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相似文献
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1.
利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜。利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定PZT薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程。PbTiO3过渡层保证了PZT薄膜结晶完好。  相似文献   

2.
用溶胶凝胶法制备PZT铁电体薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文选择非极性溶剂AcAc在大气中保护金属醇盐制备钛锆酸铅(PZT)铁电体薄膜,当PZT〈0.5mol/L时可生成稳定溶胶,PZT能均匀分散在溶剂中,在400℃除去残余有机物,然后在400 ̄700℃使薄膜晶化生成钙钛矿结构为主的多晶薄膜。本文利用XRD、TEM、IR及热分析技术对PZT薄膜的形成及晶化等变化进行了分析和探讨。  相似文献   

3.
溶胶—凝胶方法制备铁电薄膜及其力学性质的研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
本文介绍用溶胶-凝胶方法制备钛酸铅镧(PLT)铁电膜,采用划痕法测定PLT膜在Si基片上的附着力,并通过x射线衍射(XRD)测定在各种工艺条件下PLT薄膜的晶格畸变,并计算内应力。实验表明溶胶-凝胶方法的工艺因素对薄膜的力学性质有很大影响。通过控制溶液浓度,热处理温度及薄膜的厚度可得到附着力强,内应力小,品格畸变小的优质膜。  相似文献   

4.
赵新伟  裴志斌 《材料工程》1994,(7):24-26,31
介绍了溶胶-凝胶技术制备铁电薄膜的基本原理,工艺过程及工艺特点,综述了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的最新进展。  相似文献   

5.
用溶胶—凝胶法制备SiO2薄膜   总被引:4,自引:0,他引:4  
  相似文献   

6.
溶胶—凝胶方法制备PZT铁电薄膜材料的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
饶韫华  刘梅冬 《功能材料》1994,25(6):539-541
  相似文献   

7.
溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
刘梅冬  李楚容 《功能材料》1997,28(3):297-299
采用溶胶-凝胶技术在Si单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Bi4Ti3O12x铁电薄膜,讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响,X射线衍射分析表明,经700℃和700℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Bi4Ti3O12多晶薄膜,该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Pr=5μC/cm^2,矫顽场Ec=130kV/cm。  相似文献   

8.
溶胶—凝胶法制备MoO3陶瓷薄膜   总被引:4,自引:1,他引:3  
以钼酸铵为原料,乙二醇为溶剂,用溶胶-凝胶法制备MoO3薄膜,通过对干凝胶粉做DTA和TG分析,用SEM和XRD分析胶膜,热处理后氧化物膜多次重复浸涂热处理薄膜的显微结构和晶相组成,研究了氧化物薄膜的形成过程,重复4次浸涂热处理可得到的约2μm厚连续臻密的,主晶相为择优取向的斜方MoO3薄膜。  相似文献   

9.
水相溶胶—凝胶法制备电变色TiO2薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用水相sol-gel法制备了TiO2薄膜,以TG,DTA,FTIR,XRD和SEM等方法研究了成膜过程中薄膜的结构变化,经350-450℃处理的薄膜为锐钛矿相结构 ,「204」择优取向。经一次旋涂所得的薄膜在150℃处理1h后,厚度为50nm;在循环伏安特性测试中,其注入/抽出电荷容量分别为4.78,2.52mC=cm^2。  相似文献   

10.
裴志斌  田长生 《材料工程》1997,(2):15-17,45
用红外光谱研究了溶胶-凝胶法制备PLT铁电陶瓷薄膜的成胶机理,研究了前体溶液的稳定性及多次覆膜工艺。  相似文献   

11.
溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜材料的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了用sol-gel方法制备PZT铁电薄膜的工艺,并指出采用快速热处理工艺能有效地防止薄膜开裂。比较了用3种不同锆盐原料制备的PZT薄膜的性能。实验结果表明,用无机盐硝酸锆制备的PZT铁电薄膜的性能最好。  相似文献   

12.
本文较系统地研究了溶胶-凝胶方法制备KTa0.65Nb0.35O3薄膜的凝胶化行为和热处理。用自制的金属醇盐KOC2H5、Nb(OC2H5)5和Ta(OC2H5)5为原料,无水乙醇作溶剂,配制均匀的溶液。实验结果表明,溶液浓度、介质或催化剂的使用、匀胶时的环境温度和湿度及单层膜厚等因素凝胶薄膜的形成有较大影响。条件适宜时可得到与衬底附着紧固的均匀透明的凝胶薄膜。随着热处理温度升高,薄膜首先从非晶态  相似文献   

13.
Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了用溶胶-凝胶方法制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,在900℃,30min退炎条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。  相似文献   

14.
溶胶—凝胶法制备BaTiO3薄膜的介电性质的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
以正丁醇钛和钡为主要原料,采用溶胶-凝胶法在铂基底上制备了BaTiO3薄膜。用TG-DTA和XRD分析了该薄膜形成过程和结构。研究了薄膜厚度、温度和频率对薄膜的介电性质的影响。结果表明,在室温,1kHz下,薄膜的介电常数ε’为760,介电损耗为0.017。  相似文献   

15.
溶胶—凝胶法制备BaTiO3系薄膜   总被引:12,自引:0,他引:12  
龚健 《功能材料》1998,29(4):348-352
本文介绍了溶胶-凝胶法制备钛酸钡系薄膜。  相似文献   

16.
So1—Ge1法制备氧化镍电致变色薄膜研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
郭薇  谢中维 《功能材料》2000,31(6):639-641
以镍的醇盐为前驱体并加入催化剂和各种添加剂制茂涂膜溶液,采用浸涂-提拉法(dip-coating)制备NiOx电致变色膜。讨论了先体胶液的性质、热处理制度及变色参数对薄膜表面微观结构和变色性能的影响。  相似文献   

17.
钛酸钡铁电陶瓷和薄膜的溶胶凝胶法制备及表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文通过对近年来有关利用溶胶凝胶法制备钛酸钡陶瓷材料研究的总结,对制造钛酸钡陶瓷和薄膜的原材料以及工艺过程给予了比较详细地分析和总结,并讨论了有关钛酸钡陶瓷和薄膜的表征问题。  相似文献   

18.
溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜的结构特征研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用溶胶-凝胶方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了光滑均匀的PZT(50/50)铁电薄膜。用XRD、FT-IR反射光谱、Raman光谱以及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜随热处理温度的结构变化过程以及薄膜中有机物的挥发。Raman光谱给出了薄膜中三方和四方相共存及转变的结构变化信息。AFM揭示了PZT薄膜中钙铁矿相的形成是从焦绿石结构中转变而来的,其生长机制可用Rosettes生长模型来解释。薄膜中相交约120°交角的3条延伸的界面线则是为了释放薄膜中的应力而产生的。  相似文献   

19.
本文报道了用溶胶-凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能,研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力,胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明,在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶,而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解-凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响,随Ce/Ti比增大,浸涂液的成膜能力变坏,而薄膜的紫外吸收增大。  相似文献   

20.
溶胶—凝胶法合成NiO薄膜材料的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
  相似文献   

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