GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析

在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁殉增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明：用ＭＥＥ方法生长 材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡｓ（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

碳掺杂GaAs的MBE生长

本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层。获得了空穴浓度从４×１０１４ｃｍ－３到２×１０１９ｃｍ－３的ＧａＡｓ材料。用霍尔效应测量仪、电化学ＣＶ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程。结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＶ族化合物半导体的极好的ｐ型掺杂剂。     

分子束外延生长室内晶片生长过程中真空度的测量

分子束外延生长室内晶片生长过程中真空度的测量张伯文（复旦大学）ＶａｃｕｕｍＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｄｕｒｉｎｇｔｈｅＰｒｏｃｅｓｓｏｆＣｒｙｓｔａｌＣｈｉｐＧｒｏｗｔｈｉｎｔｈｅＧｒｏｗｔｈＣｈａｍｂｅｒｏｆＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ￥Ｚ...     

浅论商品销售包装开发的几个问题

浅论商品销售包装开发的几个问题诸鸿ＡＢＲＩＥＦＡＮＡＬＹＳＩＳＯＮＴＨＥＳＡＬＥＳＰＡＣＫＡＧＩＮＧＯＦＣＯＭＭＯＤＩＴＩＥＳ￥ＺｈｕＨｏｎｇＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｓａｌｅｓｐａｃｋａｇｉｎｇｏｆｃｏｍｍｏｄｉｔｉｅｓ，ａｓａｎｙｏｔｈｅｒｔｈｉｎｇ，ｎ...     

GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

Study on Fault Dictionary

ＳｔｕｄｙｏｎＦａｕｌｔＤｉｃｔｉｏｎａｒｙＬｉＢａｏｗｅｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌＦａｃｕｌｔｙｏｆＭａｉｎｔｅｎａｎｃｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＧｕａｎｇｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＧｕａｎｇｚｈｏｕ，５１００９１，Ｐ．Ｒ．ＣｈｉｎａＡｂｓｔｒａ...     

GaAs功率场效应管失效中源——漏烧毁现象的SEM／SAM研究

采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧     

GaAs功率场效应管失效中源一漏烧毁现象的SEM／SAM研究

采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧毁源、漏条部位表面化学元素有Ｃ、Ｏ、Ｔｉ、Ｎ和Ｇａ，其中Ｃ、Ｏ在表层几十纳米深度内均有相当高的含量。结合分析结果，讨论了源－漏烧毁的物理机理。     

用电诱导液相外延法制备铝组分稳定的高铝值镓铝砷外延层

本文对用于制造高效率半导体发光器件的材料──Ｇａ_（１－ｘ）Ａｌ_ｘＡｓ（ｘ＝０．７５）外延层沿生长方向上铝组分的分布进行了详细地讨论。采用电液相外延法能获得铝组分高度稳定的Ｇａ_（１－ｘ）Ａｌ_ｘＡｓ外延层，并用电流诱导效应作了初步理论解释。     

气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用

本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。     

Editorial and Advisory Boards of“NEW CARBON MATERIALS”

ＣｈｉｅｆＨｏｎｏｒａｒｙＡｄｖｉｓｏｒｓＳＨＩＣｈａｎｇ ｘｕ(Ｂｅｉｊｉｎｇ ,Ｃｈｉｎａ)　　　　　　　Ｍ .Ｓ .Ｄｒｅｓｓｅｌｈａｕｓ(Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ,Ｕ .Ｓ .Ａ)　　　　　Ｍ .Ｉｎａｇａｋｉ(Ｓａｐｐｏｒｏ ,Ｊａｐａｎ)Ｅｄｉｔｏｒｓ ｉｎ ＣｈｉｅｆＬＩＮＧＬｉ ｃｈｅｎｇ(Ｔａｉｙｕａｎ ,Ｃｈｉｎａ)　　　　　　ＣＨＥＮＧＨｕｉ ｍｉｎｇ(Ｓｈｅｎｙａｎｇ ,Ｃｈｉｎａ)ＶｉｃｅＥｄｉｔｏｒｓ ｉｎ ＣｈｉｅｆＫＡＮＧＦｅｉ ｙｕ(Ｂｅｉｊｉｎｇ ,Ｃｈｉｎａ)　　　　　　　Ｔｓｅ ＨａｏＫｏ(Ｔａ…     

用电诱导液相外延法制备铝组分稳定的高铝值镓铝砷外延层

本文对用于制造高效率半导体发光器件的材料－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７５）外延层沿生长方向上铝组分的分布进行了详细讨论。采用电液相外延法能获得铝组分高度稳定的Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ外延层，并用电流诱导效应作了初步理论解释。     

微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅰ．直流烧毁

用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究，探讨了直流烧毁机理及物理过程。     

p^＋—GaInAsSb／p—GaInAsSb／n—GaSb异质结红外探测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱，红外吸收谱，Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。     

ERGONOMICS Volume8 2002 Number1～4

ＣＯＮＴＥＮＴＳ　ＩＮ　ＢＲＩＥＦＭａｎ Ｍａｃｈｉｎｅ ＥｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＥｖａｌｕａｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅＴｈｅｒｍａｌＥｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔＺＨＡＯＣｈａｏ ｙｉ,ＤＩＮＧＹｕ ｌａｎ　 1　 1…………………………………………………………………………ＴｈｅＴｉｍｅＩｎｔｅｒｆａｃｅｏｆＴＨＥＲＰ +ＨＣＲＭｏｄｅｌＨＵＡＮＧＳｈｕ ｄｏｎｇ ,ＺＨＡＮＧＬｉ　 1　 5…………………………………………………………………………ＥｘｐｌｏｒａｔｏｒｙＡｐｐｌｙｉｎｇｏｆＰｓ…