一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路

提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35 μm 5 V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64 μm×136 μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53 V;电源电压在3.4~5.5 V范围内,线性调整率为97.8 μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2 dB,在100 Hz处为-123.3 dB,在1 kHz处为103.3 dB;环境温度在-45 ℃~125 ℃范围内,平均温度系数为8.7×10-6/℃。     

锂离子电池充电器中基准源的设计

分析了双极型和CMOS型基准电压源的特点，在此基础上提出了一种新型的BI-CMOS基准电压源，并对他的工作原理进行了分析．     

带隙电压基准源的设计与分析

介绍了基准源的发展和基本工作原理以及目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结构的基准源电路,重点对自启动电路及放大电路部分进行了分析,得到并分析了输出电压与温度的关系。文中对带隙电压基准源的设计与分析,可以为电压基准源相关的设计人员提供参考。可以为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压,也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。     

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

设计一款应用于电压调整器（LDO）的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。     

基准电压源电路REF19X系列

基准电压源电路是常用的器件，常用于数字仪表的ADC电路、数据采集系统、工业过程控制、测试设备及便携式中作小电流输出的电源等。美国模拟器件公司（ADI）开发的一种通用基准电压源REF19X系列电路与传统的基准电压不同之处是有睡眠模式，并且具有精密、微功耗、输出电流大、压差低的特点。该系列的输出电压从2．048V～5．00V有7个品种、3种封装、可满足各种电路对基准电压的需要。     

精密基准电压源LM399系列

精密基准电压源ＬＭ３９９系列是迄今为止同类产品中温度系数最低的器件，内部有恒温电路，可保证器件的长期稳定性，本文主要介绍了该系列基准电压源的结构原理和性能特点，并简要说明了应用方法。     

高电源电压抑制比基准电压源的设计

在此通过对带隙基准电压源电路进行建模分析,针对逆变电路的中低频使用环境,设计了一个应用于高压逆变器电路中的高电源电压抑制比,低温度系数的带隙基准电压源。该电路采用1μm,700 V高压CMOS工艺,在5 V供电电压的基础上,采用一阶温度补偿,并通过设计高开环增益共源共栅两级放大器来提高电源电压抑制比,同时使用宽幅镜像电流偏置解决因共源共栅引起的输出摆幅变小的问题。基准电压源正常输出电压为2.394 V,温度系数为8 ppm/℃,中低频电压抑制比均可达到-112 dB。     

一种0.18 μm CMOS 1.0V高精度电压基准源

在此基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。该基准源的供电电源电压为1.8 V,输出电压为1.0 V,电路的总电流小于5μA。在-40~80℃范围内的温度系数为5.7 ppm/℃。当频率在100 k Hz以内时,电源抑制比始终保持在-75 d B以下。该基准电压源具有低功耗、低温度系数、高电源抑制的特性,能够很好地应用于低压供电的集成电路设计中。     

基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计

设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5μmCMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明,在3.3V条件下,在-20～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6ppm/℃和37.8ppm/℃,直流时的电源抑制比为-68dB,基准源电路的供电电压范围为2.2～4.5V。     

基于简洁电阻网络的高精度基准电压源设计

随着生产工艺的不断进步和芯片复杂度的增加,系统级芯片对稳压源精度、稳压值多样化、稳压源版图面积的要求越来越高。在充分考虑工艺误差的前提下,设计了一款基于1.5μm 36V双极工艺的可调基准电压源。该电压源在传统二管能隙基准源的基础上进行改进,增加了一个新型可调电阻网络,从而缩减了版图面积、降低了功耗。流片后带隙电压的精度能保证在0.8%,温度系数为1.8×10-5/℃,并可根据需要在大于1.205V、小于VCC的电压范围内调节基准电压值。     

软件可编程电压基准

由于多种原因．设计师们经常发现．他们的创新需要更多的电源电压。例如，一个由±2．5V电源供电的系统突然需要高精度的-1．4V基准，用于信号电平移位电路．并需要2．1V基准来驱动ADC。相应选择包括添加一对运算放大器和电阻器来使系统的电信号电平移位并缓冲，或添加几个DAC。运算放大器电路缺乏可编程能力来适应设计变化．并且，虽然DAC提供可编程能力，但它们的设定是易失性的．并且输出一般是单极性的，并缺乏驱动能力。     

一种高精度CMOS能隙基准电压源

设计了一种采用0．6μm CMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源。它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15ppm／℃,输出电压变化率仅为18μV／V。     

低温漂的基准电压源的研究

本文介绍了一种采用0．35微米CMOS工艺制作的一种低温漂的能隙基准电压源电路．电路的供电电源是5V．输出基准电压的典型值为2．5V．电路典型功耗为1．02mW，它具有低的温度漂移系数．在-45℃-＋90℃典型值优于4ppm/℃．高的交流电源抑制比．在较宽的频率范围内优于-51．4db．电源在4．75V-5．25V的范围内的直流电源抑制比为400ppm／V．版图面积典型值为0．786mm^2。     

一种用于Buck变换器的带隙基准电压源

本文提出了一种用于Buck变换器的带隙基准电压源,该电路结构简单,性能可靠,可移植性好。当温度在-40℃~125℃范围内变化时,基准电压的典型温度系数为7.3ppm/℃。本设计采用0.6μm HVCD工艺进行仿真验证,Hspice仿真结果表明该带隙基准电压源能够满足Buck变换器系统的需求。     

几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计

本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源.在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压-电流转换电路获得稳定的基准电流.HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004.     

建立一个精密的双极性电压基准

脉冲发生器经常需要有精确滞后值的电压比较器,而这类比较器需要双极性电压基准。大多数电压基准IC均是以其低侧电源轨为基准。如果你的电路用正负两种电压,可以在一个IC基准的输出端接一个-1增益的转换器,就能获得负的基准电压。但如果你的模拟电路采用的是单一电源,就必须将共模电压转换到一个特殊电平上。图1中的电路可以用来完成这...     

基准电压源

基准电压源或电压参考（Voltage Xeference）通常是指在电路中用作电压基准的高稳定度的电压源。随着集成电路规模的不断增大。尤其是系统集成技术（soc）的发展，它也成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。     

基于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的低温漂的低压带隙基准电路.提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿.在0.5 μm CMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证.仿真结果表明,在3.3 V条件下,...     

低功耗高精度基准源研究综述

本文介绍了基准源电路的发展脉络及研究进展.按照电路功能进行分类,基准源可以分为基准电压源和基准电流源.对于基准电压源,分别对于带隙基准源、混合基准源和CMOS基准源三个类别的发展历程及最新研究成果进行了总结和讨论;分析了这些电路在降低功耗、提高精度方面的创新之处、优点和存在的问题.对于基准电流源,主要讨论了电流直接补偿以及由电压源得到电流源两种设计方法.基于以上讨论,对于基准源未来的发展前景进行了展望.     

一种采用曲率补偿技术的高精度能隙基准电压源

在传统能隙电压基准的基础上,对其进行了改进,设计了一种采用曲率补偿技术的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于脉宽调制电路。在CADAENCE的HSPICE仿真工具下进行仿真可得温度在-55℃~125℃变化时,其输出电压变化率为20 ppm/℃;电源电压在7~40 V变化时,其输出电压变化量为1 mV。经流片测试,完全能够满足PWM对基准的要求。