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通过合成镨叶绿素a(Pr-Chla)研究了稀土在叶绿素中的结合方式。Pr-Chla的紫外可见光谱(UV-Vis)、红外光谱(FTIR)证实镨离子已配位到叶绿素a的卟啉环上。其磁圆二色谱(MCD)Soret带具有双层夹心卟啉的特征结构;通过扩展X射线吸收精细结构谱(EXAFS),采用双层夹心结构模型拟合,确定了Pr周围的近邻结构。表明合成镨叶绿素a具有双层夹心结构。Pr(Ⅲ)夹于两个卟啉环之间,与上下卟啉环上共8个N原子配位,Pr-N键平均键长0.242nm。 相似文献
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三价镅—锔与镨—钕分离因数的关联及吡啶—2,6—二羧酸的配合… 总被引:1,自引:0,他引:1
综合了多种氨基多羧酸同镅、锔、镨、钕的配合物稳定常数,讨论了这种配体对镅-2及镨-钕的分离因数aAm^cm及aPr^Nd,证实了两之间也存在类似于α-羟基羧酸对这两对离子分离因数的同向升降趋势。据此,选择吡啶-2,6-二羧酸,测定了它与此四离子的配合物稳定常数,获得了以β2计的高达1.99的aAm^Cm值。 相似文献
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钼离子注入硅薄层硅化钼的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
用大束流密度的钼金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加,硅化钼生长,薄层硅化物的方块电阻Rs明显下降,当束流密度为0.5A/m^2时,Rs达到上值90Ω,说明连续的硅化物已经形成。X衍射分析结果表明,注入层中形成了3种硅化钼Mo3Si、Mo5Si3和MoSi2。经过900℃退火后,Rs下降至4Ω,电阻率可小到0.16μΩ.m,说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善。大束 相似文献
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本实验测定了双立方烷固氮模拟物(Et4N)4[Mo2Fe7S8(sph)12]的穆斯堡尔谱。它是由两组对称的四级分裂双峰叠加而成。实验数据用最小二乘法计算机程序拟合。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数(在16℃时)为:对于Fe1,δ=0.315±0.002mm/s,△EQ=0.691±0.002mm/s,线宽为0.304±0.002mm/s;对于Fe11,δ=0.972±0.002mm/s,△EQ=1.741±0.002mm/s,线宽为0.273±0.002mm/s。化学位移δ值是相对于α-Fe的。这两组四级分裂双峰的面积比约为6:1。由Fe1的位移和四极裂距可确定它是高自旋态,价态在+2至+3之间。利用四面体FeS4中铁原子的化学位移δ与价态s的经验公式δ=1.44-0.43s可得出Fe1的平均价态为高自旋+2.67价。从穆斯堡尔参数可确定Fe11属于高自旋+2价。由此可推论Mo为3+价。 相似文献
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自制一套^37Co源激发与K系X射线荧光(K-XRF)分析系统,用^37Co的keVγ射线激发工艺溶液中U,Pu的K系X射线荧光,用HPGe探测器-多道微机分析系统进行测量,并以122keVγ射线康昔顿散射线为内标,建立强度比-浓度校正曲线,快速同地测定了PWR乏燃料后处理工艺溶液中U,Pu浓度,测定范围为0.5-200g/L,精密度为5.0%-1.5%。方法适于PWR乏燃料后处理工艺中,U,Pu 相似文献
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采用Xe~+(300 keV)和Ar~+(90—120 keV)离子束,在室温下轰击双层型及多层膜样品,离子注量范围为1×10~(15)-1×10~(17)cm~(-2)。用俄歇电子能谱,X射线光电子能谱及卢瑟福背散射法分析成分的深度分布,并用透射电镜观察多层膜的结构。结果表明,体系中主要发生级联混合。对多层膜有Q∝φ1/2。而双层样品,则为Dt∝φ1/2。用Xe~+混合时,多层膜中部的混合显著多于两侧,与TRIM计算的能量沉积密度分布相符。多层膜混合后形成体心立方的β-Ti-Mo亚稳固溶体。碳、氧杂质对混合有显著的抑制作用,并在混合过程中重新分布。 相似文献
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钼离子注入奥氏体不锈钢引发亚结构的变化 总被引:2,自引:0,他引:2
用加速电压为50kV,剂量为2×10^17ions/cm^2的钼离子注入经1150℃固溶处理的奥氏体不锈钢中,利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了被注入材料的横截面样品,发现离子辐照引发被注入亚结构变化的深度远大于离子本身的注入深度,其亚结构为多种位错组成的复杂位错组态,这种亚结构会使被注入材料具发于加工硬化的效果。探讨了离子注入材料中由辐射引发的加工硬化现象,即所谓的“长程效应”的原因。 相似文献
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