硅酸铋单晶光纤生长

利用自制电阻加热式下拉法生长装置,在较小温度梯度和较低下拉速度条件下,首次生长出晶向为[111]的硅酸铋单晶光纤,直径0.5—2mm,长度大于9mm。经测试,其磁光效应显著,电流-光强变换线性相关系数大于0.95,可用于制作光纤型磁光器件。     

钨酸镉单晶的坩埚下降法生长

以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料.采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5mm/h.生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40mm×70mm.用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征.结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性:单晶的吸收边位于325nm左右,在380～900nm区域的光透过率达70%左右.CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470nm.     

坩埚下降法生长硅酸铋闪烁晶体(英文)

采用改进型坩埚下降法,从富Bj的高温熔体中生长了硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体,研究了BSO晶体的析晶行为.透明晶体最大尺寸达到30mm×30mm×35mm,晶体具有良好的光学均匀性,在350～900nm波段透过率保持在约80%.相对锗酸鉍(Bi4Ge3012,BGO)晶体,BSO闪烁晶体具有快的衰减时间,有望用于能量范围在几百MeV的4 π电磁量能器.     

超离子导体锗酸锌锂单晶的提拉生长

用提拉法生长了Lisicon锗酸锌锂单晶。研究了原料配比和组分过冷等对晶体质量的影响。用最佳生长条件成功地获得了φ9～15mm、长20mm的无组分过冷云雾的透明不裂的单晶。     

硅酸钕结晶釉的研究

本实验是在参考氧化钕—二氧化硅相图的基础上,借鉴硅酸锌结晶釉的配制思路,成功地制备出了具有浮雕质感的小菊花状硅酸钕结晶釉,并探讨了基础釉组成、保温温度及保温时间对实验结果的影响。     

掺钕钆镓石榴石(GGG:Nd~(3+))单晶的生长、完整性及其激光性能

本文报导了GGG:Nd~(3+)单晶的生长研究、完整性观测和性能测试。研究了如何控制组分过冷、铱包裹物和位错等缺陷。报导了这些缺陷的光学观测,并测定了GGG:Nd~(3+)单晶中的Nd~(3+)的平均分布系数、晶体点阵常数、激光效率和光的透过率等。对缺陷的观测、控制和性能的测定都围绕着这样一个问题,即GGG:Nd~(3+)单晶能否既作为具有磁光效应的外延膜的基片材料,又同时作为发生激光的工作物质。实验结果认为这将是可以实现的。从而提出这样一个看法,GGG:Nd~(3+)的这两种功能将有助于某些磁光器件的研制,有可能使这两种作用结合在同一块材料上,使器件固体化、简单化。     

Zn:Fe:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其成分研究

通过优选合适的化学原料，用坩埚下降法生长出了无宏观缺陷的Zn：Fe：LiNbO3(Zn：Fe：LN)单晶。生长的工艺参数是：用微凸生长界面生长，生长速度为1～3mm／h，温度梯度为20～30℃／cm。用X射线衍射及DTA对晶体进行了分析；测定了晶体的吸收光谱。结果表明：所有Zn：Fe：LN晶体中的Fe^2 浓度沿生长方向增加；掺杂3％ZnO(摩尔分数)的Zn：Fe：LN单晶中的Fe^2 浓度沿生长方向的变化量比掺杂6％ZnO的大。从坩埚下降法的温场特点、晶体的热处理过程、环境气氛，以及ZnO组分对Fe离子的排斥作用解释了产生Fe^2 离子浓度变化的原因。     

无楔化CsD_2AsO_4单晶的生长

本文报道了DCDA合成,溶液制备,在D_2O中的溶解度曲线,晶体成帽以及该晶体无楔化生长条件。在pH=8.4时,起始生长温度为50℃左右,在1000ml的小容器中,用降温法成功地生长出了30×30×25mm的DCDA大单晶。本文就晶体成帽、楔化及边角生长问题进行了分析与讨论。     

钼酸铅单晶生长研究

应用正交试验法,较系统地研究了PbMoO_4晶体生长工艺参数与晶体质量之间的关系。采用自行设计和制造的浮称自动等径生长装置,从而保证了生长条件的重复性。通过测试样品的透光率、双折射梯度、光束发散度和信噪比,以评定样品的光学均匀性,这对于材料的实际应用是十分重要的。在晶体生长的工艺参数中,以配料组成对晶体质量的影响最为显著,其次为拉速,温度梯度和转速的作用较小。通过岩相分析和电子探针分析确认,当配料组成从化学计量向PbO偏离时容易导致晶体中出现散射小晶粒;向MoO_3偏离时影响更为严重,使熔体产生组分过冷。已应用获得的最佳生长条件生长出高质量晶体,并用此晶体制造了声光偏转器和声光调制器。     

坩埚下降法生长铌酸锂晶体

采用坩埚下降法,生长了直径为5 cm的铌酸锂晶体.探讨了晶体生长工艺条件,测试了晶体的透过光谱.所得晶体呈浅茶色,分析认为主要是氧空位缺陷所致.铌酸锂晶体通常用作声表面波(surface acoustic wave,SAW)器件的基片,氧空位缺陷可增加基片的电导率,减少器件制造过程中晶片开裂,有利于提高SAW器件成品率.     

静压法生长金刚石大单晶

设计了新的高压反应腔组装结构和相应的工艺程序,初步解决了静压法生长金刚石大单晶中存在的控制温度和压力、成核数目、生长速率等困难,从而能比较容易地在较短的生长时间里生长出尺寸较大、质量较好和数量较多的金刚石大单晶。     

水热法生长单晶二氧化钛纳米棒

利用水热反应生长单晶TiO_2纳米棒,研究了水热时间和加入钛源的量对纳米棒长度和形貌的影响。研究发现反应时间是控制纳米棒长径比重要的因素。纳米棒直径随着钛源量的增大而增大,纳米棒密度随着钛源量的增大而减小。当钛源量为190μL、时间为10 h、温度为150℃时,生长出来纳米棒直径为100 nm,长度为3.4μm,此条件生长出来的纳米棒长径比最大,最适合应用在敏化太阳能电池中。     

单晶光纤生长中的直径波动

本文研究了LHPG法生长晶体光纤中拉速、速比及熔区长度对长出的晶纤直径波动的影响。从理论上解释了所得到的实验结果。     

掺钕锂硅酸盐激光玻璃的研究

本文研究了Li_2O-CaO-SiO_2系统玻璃形成范围和各种氧化物对该系统玻璃失透性能的影响,应用J-O理论模型研究了各种氧化物对掺钕锂硅酸盐玻璃光谱和发光性质的影响,指出随着基质对Nd~(3 )离子作用的增强,Nd~(3 )离子的吸收截面和自发辐射跃迁几率增大。在此工作基础上,研制了二种具有高受激发射截面和良好物理化学性质的掺钕激光玻璃。     

直径300mm氟化钙单晶的生长

正氟化钙晶体是一种重要的光学材料,具有立方对称性晶格,热机性能良好。物化性能稳定,不潮解,抗辐照损伤能力强,透光范围宽,在130 nm到10μm的波长范围内透光性能良好,应力双折射低(在200 nm以上无明显本征双折射),及折射率均匀高。在自然界氟化钙以萤石矿形式存在,因此,氟化钙早已引起人们的关注,甚至在第一次世界大战前后,就被用于制造显微镜和照相机镜头。随着真空坩埚下降法(Bridgman     

导向温梯法生长优质兰宝石单晶

评述了各种生长兰宝石晶体的工艺技术,着重指出采用Czochralski技术生长兰宝石晶体过程中存在的坩埚中熔体对流效应对晶体质量的严重影响,提出了生长兰宝石晶体的导向温梯法。 采用导向温梯法生长兰宝石晶体所得结果表明,其位错密度、光学均匀性、应力和散射中心等品质均优于Verneuil和Czochralski技术生长的晶体。还讨论了选用该法生长大尺寸、高质量兰宝石单晶的优缺点。     

体块氧化锌单晶生长的研究进展

氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管.综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZaO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理.介绍了体块ZaO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响.     

铌酸锂单晶光纤的生长

用导模法生长成功φ0.5×(160—170)mm各种取向的LiNbO_3单晶光纤。研究了单晶光纤形貌和生长参数的关系。比较了α轴和c轴LiNbO_3单晶光纤在生长速度、抗张强度上的差别。对c轴光纤单畴结构的形成机制进行了简单讨论。