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一种宽带低损耗表面波滤波器 总被引:2,自引:2,他引:0
阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带损耗声表面波滤波器方法,给出了理论计算方法和计算机模拟结果,最后给出制作中心频率为453MHz的声表面波滤波器实验结果,插入损耗为1.9dB,1dB带宽为6.66MHz远端带外抑制大于45dB。 相似文献
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本文从声表面波滤波器的基本原理出发,介绍了我们研制的低损耗声表面波滤波器,给出了实验结果,经实验证实有较好的频率特性。 相似文献
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一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级 相似文献
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本文论述了叉指换能器(IDT)模型对声表面波滤波器(SAWF)综合设计的影响;指出了现有综合设计方法共同存在的问题;并提出了一种新的设计思想和方法。该方法能将IDT的物理模型直接纳入SAWF综合设计之中,并能消除现有方法不可避免存在的器件实际响应与设计目标响应之间的偏离,提高SAWF的设计精度。 相似文献
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镜像阻抗连接叉指换能器制作低损耗声表面波滤波器浅探 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了镜像阻抗连接叉指换能器制作低损耗声表面波滤波器的基本原理,给出了研制的在同一种基片上采用不同的镜像阻抗连接叉指换能器制作的不同带宽的低损耗声表面波滤波器,并且可从结果中看到带内波动≤0.3dB。 相似文献
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本文介绍了设计声表面(SAW)低损耗滤波器的叉指换能器(IDT)结构的发展历程,分析了IDT的原理及利弊关系,给出了设计低损耗SAW滤波器用的压电基片参数。 相似文献
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低损耗声表面波滤波器用自然单向换能器 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了采用自然单向换能器制作的低损耗声表面波滤波器,介绍了自然单向换能器的基本原理和自然单向换能器用水晶基片的特性参数。最后给出了制作的中心频率为136MHz的声表面波滤波器的频率响应图。 相似文献
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单相单向换能器的低损耗SAW滤波器 总被引:1,自引:3,他引:1
概述了采用分布式反射的单相单向换能器及其设计,特别推荐了电极宽度控制的单相单向换能器,并报道了我们制作的几种低损耗滤波器结果。单级低损耗滤波器插入损耗为4.7~6.5dB,带外抑制达50dB。两级低损耗滤波器获得带外抑制近90dB,而插损仅为10dB。 相似文献
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GSM用低损耗声表面波滤波器的设计 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了双模声表面波滤波器(SAWF)的研究结果和设计的GSM用902.5HMz的SAWF,对双膜SAWF的基本原理和分析方法进行了描述,并给出理论模拟结果,对几个关键参数进行了比较计算,研究表明,双模SAWF具有低损耗,宽带的特性,较好地满足了GSM用902.5MHz的SAWF电性能要求。 相似文献
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从分析产生压电漏表面波(PLSAW)的材料和镜像阻抗连接耦合换能器型双通道低损耗结构入手,介绍了宽带低损耗声表面波滤波器的设计方法,在超高频段上,给出了一些我们的实验数据,得到了宽带低损耗、高阻带抑制的结果 相似文献
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王玉林 《固体电子学研究与进展》2006,26(4):481-484
介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。 相似文献
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报道了两种采用倒相换能器(PRT)结构设计的声表面波宽带延迟线,一种制作于石英材料之上,另一种制作于LiTaO_3基片之上,其相对带宽均大于22%。 相似文献