锆—钛陶瓷的研制

前言锆—钛陶瓷作为一种新型陶瓷材料,目前在一些科研单位已被广泛使用来作为“靶材”,从而制得各色光学薄膜。这种陶瓷材料应致密均匀,且较容易地被电子束轰击,蒸发溅射。要求其含杂量小于0.20％,外观平整,无其它染色污染,均匀一致,要求TiO_2和ZrO_2重量百分比为1∶1。     

锆钛酸铅陶瓷的烧结研究进展

综述了国内外锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的烧结研究进展，介绍了各国研究者为获得烧结致密、性能优良的PZT陶瓷所采取的各种措施，并展望了其发展方向。     

PZT薄膜的MOD制备及形成机理研究

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）工艺在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）薄膜。ＸＲＤ分析显示薄结晶状态良好,无焦绿石相存在。ＡＥＳ测量表明：薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅。分析了薄膜的形成机理,安性地解释了晶粒的生长过程。     

金属有机物热分解法合成的PZT纳米晶粉末的表征

以醋酸铅、庚酸氧锆和钛酸丁酯为原料,采用金属有机物热分解法成功地制备了ＰＺＴ钠米晶粉末,并通过ＸＲＤ,ＦＴＩＲ,ＤＴＡ,Ｒａｍａｎ,ＴＥＭ等方法对钠米粉末的结构进行了表征。粉末粒径为２０－４０ｎｍ,大小均匀,颗粒呈球形,且分散性好。研究结果显示,金属有机物热分解法是制备ＰＺＴ或其它纳米粉末的一种很有前途的方法。     

锆元素不同掺杂方式对钛酸钡陶瓷介电性能的影响

研究了锆元素不同掺杂方式对钛酸钡陶瓷介电性能的影响.采用固相法制备出掺杂比例为1mol%的zrO<,2>-BaO和ZrO<,2>两种掺杂方式的钛酸钡陶瓷样品,对其进行多方面的表征.实验结果表明.ZrO<,2>-BaO掺杂与ZrO<,2>掺杂的钛酸钡晶格常数、介电性能会发生不同的变化,这是由锆元素不同掺杂情况对钛酸钡的作...     

PZT二元系压电陶瓷的掺杂改性

锆钛酸铅系的压电陶瓷应用较广泛，不同的用途对材料性能的要求不同，因此必须寻找获得不同性能的途径。本文叙述了材料组成的改变和添加物的加入对材料性能的影响。其中着重就掺杂改性作了一些研究和探讨。通过实验总结出等价离子和不等价离子置换Ｐｂ＾２＋引起材料性能改变的一般规律，其中不等价离子包括“硬性”添加物和“软性”添加物，以及其它一些添加物。同时实验还表明，单独加入一种添加物往往不能满足性能的要求。为了取     

掺杂对PZT压电陶瓷的影响及研究进展

在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备的基础上,总结出生产掺杂PZT材料的最佳掺杂条件,以及配方对压电陶瓷性能的影响,只要工艺合适,性能完全能再提高,对压电陶瓷材料的发展趋势进行了展望。     

碳化锆陶瓷有机前驱体的热解过程

合成了碳化锆陶瓷有机前驱体,研究了其在热解过程中化学成分和物相组成变化,探讨了从有机高分子向无机陶瓷转化的机理,对碳热还原反应进行了热力学分析。结果表明,前驱体在600℃以下完成了有机结构的断裂、裂解碎片的重排与挥发,600℃以上裂解产物不再具备有机特征;随热解温度升高,无定型碳和单斜相ZrO2逐渐生成,大于1200℃时可检测到立方相ZrC,1400℃时单斜相ZrO2基本消失;1500℃时完成碳热还原反应,在远低于热力学反应温度的条件下生成了高度结晶的纳米尺寸的立方相碳化锆陶瓷。     

压电报警器PZT压电陶瓷的制备研究

本文采用传统的固相法制备PZT二元系压电陶瓷。研究了掺杂不同含量为0.1%,0.15%,0.2%,0.25%,0.3%和0.35%的MnO_2和CeO_2对PZT压电陶瓷的结构、介电性能、压电性能和介电损耗的影响。并对其微观组织进行了研究。当锰的掺杂量为0.15%时,压电陶瓷的性能得到最佳的优化:tgδ=0.0095;kp=0.634p C/N;d33=611;ε=2523。铈的掺杂使陶瓷的烧结温度升高,当铈的掺杂量为0.15%时,压电陶瓷的性能也得到了最佳的优化:tgδ=0.017;kp=0.623;d33=563p C/N,ε=3310。在原配方材料的基础上压电常数和机电耦合系数都有所增加。这对压电报警器的声压的提高、体积的减小有着重要的意义。     

锆刚玉—莫来石泡沫陶瓷过滤器的研究及应用

以氧化铝粉和锆英石粉为原料，通过反应烧结制成了锆刚玉－莫来石泡沫陶瓷过滤器，研究了锆英石对抗弯强放抗热震性的影响，对球墨铸铁和铸钢的过滤试验结果表明，过滤后的夹杂物减少，冲击韧性明显提高。     

PZT压电陶瓷表面化学镀Ni-P配方优化研究

制备了在PZT压电陶瓷表面进行化学镀Ni-P样品,通过分析比较化学镀Ni-P镀液成分对施镀镀层的沉积速率、结合强度、耐蚀性和形貌等镀层性能的影响,研究获得较优化的镀液配方。     

PZT压电陶瓷与TC4合金钎焊连接界面结构设计

压电陶瓷由于具有逆压电效应被应用于超声电机的制造中,为克服超声电机制造过程中采用有机物粘接方式出现的接头导电性差、易老化和连接精度低等问题,本工作采用磁控溅射方式对 PZT 压电陶瓷进行表面金属化以提高 PZT 压电陶瓷与 TC4 钛合金之间的焊接性并探究了不同金属化层对钎焊接头微观组织的影响。结果表明：Ag 与母材之间的结合力较差,未焊合位置出现于 Ag 层与母材的结合处。当使用 Ti/Ag 作为金属化层时,由于 Ag 与 Ti 的结合力较差,未焊合易出现于 Ti 与Ag 的结合处。当金属化层为 Ni/Ag 时,Ni 可与钎料形成 Ni—Sn 层,提高接头的连接可靠性。最终确定母材表面金属化层选用复合金属层即母材/Ti/Ni/Ag 结构,并对该连接接头典型微观组织进行了分析。结果表明,该复合金属层可提高金属化层与母材之间的结合力并实现 PZT 陶瓷母材与 TC4 合金之间的有效连接。连接界面微观组织结构为 β-Sn/Ag₃Sn/β-Sn+Ni₃Sn₄/Ni₃Sn+Ni/Ti₂...     

锆钛酸铅PZT压电陶瓷的制备及其性能研究

以具有优良压电性能的二元系固溶体锆钛酸铅(PZT)材料为研究对象,以其制备工艺、结构和性能作为主要研究内容,通过高温固相烧结方法对PZT的合成规律进行了研究,使用XRD谱、Raman谱结构表征手段和XPS、热膨胀、介电测量等物性测试技术研究了它们的晶体结构、晶粒尺寸与性能的关系,以及合成条件对铁电材料的微观结构和性能的影响。     

以硝酸氧锆为锆源溶胶-凝胶合成PZT纳米晶的研究

以硝酸氧锆,钛酸四丁酯,醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶－凝胶技术,难过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状ＰＺＴ纳米晶（Ｚｒ／Ｔｉ＝５２／４８）实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧锆能很好地溶于乙二醇,通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶,凝胶形成的机理,通过Ｘ射线衍射分析,热重及差热分析,透射电镜显微镜分析对凝胶到ＰＺＴ纳米晶的形成过程及粉体性能进行了表征,实验证明     

极性微晶玻璃的结构与热释电性能研究

采用高温熔融方法制备了Ba2-xSrxTiSi2O8 (简称BSTS)非铁电极性微晶玻璃.用 XRD和SEM分析了其取向生长的结构特性.BSTS微晶玻璃使用温度高,不易老化,抗磁电干扰,同时具有较大的热释电电压及探测率优值因子,分别为0.27m2·C-1和10-5 Pa-1/2,其非制冷热释电探测器探测率D·(500,80,1)为1.5×107cm·Hz·W-1,适合于热释电探测器方面应用.     

ICP-AES法同时测定陶瓷样品中镁钙铁铝钛锆的研究

采用高频熔样，电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP—AES)法实现了对陶瓷中的Mg、Ca、Fe、Al、Ti和Zr的同时测定。对影响其光谱测量的各种因素进行了较为详细的研究，确定了实验的最佳测定条件。结果表明，该方法的检出限为0．008-0．255μg/mL，回收率为95．14％-107．72％，RSD小于3．40％。该法准确、快速、简便，应用于陶瓷的测定，结果满意。     

激励方式对锆钛酸铅钡锶压电陶瓷介电性能的影响

采用扎膜工艺和固相反应法制备了(Pb0.70Ba0.26Sr0.04)(Zr0.52Ti0.48)O3(PBSZT)压电陶瓷。通过扫描电子显微镜和X射线衍射表征PBSZT陶瓷的结构和物相组成,用电容介损测试仪表征压电陶瓷的介电性能与激励场强,通过自建电路集成直流电源、标准电容,在低频频率特性测试仪上得到偏场强度对压电陶瓷介电性能的影响关系。结果表明:压电陶瓷材料的介电性能随着加载的电场强度的增大先逐渐升高,而后出现拐点开始降低;在偏压电场中,自由电容CT随正向偏场强度的增加逐渐减小,但随着反向偏场强度的增加逐渐增大。tanδ则随着正、反偏场强度的增加均呈现上升;压电陶瓷的机电耦合系数kp与偏场强度的关系是以0点为界,随着负偏场增强,kp略显下降,反之,随正偏场增强,kp缓慢增大。因此,压电陶瓷应用时应避开强场损耗高点;并在环境中施加正向偏场,有助于抑制压电陶瓷性能衰减。