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学习电路板维修并不只是单一的了解集成电路,而是要深入研究维修方法及各个功能模块。维修方法只是实现目的的一种手段,要想维修好电路板就必须要了解其功能模块。功能模块是由集成电路和相关元器件组合而成,通过研究集成电路的前后关系,便能知道此功能模块的作用。文章首先总结电路板的维修方法及故障分类,然后对测试系统电路板(DPS)的故障检修进行深入的研究,包括:绘制DPS板结构图,了解DPS板工作原理,深入研究DPS板各功能模块,其中包括逻辑控制单元、数模转换、电流采样、电流箝位,并对DPS板各功能模块的相应故障进行了详细的分析。 相似文献
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魏敏 《微电子学与计算机》2003,20(10):1-3
故障安全系统中的大部分设计是为了检测和发现故障,引导系统输出安全信息。在铁路信号发码器中采用了一种动态故障检测技术,它是一种针对硬件功能模块的故障检测方法,通过动态地向硬件功能模块加载已知输入数据,检查其是否在预期时刻输出预期数据,从而判断硬件功能模块本身是否工作正常。文章介绍了这种技术的模型,分析了它的性能,并描述了基于这种技术的铁路信号发码器的单片ASIC实现。 相似文献
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本文介绍了本地网管系统的网络概况,对故障判断方法进行了分析,详细阐述了基于Delphi的本地网管网元监测系统的设计原理和主要功能模块的实现方式。 相似文献
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在LMP为WDM作出的扩展中,对LMP的控制通道管理、链路属性关联、链路认证和故障管理等四大功能在光线路系统中的作用进行重新定义,并实现LMP功能模块. 相似文献
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针对电子设备的故障识别提出了一种基于性能退化数据的缓变故障预报方法,以不同层次的可观测功能模块为基本的故障预测和定位单位,利用信息熵的概念建立性能检测数据波动趋势的信息模型,对模块进行功能故障预测。试验表明:熵可以比较准确地指明功能电路的软故障与器件老化,对以替换现场可更换单元为主要手段的电子装备原位维修与应急维修有重要的现实意义。 相似文献
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以全自动生化分析仪主控软件盘转动控制软件单元为例,应用软件故障树分析法进行分析.该方法可以在设计的初期阶段对软件系统进行分析,找出关键的功能模块和可能的故障原园,从而在设计的过程中采取有效措施防止错误或故障的发生.结果表明该技术能将软件系统和控制系统很好地联系起来,从整体上考虑系统的故障问题,对分析仪软、硬件系统的可靠性设计具有良好的指导作用. 相似文献
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在电子设备的使用过程中,电路常常会出现故障,需要我们寻找故障所在。并排除故障。因此,掌握电路故障查找的方法比较重要。 相似文献
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模拟电路故障的存在,会严重影响电子设备的正常工作,模拟电路故障的发生,具有一定的特征和规律。对于电子电路故障的分析、诊断和测试,就是分析故障特点,准确查找故障。 相似文献
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电子技术的迅速发展,使集成电路的应用范围越来越广,几乎使用在所有的电子设备中.当集成电路出现故障时,电路将不能正常工作.因此,应准确的判断集成电路的故障所在. 相似文献
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为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。 相似文献
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由各种电子元器件组成单元电路,由许多个单元电路组成具有特定功能的电路系统就是电子设备。当整个系统不能正常工作时,或达不到其主要性能指标时,说明有的单元电路出现了故障,需要我们检测出故障所在。 相似文献
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电子设备的故障及其规律分析 总被引:1,自引:0,他引:1
电子设备故障发生的频率,与使用时间的关系,从宏观来看,具有一定的统计规律性,其故障规律是一个非线性曲线.本文分析了电子设备的故障及其规律. 相似文献
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燃速与辐射通量之间的关系可以由两支相交直线构成的线性方程进行描述,其中折点(交点)是外界辐射能作用下固体双基推进剂燃烧的一个重要特征。包括折点附近在内的燃烧特性可以采用Fourier方程进行分析。考虑到辐射在燃烧表面上形成的碳化层对辐射传递的阻碍作用,本文分析了1040,1041,N-5和N型推进剂的燃烧特性。导致两段函数和折点形成的主要原因是在辐射能到达凝聚相表面之前部分辐射能已经发生了损失。 相似文献
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《Electron Devices, IEEE Transactions on》1976,23(9):1016-1023
A theoretical investigation of the avalanche breakdown characteristics of punchthrough diodes is carried out and a comparison made with the nonpunchthrough diodes. It is shown that the former have harder breakdown characteristics and a sharper knee for a given breakdown voltage. In addition, punchthrough diodes have a lower temperature coefficient of breakdown voltage, a lower space-charge resistance, a negligible sensitivity of breakdown voltage to resistivity striations in single crystal wafers, and breakdown due to avalanche mechanism up to lower breakdown voltages. Though these positive features suggest that punchthrough diodes are superior in performance to nonpunchthrough diodes for applications such as voltage regulators etc., the final assessment will depend on a more critical evaluation of the reliability against burn out and instability. 相似文献
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