Ag—Bi系合金溅射靶及其制造方法

日本株式会社神户制钢所高木胜寿等发明了一种Ag—Bi系合金溅射靶（特开2004—339585），Bi固溶在Ag中，基于X射线衍射结果算出的析出Bi强度在0．01原子％一以下，在用X射线显微分析法算出Bi的特性X射线强度的面分布时，规定强度（在8个阶段中，第3～第6阶段的强度）的合计面积比在89％以上，能够抑制使用Ag—Bi系合金溅射靶形成的薄膜中的Bi量成品率的显著下降。     

高纯度铜或铜合金溅射靶及其制造方法

日本专利2000—239836介绍了一种高纯度铜或铜合金溅射靶，可减少高纯度铜及铜合金靶中的突起物或孔，防止溅射时的球状颗粒的生成，抑制颗粒形成，其氧含量在100ppm以下、碳含量在150ppm以下、氮含量在50ppm以下及硫含量在200ppm以下，超声波探伤检查发现表面上的平底孔0．5mm径以上的指标个数在0．014个／cm^2以下。     

铜溅射靶及其形成方法

日本专利2005—533187提出了含有铜的溅射靶材。该靶材为单块或接合而成,按重量至少含有99．99％的铜,具有1微米-50微米的平均晶粒度。含铜的靶材具有大约15ksi以上的屈服强度及大约超过40的布氏硬度（HB）。该靶材是实质上由按重量大约99．99％以下的铜及至少100ppm及总量低于10重量％的合金元素（单种或多种）而成的铜合金单块及接合溅射靶。靶整体具有大约标准偏差（1-σ）低于15％的晶粒度不均匀性。另外提供一种接合以及单块铜及铜合金靶的制造方法。     

银合金溅射靶及其制造方法（二）

日本高木胜寿、中井淳一、中根靖夫发明了一种用溅射法形成膜厚均匀的银合金薄膜的银合金溅射靶。在对任意的4个部位用x射线衍射法求出结晶取向强度时，显示最高的结晶取向强度（xa）的方位在4个测定部位相同，且各测定部位上的最高的结晶取向强度（Xb）和第2高的结晶取向强度（Xb）的强度比（Xb／Xa）的差异在20％以下（见日本专利公开2004—84065）。     

银合金溅射靶及其制造方法（一）

日本高木胜寿、中井淳一、中根靖夫发明了一种用溅射法形成膜厚均匀的银合金薄膜的银合金溅射靶。在对任意的4个部位用X射线衍射法求出结晶取向强度时,显示最高的结晶取向强度（Xa）的方位在4个测定部位相同,且各测定部位上的最高的结晶取向强度（Xb）和第2高的结晶取向强度（Xb）的强度比（Xb／Xa）的差异在20％以下（见日本专利公开2004-84065）。     

铂合金靶及铂合金膜

近年来，一直在谋求半导体存储器的高密度化，作为该可高密度化的半导体存储器，分极反转型不挥发存储器（FeRAM）或DRAM引人注目。这些半导体存储器都具有强电介质电容器，该强电介质电容器都具有用上部电极及下部电极夹持由PZT[Pb（ZrxTi1-x）O3]或BaSrTi03等构成的强电介质膜的构造。所述上部电极及下部电极，通常由通过溅射等形成的铂膜构成，在通过夹持强电介质膜形成由铂膜构成的上部电极及下部电极后，进行最终的热处理。     

光盘反射膜用银合金

光盘媒体从CD到DVD进而发展到Blu—ray光盘等一直在不断地向高密度化大容量化方向发展，对于构成光盘的反射膜也在日益向高性能化发展。作为光盘反射膜，历来都使用金或铝合金，在光盘常用的波长段具有优越光学特性的银受到了关注，但是纯银膜在使用环境中的耐久性较之金膜和铝合金膜差得多，这是因为纯银膜在低温加热时Ag原子的移动性特别是在潮湿环境中发生显著的凝聚现象所致。因此，研制了反射率〉90％（波长650nm）并且在80℃、90％RH湿度环境下不发生凝聚的银合金膜。根据纯银膜（膜厚20nm）的环境试验（80℃，90％RH，48h），发现凝聚区为纯Ag并且没有氧化物等反应生成物，说明凝聚是由于Ag原子的扩散（银的流动性）而引起的由连续膜变成岛状的现象。     

银合金溅射靶材

日本专利2004—084065介绍了一种银合金溅射靶材及用该银合金溅射靶材形成的银合金膜，能够稳定地在大面积的FPD底板上均匀地形成兼备电子器件所要求的低电阻和高的反射率、耐热性、耐蚀性以及与底板的紧密粘结性的银合金膜。该溅射靶材，作为添加元素，合计0．1-0．7原子％含有Zr及／或Hf，合计0．1～1.0原子％含有Cu及／或Ge，余量由不可避的杂质及Ag，是在以Ag为主体的基体中具有将含有添加元素的第二相分散的再结晶组织的，维氏硬度在80HV以下的银合金溅射靶材。     

Co／Pt多层膜磁光记录介质材料研究进展

叙述Ｃｏ／Ｐｔ多层膜的磁光性能，以及其尺寸、制备技术、工艺条件、结构等因素对磁光性能的影响，并介绍上述材料的研究进展。