｎｍ时光透射率最大；薄膜在乙醇气体中的透射率随浓度的增加而下降；ＮＨ３浓度的变化对薄膜的光透射率基本无影响。这说明Ｚｎ－Ｐｃ薄膜有良好的气敏光谱特性。     

半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述

本文结合半导体金属氧化物的电学特性，从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发，对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关，因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。     

一种便携式TiO2薄膜乙醇气敏传感器的研制

研制了一种适合于乙醇检测的新型TiO2基薄膜气敏传感器.敏感材料是采用直流磁控反应溅射法制备在Al2O3陶瓷管上的TiO2薄膜,薄膜经过退火处理(500℃、3 h)后,得到对乙醇蒸汽具有很好选择性和灵敏度的锐钛矿相TiO2,其最佳工作温度为270℃左右,响应时间2 s,恢复时间3 s.测量电路采用以ARM7为核的LPC2131微控制器实时监测电源电压,自动调整占空比,从而实现对加热温度的精确控制.通过测量敏感薄膜的电阻,并与乙醇气体浓度进行校准,最终显示被测气体的浓度.整个传感器采用低功耗设计,具备报警功能,同时提供了一个友好的用户界面.     

溶胶-凝胶法制备V2O5 薄膜的气敏特性研究􀀁

西方研究了用无机溶胶凝胶法制备的Ｖ２Ｏ５薄膜的ＸＲＤ结果及其气敏特性。凝胶在４００℃下烧结１２ｈ后完全形成了Ｖ２Ｏ５晶体。掺３ｗｔ％Ｐｄ＋１ｗｔ％Ａｕ的Ｖ２Ｏ５薄膜在较大范围内对乙醇具有较高的灵敏度。加热电压为５．５Ｖ时灵敏度达到最大值。该气敏薄膜具有较好的选择性,ＮＨ３、Ｈ２、ＣＯ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３等气体不干扰元件的测量。元件的响应时间为１５ｓ,恢复时间为５ｓ。     

气敏法动态浓度测量中的预测技术探讨

用实验测量了气敏传感器（ＭＱ２１１型）在气体浓度阶跃作用下的响应和恢复特性，发现它们均可用超越函数模型近似，以此为基础，建立了气每法动态测量中的智能预测技术，结果与实验基本一致，从而解决了气敏法测探中的滞后现象，研究中还发现并建立了快速测定气敏感器响应时间和恢复单时间的新方法。     

平面电极薄膜气体传感器中的表面与界面

有机半导体薄膜由于具有特殊离域的。电子体系的特殊结构，特别是LB膜制备技术的采用，使得制备的有机半导体薄膜具有定向性和极高的比表面积，在气体传感器应用中显示出优异的性能．本文主要讨论了平面电极式有机半导体薄膜气体传感器研制中与表面和界面有关的技术问题及其解决的基本方法．     

二氧化锡传感器对挥发性有机物的动态测试方法研究

温度调制的动态测试是解决金属氧化物传感器选择性差的一种常用方法, 但至今尚未有明确的方法控制动态响应信号的波形以达到预期期望. 本文首先从静态测试的角度出发, 描述了静态性能指标与动态响应信号的对应关系, 提出了适合于动态测试的半导体传感器的选择方法. 然后以矩形波为例, 通过对其周期、占空比、工作温度范围的调整, 在不降低动态响应信号品质的前提下, 缩短在实际应用中的响应时间和功耗. 最后, 利用支持向量机算法验证了动态响应信号的品质, 在不同种类不同浓度的气体中, 识别率高达100%.     

反性气敏元件对结构的气体传感器

介绍一种反由反性气敏元件对构成的气体传感器。它具有，既能提高灵敏度和选择性，又可平抑温、湿波动引起干扰的能力。     

ZnO系薄膜对NOx气体的气敏光透射特性

用射频磁控溅射方法制备了纯氧化锌（ＺｎＯ）薄膜和掺Ａｇ、掺Ｐｔ与掺Ｐｄ的ＺｎＯ三种气敏光学薄膜。测量了这些薄膜在ＮＯｘ气体中的透射光谱,然后由透射光谱获得了灵敏度的变化规律,并用吸附平衡关系式解释了气敏光透射特性,最终优化得到一种对ＮＯｘ气体灵敏度高的掺Ａｇ氧化锌薄膜。     

掺Pt的SnO2薄膜气敏特性研究

用直流磁控溅射法分别在si（111）基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的Sn02薄膜,并进行500℃～700℃退火处理,对掺杂前后的薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后,掺杂样品对各种有机气体有较高的灵敏度,随着溅射时间的延长,气敏特性提高。700℃退火后,45min溅射的样品对氨气有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右。随着掺杂时间延长,气敏特性降低。     

TAA薄膜NO_2气敏元件的特性研究

用真空升华方法制作了ＴＡＡ薄膜ＮＯ２气敏元件，并研究了其室温条件下的响应特性．结果表明：该元件在室温下对ＮＯ２具有较高的灵敏度，可检测空气中含１×１０（－６）的ＮＯ２气体．该元件在１．７×１０（－６）～１７×１０（－６）浓度范围内对ＮＯ２呈线性响应，响应时间在３０ｓ内，恢复时间为几分钟的数量级。     

脉冲激光溅射沉积WO3气敏膜

本文研究了脉冲激光溅射镀膜技术沉积WO_3基片在室温下,沉积的WO_3膜部分晶化并部分还原.经热处理,在450℃左右膜层开始晶化,最后形成三斜晶系的WO_3晶化后颗粒在几十到几百纳米之间.本技术沉积的WO_3膜对NO_2气体有非常好的气敏性能,可检测0.1×10~(-6)量级的NO_2气体.WO_3膜的灵敏度随温度降低而增大,但同时响应时间和恢复时间增长.同其它制备技术相比,本技术沉积的WO_3膜显著提高了响应性能:响应时间和恢复时间,它们分别为30_s和70_s.     

LC无源无线气体传感器的制备及对NH3气敏特性的研究

采用酸化后的碳纳米管与聚苯胺掺杂作为传感器的气敏材料.通过丝网印刷技术将无铅铝浆印刷在氧化铝陶瓷基板上形成电感线圈,并将制备好的气敏材料涂覆到电感线圈上,制备出LC谐振式无源气体传感器.制作成气体传感器后在NH3气氛中进行测试分析,实现了在密闭环境下的非接触测量.重点分析了在室温下NH3气体的浓度对传感器谐振频率f0的变化及响应恢复时间的影响,结果表明气体浓度在300×10-6时,传感器的灵敏度为4.499 MHz.