全差分群时延可精确调节的四阶Bessel滤波器实现

采用全差分运算放大器、无源电阻以及用作可变电阻的MOS管设计实现了全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,在所提出的电路中通过调节工作在线性区的MOS管有源电阻的阻值以抵消集成电路制造工艺过程中电阻阻值的一致性偏差,达到Bessel滤波器的群时延值得到精确设计的目的.该滤波器中所采用的全差分运算放大器不仅具备有电压共模负反馈,而且还具有电流共模负反馈,极有利于电路静态工作点的稳定.通过无源双端RLC原型低通滤波器导出的0.75μs群时延四阶Bessel滤波器,采用台湾联电(UMC)2层多晶硅、2层金属(2P2M)、5.0V电源电压、0.5μm CMOS工艺制造,在输入信号为100kHz、2.5Vpp时,其谐波失真(THD)值低于-65dB.     

全差分群时延可精确调节的四阶Bessel滤波器实现

采用全差分运算放大器、无源电阻以及用作可变电阻的MOS管设计实现了全差分R MOSFET C四阶Bessel有源低通滤波器,在所提出的电路中通过调节工作在线性区的MOS管有源电阻的阻值以抵消集成电路制造工艺过程中电阻阻值的一致性偏差,达到Bessel滤波器的群时延值得到精确设计的目的.该滤波器中所采用的全差分运算放大器不仅具备有电压共模负反馈,而且还具有电流共模负反馈,极有利于电路静态工作点的稳定.通过无源双端RLC原型低通滤波器导出的0 75μs群时延四阶Bessel滤波器,采用台湾联电(UMC) 2层多晶硅、2层金属(2P2M )、5 0V电源电压、0 5μmCMOS工艺制     

可调频率跨导电容Chebyshev滤波器的设计及仿真

首先提出了一种新的跨导运放,其输入级采用了工作在线性区的MOS管作源极负反馈有源电阻实现其良好的线性度,输出级采用折叠式结构,并在电路中引入电压共模负反馈(CMFB)稳定其静态工作点。接着提出了一种新的利用开关电容技术调节跨导运放偏置电流值大小的电路,应用该电路可以精确调节跨导运放Gm值的大小,应用这些电路设计得到了四阶Chebyshev低通滤波器,并实现其频率的精确可调,0.35μm2层多晶硅,4层金属CMOS工艺Spicemodel仿真结果表明设计正确、有效。     

多输出端电流模式全差分积分器实现带通滤波器的方法及仿真

该文提出了利用低电压多输出端电流模式全差分积分器(MCDI)设计实现连续时间电流模式滤波器的方法.分析并模拟了MCDI及所提出的滤波器的特性,应用3.3V,0.5m,CMOS工艺参数仿真得到的二阶带通滤波器功耗仅为0.6mW左右,且其中心频率可在很宽的范围内调控.此外,这种滤波器还具有结构简单、对称性好、失真小等优点,适于全集成.     

群时延精确设计的全差分四阶Bessel滤波器

采用MOS管有源电阻,提出了一种全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,.通过调节工作于亚阈值区的CMOS管的沟道导纳补偿电阻值的大小,能抵消集成电路制造工艺中电阻值的一致偏差,实现Bessel有源滤波器群时延的精确设计.根据无源滤波器的状态方程完成有源滤波器的综合,应用3.3V,0.5μm CMOS工艺完成了群时延大小为0.75μs的四阶Bessel低通滤波器的管极计算机仿真,仿真结果表明所提电路正确有效,适于全集成.     

截止频率精确可调跨导电容滤波器实现

提出了一种新的利用开关电容技术调节偏置电流值大小的电路,应用该电路可以精确调节跨导运放Gm值的大小。采用既具有电压共模负反馈(CMFB)电路, 又同时具有工作在线性区的MOS管作源极反馈有源电阻, 实现其良好线性度的跨导运放。设计了三阶椭圆函数低通滤波器,并实现其频率的精确可调。应用台积电(TSMC)2层多晶硅,4层金属(2P4M),3.3V电源电压,0.35m CMOS工艺Spice model仿真得到的频响曲线与理想情况十分接近。     

4阶Chebyshev有源滤波器的设计与实现

提出了一种设计4阶Chebyshev有源滤波器的新方法。采用Pspice仿真软件对Chebyshev 4阶有源滤波器进行了仿真分析,结果表明该电路具有较高的稳定性。     

一种适用于医学领域的频率可调滤波器

本文提出了适用于医学领域的R-MOSFET-C滤波器,采用MOSFET代替传统RC有源滤波器中的电阻,实现可调、超低截止频率。该滤波器采用UMC 0.13 m CMOS工艺,电源电压为1.2V。仿真结果显示,当外部可调电压,即MOSFET的栅电压在0.6V到0.84V之间变化时,截止频率可随之在0.2Hz到292.8Hz之间变化。     

多输出端电流模式全差分积分器实现二阶带通滤波器

提出了用多输出端电流模式全差分积分器(MCDI)实现二阶带通滤波器的方法。分析了输入级为PMOS管的MCDI及所提出的滤波器的特性，由该类型积分器所构成的滤波器，不仅具有较高的信噪比性能，而且能达到通过调节积分器的偏置电流值的大小能使得其所构成的带通滤波器的中心频率可在很宽的范围内调控的目的。应用台积电(TSMC)2层多晶硅、4层金属(2P4M)混合信号(mixed-mode signal)3．3V电源电压、0．35μ m、CMOS工艺参数仿真得到的带通滤波器的功耗仅为0．28mW左右，仿真结果表明滤波器设计正确、有效。     

基于多输出端电流模式全差分积分器的梯形滤波器实现

本文提出了利用低电压多输出端电流模式全差分积分器（MCDI）综合连续时间电流模式滤波器的方法。首先对所设计的无源梯形滤波器用信号流图形（SFG）进行综合，然后用MCDI实现该SFG，分析并模拟了MCDI及所提出的滤波器的特性，应用3.3V、0.5μm、CMOS工艺参数仿真得到的1dB波纹四阶Chebyshev低通滤波器功耗仅为1mW左右，且其截止频率可在很宽的范围内调控，此外，这种滤波器还具有结构简单，对称性好，失真小等优点，适于全集成。     

Design of a tunable frequency CMOS fully differential fourth-order Chebyshev filter

A new fully differential amplifier and a fully differential R-MOSFET-C fourth-order Chebyshev active lowpass filter employing passive resistors and current-steering MOS transistors as variable resistors are proposed. The implementation relies on the tunability of current-steering MOS transistors operating in the triode region which counteract the deviation of resistors in integrated circuit manufacturing technology in order that the cutoff frequency of Chebyshev active filter can be realized accurately tunable. The amplifier is not only with voltage common-mode negative feedback (VCMFB), but also with current common-mode negative feedback (CCMFB), which will benefit for the stability of its DC operating point. A cutoff frequency of 138 kHz fourth-order Chebyshev lowpass filter was designed and fabricated using 3.3 V power supply and 0.35 μm CMOS technology. Chip test results demonstrate better than −68 dB THD with 70 kHz, 2.0V_pp signal, frequency turning range of more than 14,000 from 3 Hz to 420 kHz, chip area of 0.36 mm² and power consumption of 16 mW.     

差分式连续时间CMOS OTA-C双二阶滤波器

应用信号流图法，提出了一种新颖的差分式连续时间电压模式CMOS跨导-电害双二阶滤波器，系统地生成了各种差分式电压模式二阶滤波器；讨论了滤波器的极点特征参数与灵敏度；面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真．仿真结果表明所提出的电路方案正确有效．适于全集成。     

切比雪夫频率特性演示仪

滤波器是一种选频装置，即将一部分频率范围内的信号滤掉，而允许另一部分频率范围内的信号通过。本文通过Labview，组成切比雪夫滤波器。     

一种新型的0．5V全差分运放的设计

提出一种新型的工作在0．5V电源电压下两级低压全差分运放,该运放结构是带有共模反馈的密勒补偿运放,拥有更强的抗噪声能力和共模电源电压抑制能力,带宽更大,提高了系统的稳定性。输入信号由晶体管的栅极加入,这点与传统的电路结构相吻合,并采用衬底自偏置解决了阈值电压对电源电压降低的限制,更易于实现。该运放结构是基于SMIC0．18μm标准CMOS工艺,HSpice仿真结果表明,这种结构的开环增益可以达到76dB,单位增益带宽150MHz。     

一种降低高频噪声的前置全差分运算放大器

提出了一种降低高频噪声的前置全差分放大器.运放内部采用了两组偏置电路,一组用于单位增益缓冲器电路,一组用于放大电路.为了确保电路稳定性又不增加设计难度,将单位增益缓冲器电路与共模反馈回路结合起来.设计采用HHNEC 0.18μm BCD工艺,Cadence Spectre仿真表明,正常工作时共模反馈的环路增益84.93dB,单位增益带宽9.52MHz,相位裕度67.62°;启动时单位增益缓冲器电路的环路增益85.18dB,单位增益带宽8.93MHz,相位裕度67.2°;关断时,单位增益缓冲器电路的环路增益63.26dB,单位增益带宽2.28MHz,相位裕度88.66°.实测表明,设计降低了D类音频功放在开启和关断时的噪声.