用于OLED的碳纳米管

首先,介绍了传统柔性有机发光二极管(FOLED)的基本结构及缺点.其次,对氧化铟锡(ITO)玻璃应用于FOLED生产的局限性进行了阐述.然后将碳纳米管(CNT)与ITO薄膜进行了对比,对碳纳米管应用于FOLED制备的可行性进行了分析,并对碳纳米管生产及器件的制备进行了说明.对碳纳米管的分类以及分离进行了简要阐述,着重分...     

OLED技术稳步前行

FPD(平板显示器)市场竞争日趋激烈,LCD(液晶显示器)逐渐替代CRT(阴极射线管)占据主要地位,其它众多的平板显示技术,诸如PDP(等离子显示屏)、OLED(有机发光二极管)等依据自身的优点,纷纷扩大销售量,分享平板显示器市场份额.     

镍/碳纳米管复合薄膜的制备及其性能的研究

结合电泳沉积碳纳米管和电镀金属镍的方法,在导电基片上成功制备了镍/碳纳米管复合薄膜.观察了薄膜的形貌和成份,测试了所制备的镍/碳纳米管复合薄膜的表面电阻和场发射特性,并与传统的电泳方法制备的碳纳米管薄膜进行了比较.实验结果表明,镍/碳纳米管复合薄膜表面碳纳米管大范围排布有序、密度可控;与传统电泳方法制备得到的碳纳米管薄膜相比,镍-碳纳米管复合薄膜具有更小的表面电阻和更好的场发射性能.镍层在薄膜中起到了固定碳纳米管、改善碳纳米管与基底以及碳纳米管与碳纳米管之间电接触的作用;由于镍在薄膜中含量较少(小于10%),薄膜整体仍体现出碳纳米管的优异性能.     

透明导电薄膜的研究进展

主要对目前国际上研究较多的几种透明导电薄膜,如金属膜、透明导电氧化物(TCO)薄膜(In2O3基、SnO2基、ZnO基及TiO2基薄膜)、p型材料及多层膜的性能、制备工艺、研究现状及最新进展进行了较为详细的阐述。介绍了一些较为特殊的透明导电薄膜材料。展望了透明导电薄膜未来的研究方向及发展前景。     

透明导电氧化物薄膜研究的新进展

透明导电氧化物(TCO)薄膜因其良好的光电性能,在光电器件上应用广泛,且已成为研究热点.p型TCO薄膜的出现开辟了透明导电氧化物研究的新领域,红外透明导电氧化物薄膜拓展了TCO薄膜的应用范围.该文综述了近几年p型TCO薄膜的研究进展,并简单介绍了新兴的红外透明导电氧化物薄膜的研究进展.     

透明导电氧化物薄膜的新进展

透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO2:F都已经发展成熟，分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年，TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期，研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2o3:Sn薄膜的趋势；多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求；具有高载流子迁移率的In2O3：Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路；真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。     

柔性透明导电薄膜ZAO

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注.柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构和光电特性.评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作做了展望.     

非晶IGZO透明导电薄膜的L-MBE制备

报道了一种利用等离子辅助激光分子束外延技术(L-MBE)在石英衬底上制备IGZO透明导电薄膜的新工艺.该工艺在超高真空中进行,可以有效避免杂质和污染,提高薄膜的纯度和光学、电学性能.通过优化生长时的气体离化功率,在300W射频功率下,得到光学电学性能优良的非晶态IGZO透明导电薄膜,其可见光范围内透过率超过80%,其室温电子迁移率高达16.14cm2v-1s-1,明显优于目前薄膜晶体管(TFT)中常用的非晶硅和有机物材料.测试结果表明,采用此工艺制备的非晶态IGZO透明导电薄膜,具有优良的光学、电学特性,能代替非晶硅和有机物,提高TFT-LCD的性能,实现真正的全透明、高亮度及柔性显示.     

透明导电薄膜的研究现状及应用

综述了当前透明导电薄膜的最新研究和应用状况，重点讨论了ITO膜的光电性能和当前的研究焦点。指出了目前需要进一步从材料选择、工艺参数制定、多层膜光学设计等方面来提高透明导电膜的综合性能，使其可见光平均透光率达到92%以上，从而满足高尖端技术的需要。     

掺Al ZnO柔性透明导电薄膜研究进展

柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状.介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构、光电特性、典型制备方法和应用前景.评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作进行了展望.     

有机电致发光二极管的透明阴极的研制

介绍了利用LaB6材料制作透明有机电致发光二极管(TransparentOrganicLightEmittingDiode，TOLED)的透明阴极的特性；研究了80～250nm膜厚的透明阴极的光谱特性——在可见光范围内的透过率，其透过率在40％～70％之间，并对LaB6材料制作的透明阴极与利用Mg：Ag合金和ITO制作的透明阴极的性能进行了比较。LaB6作阴极的TOLED更利于实现高分辨率的彩色显示。     

有机发光器件中空穴注入对负电容的影响

对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产生与OLED内部电场的分布有着密切的关系,负电容开始出现的频率与电压的平方根呈指数关系。与超薄的单层空穴注入层相比,掺杂的空穴注入层不仅能降低器件的驱动电压,而且其载流子传输特性和出现负电容时的初始电压对频率有着更强的依赖性。     

基于BAlq的有机电致发光器件的磁效应

研究了ITO/NPB(40nm)/BAlq(60nm)/BCP(5nm)/LiF(0.8nm)/AI有机电致发光器件(OLED)的磁效应.实验结果表明,磁场在10mT时,器件的效率最大增加了34%,这一结果是由于三线态激子与三线态激子间的相互淬灭产生激发单线态激子从而使单线态激子比率增加,致使电致发光(EL)增强.当磁...     

倒置型PLED的电致发光特性研究

提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。     

基于银纳米线的柔性透明电极的制备及性能研究

有机发光二极管(organic light emitting diodes, OLEDs)可以柔性制备,在未来的可穿戴应用上有广阔的发展前景,而柔性透明电极(flexible transparent electrode, FTE)的性能直接影响着柔性OLED的性能。本文基于银纳米线(AgNWs)和聚(3,4-乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)制备了FTE,并采用甲醇浸渍、氩等离子处理、紫外辐射3种不同的方式对该电极进行处理,优化FTE的光电性能。研究发现：甲醇浸渍,可减少AgNWs上聚合物的包覆;等离子体处理和紫外辐射,可对AgNWs进行焊接;而两种方式的协同作用则可以对FTE的光电性能进一步优化。实验获得最优FTE的方阻为14.18Ω/sq,在550 nm处的透过率可达到84%以上。经过500次弯曲测试后,FTE的方阻变化率低于15%。本文的工作对FTE的制备及优化提供了可行性方案。     

Carrier radiation distribution in organic light-emitting diodes

This paper is based on the analysis of white organic electroluminescent device electroluminescent spectrum to explain the regular pattern of carrier radiation distribution.It has proved electron that is injected from cathode is satisfied with the regularity of radiation distribution on the organic emitting layer.This radiation distribution is related to several factors,such as electron injection capabilities,applied electrical field intensity,carrier mobility,etc.The older instruction design is ITO/2-TNATA/NPB/ADN:DCJTB:TBPe/Alq3/cathode.Get to change electron injector capabilities through using different cathode and also find electroluminescent spectrum to produce significant changes.Simultaneously,electron radiation quantity has some limitation,and electroluminescent spectrum reflects that spectral intensity does not change anymore when the ratio of cathode dopant to a saturated state on the organic emitting layer.It also shows the same spectrum variational phenomenon while changing the applied electrical field intensity.To put forward of the carrier radiation distribution is good for organic light emitting diode (OLED) luminescence properties analysis and research.     

有机薄膜发光二极管失效过程的动态观察和分析

本文报道了利用带有ＣＣＤ摄像机的显微镜对由常用有机材料ＴＰＤ和Ａｌｑ３制备的有机薄膜发光二极管（ＯＬＥＤ）ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ及ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３;Ｒｕｂ／Ａｌｑ３／Ａｌ失效过程的动态观察,对于造成器件失效的主要原因－黑斑的产生和变化进行了描述和分析。     

Investigation of TDAPBs as hole‐transporting materials for organic light‐emitting devices (OLEDs)

The performance of organic light‐emitting devices (OLEDs) is strongly influenced by the electronic properties of the employed materials. In order to determine the effect of these materials' parameters, several different hole‐transporting 1,3,5‐tris(4‐diphenylaminophenyl)benzenes (TDAPBs) were synthesised. These TDAPBs contained different substituents, different numbers of substituents and different positions of theses substituents. For the evaluation of the electronic properties, cyclic voltammetry was employed in order to determine the HOMO values, and time‐of‐flight (TOF) measurements to obtain the hole mobilities. OLEDs were prepared consisting of the TDAPBs blended in a polymer matrix, and of Alq₃ as electron‐conducting and light‐emitting layer. These devices were investigated regarding their current density/voltage characteristics, efficiencies, onset voltages for electroluminescence, and lifetimes. For hole‐transporting blend systems an exponential relationship between the current density and the HOMO levels of the TDAPBs was found. However, even though the HOMO values cover a range from −5.09 to −5.35 eV, no effects on the performance of the OLEDs were detected for electroluminescent two‐layer systems. In this case the initial voltage seems to be a determining parameter for the behaviour of the devices during operation. Copyright © 1999 John Wiley & Sons, Ltd.     

界面过渡层对黄光OLED发光性能的影响研究

研究了黄光OLED发光层间加入界面过渡层对OLED发 光性能的影响。实验制备新型黄光OLED的发光层结构为 CBP:R-4B/CBP:Girl:R-4B/CBP:GIrl,对比OLED的发光层结构为CBP:10%R-4B/CBP:10%GIrl、CBP: 10%GIrl/CBP:10%GIrl10%R-4B/CBP:10%R-4B和CBP:10%GIrl/CBP:10%R-4B。结果表明,在对比器 件的发光层界面间加入过渡层可显著提高器件的发光亮度和发光效率,新型器件在13V电压 下、电流密度为40.29mA/cm²时,发光亮度和发光效率分别达到 了11120cd/m²与27.59cd/A,较未加入过渡层的器件分别提 高了265%56.18%。分析认为,过渡层的 加入消除了由不同发光层间严格的界面效应而造成的界面缺 陷,增加了载流子传输速率与激子的复合效率,从而提升了器件的发光性能。