恒电位法电沉积聚8-羟基喹啉薄膜

采用恒电位法在镀镍工件表面制备聚8-羟基喹啉薄膜。研究了沉积电位、8-羟基喹啉浓度、Na OH浓度、沉积时间等工艺条件对薄膜耐蚀性的影响。分别采用盐水周浸泡试验、三氯化铁缝隙试验和Tafel极化曲线法对比研究了恒电位法电沉积试样、循环伏安法电沉积试样和空白工件的耐蚀性。采用扫描电镜表征了聚8-羟基喹啉薄膜的表面形貌。恒电位法沉积的最佳工艺条件为:8-羟基喹啉2 mmol/L,Na OH 0.4 mol/L,电位0.5 V,时间300 s,室温。采用最佳工艺所得薄膜的耐蚀性略优于循环伏安法试样,远优于空白工件。     

循环伏安法电沉积聚8-羟基喹啉–苯酚复合薄膜

采用循环伏安法在镀镍工件表面制备聚8-羟基喹啉–苯酚复合薄膜。研究了8-羟基喹啉和苯酚的浓度比、单体总浓度、氢氧化钠浓度、扫描速率和循环次数对复合薄膜耐蚀性的影响。分别采用盐水浸泡试验(时间1周)、三氯化铁缝隙试验、Tafel极化曲线法对比研究了聚8-羟基喹啉–苯酚复合薄膜、聚8-羟基喹啉薄膜和空白工件的耐蚀性。采用红外光谱仪、扫描电镜对所得复合薄膜的表面成分和形貌进行表征。电沉积复合膜的最佳工艺条件为:8-羟基喹啉和苯酚的浓度比1∶30,单体总浓度0.021 mol/L,Na OH浓度0.8 mol/L,扫描速率100 m V/s,循环次数6,室温。在最佳工艺条件下制备的聚8-羟基喹啉–苯酚复合薄膜的腐蚀电位、腐蚀速率分别为-0.277 0 V和4.54×10-4 g/(m2·h),耐蚀性优于聚8-羟基喹啉膜,远优于空白镀镍工件。     

不对称交流脉冲电位法制备聚8–羟基喹啉薄膜工艺

采用不对称交流脉冲电位法在镀镍工件表面制备聚8–羟基喹啉薄膜。研究了阶跃电位、阶跃时间、重复次数和溶液中8–羟基喹啉含量等工艺条件对电沉积聚8–羟基喹啉薄膜的影响。分别采用塔菲尔曲线测量、扫描电镜和能谱分析对电沉积后工件的耐蚀性、薄膜的表面形貌和组成进行分析。最佳工艺条件为:8–羟基喹啉0.002mol/L,氢氧化钠0.4mol/L,正阶跃电位0.55V,负阶跃电位0.05V,正阶跃时间0.2s,负阶跃时间0.1s,重复次数100。采用最佳工艺处理后,工件的腐蚀电位、腐蚀速率分别为0.32V和4.1581×103g/(m2·h),耐蚀性优于未处理的工件,且与铬钝化处理的工件相当。     

氯化胆碱-丙二酸离子液体电沉积锌-镍合金

采用恒电位法在氯化胆碱-丙二酸类离子液体中电沉积制备了Zn-Ni合金镀层.重点研究了沉积电位对Zn-Ni合金镀层孔隙率、耐蚀性、结合力和表面形貌的影响.结果表明,在-1.2 V下电沉积所得Zn-Ni合金镀层的孔隙率较低,表面平整致密,耐蚀性最好.     

超级电容器电极材料制备与性能研究

用恒电位沉积法在不锈钢电极上制备了MnO2薄膜,测试了循环伏安曲线及充放电性能。测试结果表明,充放电电压随时间呈线性变化,循环伏安曲线无明显的氧化还原峰,说明制备的MnO2具有良好的电容特性。     

石墨基体上电沉积铜成核机理的研究

通过循环伏安法和恒电位阶跃暂态法,研究硫酸铜-硫酸溶液中铜在石墨基体上的电沉积行为,并利用扫描电子显微镜观察石墨基体表面金属铜沉积颗粒的形态和分布。结果表明:在较正的电位区间内,铜的沉积遵从连续成核机理;而在较负的电位区间内,铜的沉积遵从瞬时成核机理。     

碳纤维布基聚吡咯修饰电极的制备及性能表征

分别用恒电流、恒电位、循环伏安法、电沉积与恒电流相结合等电化学方法,制备了新型碳纤维布基聚吡咯修饰电极,用扫描电子显微镜( SEM)观察了其表面形貌,研究了吡咯在碳纤维布基上的聚合条件和膜的生长过程,研究了聚吡咯修饰电极对氟离子的电流响应特性.结果表明:用电沉积与恒电流相结合的方法制备的碳纤维布基聚吡咯膜具有致密性好、...     

二甲基亚砜有机溶液中Bi-Sb薄膜温差电材料的电沉积制备

采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Bi、纯Sb以及Bi-Sb二元体系在Ti基体上的还原过程。结合分析结果,采用直流恒电位方式电沉积制备了Bi-Sb二元薄膜温差电材料,并采用X-射线衍射以及塞贝克系数测试对不同电位下制备出的Bi-Sb二元薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在Ti基体上Bi3+、Sb3+离子的氧化还原均为不可逆过程,前者的阴极还原过程仅由离子扩散造成,而后者的还原过程中涉及到了离子的吸附,二者沉积电位接近,共沉积过程是一步完成的。对制备出的材料的物相以及性能的分析结果表明,电沉积制备出的材料确为Bi-Sb二元合金,随着沉积电位的负移,温差薄膜电材料的表面变得粗糙,在不同电位下沉积出的材料均为P型温差电材料,塞贝克系数随电位变化不大。     

稀土镧对DMSO有机溶剂体系电沉积铋−碲热电薄膜的影响

在二甲基亚砜(DMSO)有机溶剂中先通过阴极极化曲线和循环伏安曲线测试研究了Bi(Ⅲ)、Te(Ⅳ)离子在镍电极上电沉积的电化学行为.再在不同电位下电沉积制备了Bi–Te热电薄膜,研究了沉积电位和稀土La对Bi–Te薄膜性能的影响.结果表明,Bi–Te热电薄膜的电沉积属于正则共沉积,不同电位下所得Bi–Te薄膜均含有Bi2Te3化合物和单质Te.La的加入可以显著改善薄膜的微观形貌,影响薄膜中各组分的含量,但对薄膜的物相结构无明显影响.     

碳钢基体镍-磷合金镀层表面沉积TiO2薄膜

采用电沉积法在碳钢镀镍一磷合金镀层表面制备了TiO2薄膜,研究了溶液pH值、沉积时间和电流密度对薄膜增重的影响,分析测定了薄膜的成分及表面形貌。所得最佳工艺条件：pH值为4;时间为40min;电流密度为40-50mA／cm^2。在最佳工艺条件下成功制备了与基体结合良好、致密、均匀的TiO2薄膜。浸泡试验表明TiO2薄膜提高了镍一磷合金镀层在质量分数为10％硫酸和10％氯化钠溶液中的耐蚀性。     

CTAB辅助电沉积V_2O_5薄膜及储锂性能研究

以五氧化二钒、双氧水和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为原料,采用溶胶凝胶法制备了V2O5溶胶,并通过电沉积法在不锈钢基体上制备了正交晶系的V2O5薄膜电极材料。采用X-射线衍射和场发射扫描电子显微镜表征了V2O5薄膜材料的微观结构和表面形貌;采用循环伏安曲线、交流阻抗谱和充放电测试研究了V2O5薄膜作为锂离子电池正极材料的储锂性能。结果表明,在添加3%CTAB的V2O5溶胶中电沉积的V2O5薄膜比未添加CTAB的V2O5溶胶中电沉积的V2O5薄膜具有更高的电化学反应可逆性、更低的电化学反应阻抗、更好的嵌锂活性和倍率性能。     

电沉积钕铁硼磁性薄膜工艺

采用循环伏安法在铜电极上进行了NdFeB稀土永磁薄膜电沉积的初步探索。镀液组成为:FeCl240g/L,H3BO336g/L,抗坏血酸1.2g/L,十二烷基硫酸钠0.1g/L,甘氨酸、氯化铵各30g/L(作为配位剂),NdCl38～16g/L。探讨了配位剂对该体系镀液循环伏安特性的影响,并研究了镀液中NdCl3含量和电沉积终止电位对镀层形貌和外观的影响。结果表明,镀液中加入配位剂后,Fe2+起始沉积电位负移,而Nd3+的还原电位正移。Fe元素能诱导Nd元素进行共沉积,实现在水溶液中电沉积制备稀土永磁薄膜。循环伏安沉积的终止电位和镀液中NdCl3的含量对NdFeB薄膜的形貌和外观影响较大。镀液中NdCl3为8g/L、终止电位为1.7V时,可制得Nd的质量分数高达5.69%、较光亮致密的NdFeB薄膜。     

碳化钨纳米晶薄膜电极在对硝基苯酚电化学还原中的催化性能

采用磁控溅射物理气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术,在金属镍基体上制备具有纳米晶结构的碳化钨薄膜;采用循环伏安、准稳态极化和恒电位阶跃等电化学方法研究了对硝基苯酚(PNP)在碳化钨纳米晶薄膜电极上电化学还原的特性和机理.研究表明,采用磁控溅射物理气相沉积技术制备得到的薄膜是由直径为20nm的WC1-X构成,在这种薄膜电极上,PNP电化学还原在电位为(0.95V(Vs. SCE)时,出现一个电流密度为6.0mA(cm(2还原峰,还原反应的表观活化能为12.0kJ(mol(1;而采用等离子体增强化学气相沉积技术制备得到的薄膜是由直径为35nm的纯相WC构成,PNP在该薄膜电极上电化学还原峰电位为(1.05 V(Vs. SCE),还原电流达10.0 mA(cm(2,表观活化能为10.9 kJ(mol(1. PNP在这两种碳化钨薄膜电极上都经过两步不可逆的电化学反应还原成对氨基苯酚,控制步骤为电极反应的电荷传递过程.     

Ni-Sn合金的电沉积过程与析氢性能研究

利用循环伏安曲线研究了Ni2+、Sn2+络合离子的电沉积过程,在镍网基体上采用恒电位法电沉积制备了Ni-Sn合金。室温条件下,在30%KOH溶液中测试纯镍、雷尼-Ni和Ni-Sn合金电极的阴极极化曲线,比较三种电极的催化析氢性能。结果表明,Ni-Sn合金可以提高镍的催化析氢性能。在室温25℃,阴极极化电流密度20A/dm2和30A/dm2时,Ni-Sn合金电极的析氢过电位分别为137mV和161mV,低于雷尼-Ni电极的299mV和341mV。     

镍电极上硫酸盐溶液体系三价铬电沉积动力学初探

采用阴极极化曲线法、循环伏安曲线法和恒电位电解试验探讨了硫酸盐溶液体系三价铬在镍电极上电沉积的电化学行为和动力学规律。以二水甲酸钠为主配位剂、甘氨酸为辅助配位剂时,首先在镍电极上进行析氢反应,当阴极电位负于-1.35 V时才会有明显的三价铬电沉积现象。镍电极表面的析氢反应过程和三价铬电沉积过程均为不可逆电极过程。镀液Cr(III)含量和p H的增大具有增强阴极极化的作用;温度以及二水甲酸钠、甘氨酸和硫酸铵含量的增大则具有降低阴极极化、提高阴极反应速率的作用。     

PEDOT修饰电极的制备及对对苯二酚的测定

采用恒电位沉积法,将EDOT沉积在玻碳电极表面,对玻碳电极进行修饰,制备修饰电极。利用循环伏安法在电化学工作站上进行对苯二酚的电化学测试,探究pH、扫描速率、待测液浓度等参数来制备最佳修饰电极。     

镍钨合金电沉积伏安特性和初期行为的研究

镍钨合金镀层由于其高的硬度、耐磨及耐蚀性而被作为代铬镀层用于金属表面处理。为进一步探讨镍钨合金的电沉积机理,采用循环环伏安法和电位阶跃法研究了玻碳电极上镍钨电沉积的循环伏安特性和初期行为。电沉积过程中,钨酸根被还原成中间价态的氧化物。     

三维膜电极电控离子分离过程离子扩散特性研究

通过阴极电沉积法在石墨芯基体上制备铁氰化镍(NiHCF)薄膜,然后组装为多排石墨芯(MRGC)膜电极系统于1mol/LKNO3溶液中测定其循环伏安(CV)曲线。重点考察了不同电极厚度与间距的MRGC基体NiHCF膜电极CV图的阴阳极峰电位分离情况,以及不同扫描速度下膜电极系统的CV图变化情况。研究结果表明,由于三维MRGC膜电极系统内部离子扩散影响,CV图的峰电位将发生偏移。随着石墨芯间距的增加电极内离子扩散阻力降低,导致CV图阴阳极峰电位差ΔEp将减小;固定石墨芯间距而增加电极厚度时电极内离子扩散阻力增加使ΔEp也随之增加;随着扫描速度的增加内扩散的影响加剧导致ΔEp增加。因此循环伏安图阴阳极峰电位的分离程度可用于三维膜电极内离子扩散的分析。     

甲醇在碳载纳米Pt电极上的电化学研究

应用循环伏安法制备了nano-Pt/GC修饰电极,优化了铂微粒在电极表面的沉积条件,并用扫描电子显微镜(SEM)和在硫酸中的循环伏安曲线对其进行了表征。结果表明铂微粒较为均匀地分散在玻碳电极表面,粒径约为140nm,电极具有很大的比表面积。循环伏安实验结果表明nano-Pt/GC电极对甲醇电氧化的催化活性明显高于铂片电极,在该修饰电极上甲醇正向扫描和反向扫描时的氧化峰电位分别是0.67V和0.49V,峰电流为61.00mA/cm2和50.50mA/cm2,分别是铂片电极上的3.13倍和3.10倍,有效地提高了金属铂的利用率,铂微粒在电极表面的最佳沉积条件是循环次数为100次和沉积速度为5mV/s。     

电沉积法制备V_2O_5薄膜及其储钠性能研究

采用电沉积法制备了V2O5薄膜并研究了电沉积温度、时间、电压和镀液浓度对V2O5薄膜储钠性能的影响。采用场发射扫描电镜和X-射线衍射表征了V2O5薄膜表面形貌和晶体结构;利用循环伏安、充放电测试V2O5薄膜的储钠性能。结果表明,制备的V2O5薄膜是非晶相V2O5水合物,该薄膜具有片状的叠层纳米结构;电沉积条件对V2O5薄膜沉积速度和储钠性能都有显著影响,随着电沉积温度的升高和镀液浓度的增加,薄膜的沉积速度加快;随着电沉积电压的增加,薄膜沉积速度先增加后降低,在电压为2.5 V时沉积速度最大;随着电沉积时间的增加,薄膜厚度增大;薄膜的储钠性能与薄膜厚度密切相关,薄膜过薄或过厚都不利于其储钠性能的提高。