共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
光电子材料InP与金属接触的物理特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式,给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10^15-1×10^17)cm^-3时,电子输运的数学表达式;测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属-n^+-InP”结构,和到了n^+区厚度和势垒高度间的关系。 相似文献
2.
3.
4.
5.
利用测量瞬态反射谱的方法,探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的InP中载流子寿命,观察到非掺杂InP中载流子寿命最长约60ps,掺锌InP中载流子寿命38ps居中,掺硫和掺铁的寿命最短约1ps掺硫、铁和锌的InP中载流子寿命下降,是由于掺杂引入了复合中心,这一结果已被喇曼光谱所证实。 相似文献
6.
7.
用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而在p型InP中只观察到In空位VIn.正电子寿命的温度关系表明所观察到的n型和半绝缘型中的VIn和VP以及p型InP中的VIn均为电中性.改进了常规的多普勒展宽谱仪.利用这一谱仪测量了n型及半绝缘型InP的多普勒展宽谱,结合正电子寿命测量结果,观察到在掺Fe的半绝缘型InP中存在VP-Fe络合物 相似文献
8.
讨论了InP基光电子和微电子器件的应用潜力和开发现状,指出可靠性和价格问题是InP技术产业化的两个主要障碍。 相似文献
9.
10.
11.
12.
设计了一种新的InP/In0.75Ga0.25As/InP器件结构,其特点在于采用InP衬底,高X值的InxgA1-xAs沟道,选用InP作为势垒层,从而避免了用含Al势垒层有可能引起的DX中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面,提出将KrF准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工,设计,组装了一套实验系统,可重复可靠地得到剖面陡直的0.3-0.35μm胶阴线条,这一工艺技术完全与现有器件工艺 相似文献
13.
对经PECVD生长的P-InPMIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质模生长是在特定条件下进行的,分别利用C-V和DLTS技术进行研究。结果表明,结果表明,在介质膜和InP之间的InP之间的InP-侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是不同生长条件的介质膜淀积过程中等离体引进的有关辐照损伤。 相似文献
14.
InGaAs(P)/InP应变量子阱和超晶格的光电性质 总被引:1,自引:0,他引:1
利用低压金属有机化合物化学汽相沉积(MOCVD)生长技术在InP衬底上生长InGaAs/InP应变量子阱,超晶格和InGaAsP/InP量子阱结构材料,利用77K光荧光(PL)测量这一应变量了阱和量子阱的光学性质,利用双晶X光测量应变超晶格的性质。 相似文献
15.
16.
根据对InGaAsP-InP分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用X射线衍射结InGaAsP-InP20个周期的多量子阱结构异质界面的研究,设计,制备了4个阱的InGaAsP-InP分别限制量子阱激光器结构,利用质子轰击制得条形激光器,阈值电流为100mA,直流室温连续工作,单面输出外微分子效率为36%。 相似文献
17.
18.
本文介绍了用电子回旋共振(ECR)H2/N2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法,并保持了InP衬底表面原有的有序结构,给出了这种处理方法的工艺条件,对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论,得出了一些有价值的结论 相似文献
19.
报告了InP系列异质结构材料几种典型的本征辐射复合付立叶变换光荧光谱。观察到压应变量子阱结构材料10K下荧光峰所对应的能隙却比室温下的能隙小的事实,指出了带间辐射复合光荧光峰双峰结构是室温下轻掺杂体材料光荧光谱的本征特征,分别讨论了InGaAs/InP、InGaAsP/InP质材料光荧光谱正常和异常温度特性。 相似文献