氮化硅结合碳化硅材料反应烧结时的杂质相行为分析

分析了Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ材料反应烧结时Ｆｅ２Ｏ３,ＳｉＯ２,Ａｌ２Ｏ３,ＣａＯ等杂质相的反应行为。     

氧氮化硅结合碳化硅制品的生产与使用

以工业用黑色碳化硅砂、硅粉为主要原料，研制出了导热性能优良、抗热震性好、耐高温、耐侵蚀及耐磨损，且生产工艺较简单、成本较低的氧氮化硅结合的碳化硅制品．该产品已广泛应用于冶金炉、化工设备及发电用锅炉的内衬，并取得了较满意的效果。     

氮化硅结合碳化硅窑具材料

本文介绍了氮化硅结合碳化硅窑具的制造工艺原理及生产工艺技术，报道了该窑具的材料性能和各类窑具的品种特点。氮化硅结合碳化硅材料以其优异的性能，独特的成形技术和氮化工艺，可生产出轻量化、组合化的现代窑具。     

高炉用氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法的研究

确定了高氧化铝含量（０．５％－２０％）的高炉用氮化硅结合碳化硅制品中Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ｆＳｉ、ＳｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３六种化学成分的化学分析方法试验条件．并按条件试验选择了分析方法，进行了精密度、准确度和实际工作的考核，证明了本分析方法可靠、切实可行，能满足科研工作和生产的要求。     

氮化硅结合碳化硅耐火材料的氧化

氮化硅结合碳化硅耐火材料高温氧化后，其抗折强度有所提高，但经扫描电镜观察，材料断面结构已发生了明显的变化。该材料长时间在氧化气氛中使用，可靠性将下降。     

氮化硅结合碳化硅窑具材料的研制

本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化对反应结合碳化硅对材料性能的影响，通过Ｘ射线衍射仪对材料进行物相分析，发现反应温度对材料的机械性能起差重要作用，若温度过低则反应不完全，而温度过高则生成大量β－Ｓｉ３Ｎ４，导致强度降低。实验结果还表明，随着硅加入量的增加，在一定范围内材料的强度和断裂韧性也同步提高。     

氧氮化硅结合碳化硅窑具材料研究

利用热力学分析了氧氮化硅结合相的生成机理。探讨了硅粉加入量对氧氮化硅生成量、材料的各项理化性能以及抗氧化性能的影响。结果表明：氧氮化硅的含量随Ｓｉ含量的增加而增加,制品的常温耐压强度和荷重软化温度相应提高     

氮化硅加入量对碳化硅-氮化硅-莫来石复相材料氧化层的影响

以莫来石、红柱石、氮化硅、碳化硅为主要原料,在空气气氛下烧成制备碳化硅-氮化硅-莫来石复相材料,并采用XRD、SEM样品进行了表征。结果表明:碳化硅化硅-氮化硅-莫来石复合材料在烧结过程中会在试样表面形成氧化层,分为氧化膜和致密层。氧化膜的主要成分为Si O2,其主要是碳化硅和氮化硅的氧化产物,随着试样中氮化硅含量的增加,试样表面形成的Si O2逐渐增多;试样截面出现致密层,随着试样中氮化硅含量的增加,试样的致密层厚度逐渐减小。     

氮化硅结合碳化硅的重烧结研究

对氮化烧成后的氮化硅结合碳化硅试样进行了不同温度下的重烧结研究。实验结果表明，重烧结后的试样的常温三点抗弯强度平均提高约69％，HRA硬度值平均也有14％的提升，相组织含量发生微量变化，微观组织气孔由不规则形状遂渐趋圆．氮化生成物微颗粒之间产生成片连接。经过重烧结的材料。更适合于高温下的使用。     

多孔氮化硅微观组织结构对力学性能的影响

通过添加造孔剂苯甲酸,利用气氛压力烧结技术制备出了不同气孔率(40%～70%)的多孔氮化硅陶瓷,研究了显微结构对材料力学性能的影响;通过分析发现发育较好的长柱状β-氮化硅晶粒保证了材料获得良好的室温力学性能;而材料密度低、晶粒发育不完全是多孔氮化硅陶瓷力学性能下降的主要原因。本文制备的多孔氮化硅断裂形式为沿晶和穿晶断裂模式,当陶瓷气孔率为52%时,弯曲强度为195MPa。     

高档发优质反应结合氮化硅结合碳化硅窑具的制备

本文研究了高档优质Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ窑具的工艺过程，并且论述了制备这处高档优质窑具的工艺参数。     

氮化硅结合碳化硅树料的抗渣侵蚀性

借助光学显微镜、扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射分析等手段，研究了矿渣侵蚀后的氮化硅结合碳化硅材料的显微结构和物相组成．探讨了氮化硅结合碳化硅材料的损坏机理。     

反应烧结形成氮化硅/碳化硅材料

介绍了反应烧结形成氮化硅／碳化硅材料的制备工艺，对该材料的微观结构、性能及其影响因素进行了阐述，并介绍了该材料的应用背景。     

氮化硅结合碳化硅喷嘴的成形工艺研究

通过对比分析普通石膏模注浆成形、微压注浆成形、振动注浆成形3种成形工艺在氮化结合碳化硅脱硫喷嘴成形过程中的优缺点,以及3种成形工艺坯体密度和试样抗弯强度变化,确定了氮化硅结合碳化硅最佳成形工艺.同时深入研究了振动时间对振动注浆成形密度的影响,确定了最佳振动时间.     

氮化硅结合碳化硅耐火材料在钢水中的腐蚀行为

运用扫描电镜（ＳＥＭ）技术，研究了氮化硅结合碳化硅耐火材料在钢水中的腐蚀行为。结果表明，金属与氮化硅结合碳化硅材料之间的界面清晰，基体内部无任何金属渗入，但氧化的材料表面有氧化物粘附。     

浸渍工艺对反应烧结氮化硅结合碳化硅致密度的影响

以不同粒度的SiC、硅粉为原料,采用浇注成型制备反应烧结氮化硅结合碳化硅.选用不同浓度的硅溶胶、铝溶胶和氯化铝溶液,分别对坯体和1420℃氮气气氛下烧成后的试样进行真空浸渍.研究了烧前浸渍和烧后浸渍、浸渍液的种类和浓度等对试样氮化率、体积密度和显气孔率的影响.结果表明:对材料进行烧前浸渍和烧后浸渍均可以增加试样的致密度,但烧后浸渍的效果不如烧前浸渍;高浓度浸渍液不利于致密度的提高;在三种浸渍溶液中,烧前浸渍铝溶胶的试样氮化率提高最为明显,而浸渍氯化铝溶液的试样气孔率下降最为明显;综合考虑浸渍对致密度和氮化率的影响,采用烧前浸渍10％铝溶胶的试样效果较好.     

氮化硅结合碳化硅板材标准及应用

详细地介绍了氮化硅(SiN4)结合碳化硅(SiC)板标准的制订情况，叙述了标准中产品的形状及代号、规格尺寸、技术要求、产品检验等内容，并对标准的应用情况进行了说明，以期对标准的使用能正确理解。     

氮化硅结合碳化硅复合材料性能优化的研究进展

氮化硅结合碳化硅具有优异的力学性能、抗蠕变性能、抗热冲击性能、热学性能和抗化学侵蚀性能,被广泛应用于冶金、化工、机械和国防军工等领域.氮化硅结合碳化硅的服役环境恶劣,材料的力学性能、抗热震性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能是影响其服役寿命的关键.本文针对如何提升氮化硅结合碳化硅材料的服役性能,对氮化硅结合碳化硅力学性能、抗热...     

影响多孔氮化硅结构陶瓷材料性能的因素

多孔氮化硅陶瓷是一种新型功能陶瓷,它密度低,气孔率高,相对介电常数较小,抗腐蚀耐热性能良好,使用寿命长,且相对介电常数可以根据气孔率的多少进行调节,可在较大温度范围内正常使用,优异的性能使其在航天透波天线罩材料方面有很大的应用空间,是一种理想的新型高性能天线罩候选材料,已被广泛应用于航空航天,民用设备等领域。本文主要分析了多孔氮化硅结构陶瓷材料性能的影响因素。