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本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量范围。 相似文献
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磁控溅射Ge/Si多层膜X射线低角衍射界面结构分析 总被引:6,自引:1,他引:5
本文对磁控溅射不同结构的Ge/Si多层膜样品进行了X射线衍射的测试和分析,并进一步采用有过渡层的光学多层膜衍射模型对衍射谱进行了拟合;获得了扩散层厚度和分层厚度等多层膜的结构参数,定性讨论了多层膜中互扩散与分层厚度铁关系。计算结果与实验结果符合较好。 相似文献
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用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度 总被引:1,自引:0,他引:1
当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化。本文分析了在半导体薄片中的少子扩散长度、少子寿命及表面复合速度与上述微波传输系数的变化△T之间的关系,并通过测量半导体薄片的微波光电导谱计算这些参数。研究表明,可以从微波光电导谱中的△T的峰值位置直接算出少子扩散长度。这是一种无接触、无损伤的快速测试方法,测试区域是直径为3mm的一个圆斑,样品可以在测试台上自由移动。本方法的测试结果与其它方法所得的结果是较为一致的。 相似文献
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用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素. 相似文献
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用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。 相似文献
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本文根据Barlow提出的在TE(01n)模谐振腔上耦合一段截止波导构成复合腔的原理,首次在C波段对介质谐振器材料的介电性能进行了测量,并从理论上证明了该方法对相对介电系数有很高的测试灵敏度,本文给出了几种介质谐振器材料的测试结果,最后就样品厚度对测试精度的影响作了分析。 相似文献
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GaAs,AlxGa1—xAs外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测试 总被引:1,自引:0,他引:1
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的GaAs、AlxGa1-xAs外延层的微波光是导谱和横向磁阻,给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法,并且由此算得外延层的少子扩散长度和霍耳迁移度,本方法对波测样品的几何形状和尺寸无特殊要求,测试区域小于5×5mm^2,具有无损伤,不污染的优点,并配有微机控制,测试迅速方便。 相似文献
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用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的GaAs、AlxGa1-xAs外延层的微波光电导谱和横向磁阻,给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法,并且由此算得外延层的少于扩散长度和霍耳迁移率.本方法对被测样品的几何形状和尺寸无特殊要求,测试区域小于5×5mm2,具有无损伤、不污染的优点,并配有微机控制,测试迅速方便. 相似文献
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用复合谐振腔法测量介质谐振器的介电特性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文根据Barlow提出的在TE01a模谐振腔上耦合一段截止波导的构成复合腔的原理,首次在C波段地介质谐振器材料的介电性能进行了测量,并从理论上证明了该方法对相对介电系数有很高的测试灵敏度,本文给出了几种介质谐振器材料的测试结果,最后就样品厚度对测试精度的影响了分析。 相似文献
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计算了放射源在半导体中沿厚度方向的能量沉积,并以此计算β辐射伏特效应电池的理想短路电流。通过对比实测短路电流和理想短路电流可以得到β辐射伏特效应电池PN结内建电场的扩散长度。在上述基础上,本文给出了β辐射伏特效应电池内建电场厚度设计原则: 放射源在半导体中能量沉积厚度和PN结内建电场中载流子的扩散长度两者中较小的应作为β伏特效应电池内建电场厚度设计值,如果沉积厚度远远大于载流子扩散长度,则说明多结结构较适合该类β伏特效应电池果,多结的结数应约为沉积厚度与载流子扩散长度的比。 相似文献
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多层白色有机发光器件的结构和性能优化 总被引:1,自引:0,他引:1
以红、蓝、绿为基,制备了不同发光层组合次序的有机发光器件,研究了各发光层的顺序及厚度对器件性能的影响,并在此基础上构成了白色有机发光器件.通过改变关键发光层的厚度,来调节不同颜色之间的平衡,从而达到色度很好的向色;由于关键发光层的厚度很薄,因此得到的器件在高电压的色度漂移也很小.优化的白光器件在200 mA/cm2时,电流效率为3.78 cd/A,色坐标为x=0.345,y=0.323.根据激子产生和扩散理论,讨论了器件性能对于各发光层的厚度及激子扩散长度的依赖关系,拟合结果与实验结果吻合. 相似文献
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利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns.这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立. 相似文献
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用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响。本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素。 相似文献
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研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经1100℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大;在铸造多晶硅中,铁易在晶界上沉淀,沉淀规律也依赖于冷却速度.表面光电压仪测试结果表明:无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大.实验结果可以用铁沉淀生成的热力学和动力学规律解释. 相似文献