作光参量振荡器用的砷化镓波导

法国汤逊无线电公司宣称，他们已在4μm附近获得约130pW的可调谐红外输出。他们在分子束外延生长的砷化爆（GaAs）半导体材料制作的波导上进行了光频混合，希望这个初步演示能开辟光参量振荡器之类二极管泵频率转换器于中红外区集成的道路。半导体呈现很大光学非线性，至少为200pm灯，研究人员已考虑把这种特性用于频率转换。砷化称的其它优点是可把激光源集成于非线性波导中。但半导体材料并非双折射材料，因此，为了实现双折射相位匹配，需要在GaAs异质结内引入人为双折射。研究组称，在GaAs异质结内，TE和TM导波不会遇到相同光学折…     

X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

本文采用介质谐振器的高阶模式，研制出振荡频率为１０．７ＧＨｚ的并联反馈型介质稳频振荡器，由于可以获得很高的有载Ｑ值，振荡器具有良好的相位噪声性能。     

X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

本文采用介质谐振器(DR)的高阶模式(TE021模式),研制出振荡频率为10.7GHz的并联反馈型介质稳频振荡器(DRO).由于可以获得很高的有载Q值,振荡器具有良好的相位噪声性能(偏离载频20kHz处-88dBc/Hz)。     

8-12GHz场效应管压控振荡器

<正>WZB862型高稳定度8-12GHz场效应管压控振荡器已研制成功并获得应用.该振荡器由砷化镓微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成,根据整机需要,兼有电调频带宽、调谐速度快、线性较好、工作稳定、直流至交流的转换效率高的特点,可用于各种微波系统中作为宽带振荡源.     

稳定度高、频偏大的LC压控振荡器的设计

本文详细的说明了怎样设计制造一个性能优良的稳定度高、频偏大的LC压控振荡器,以及如何正确处理各项指标之间的相互关系,从而使这种振荡器的设计易于实现,为工程设计提供了方便。     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

介质谐振器稳频FET振荡器的分析与设计

本文采用具有高Ｑ值高介电常数的陶瓷介质谐振器，对ＦＥＴ振荡器进行稳频、通过理论分析，导出了振荡条件，利用计算机优化，得出了各部分优化尺寸，最后研制出了Ｓ波段ＦＥＴ介质谐振器稳频振荡器。经测试，输出功率Ｐ０〉１０ｍＷ、频率稳定度△ｆ／ｆ〈１０＾－５。     

关于振荡器频率稳定度的研究

在振荡器中,通常用频率稳定度来评价振荡频率的性能。着重分析了导致振荡频率不稳定的因素,详细地阐述了提高频率稳定度的主要措施和稳定方法,并给出了一种稳定度高的振荡电路的设计实例。     

低噪声CMOS环型压控振荡器的设计

应用增益补偿技术，设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器，该电路具有较低的压控增益，较好的线性，较强的噪声抑制能力。采用lstsilicon 0,25μmCMOS工艺进行仿真，结果显示：在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为一108dBc。     

5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。     

砷化镓金属半导体场效应管接触退化的检测与分析技术

本文叙述了反映砷化镓地导体场效应管接触退化的结构敏感参数的检测技术，并通过实例说明如何根据结构敏感参数的变化对砷化镓金属半导体场效应管进行了失效定位和失效机理分析。