金属有机物化学气相沉积法制备铱涂层的形貌与结构分析

采用金属有机物化学气相沉积法，在不通入活性气体的条件下，研究了三乙酰丙酮铱先驱体挥发温度对铱涂层显微结构的影响。在500℃的金属铌和陶瓷石英基片上制备出亮银白色的多晶相铱涂层。分析表明：铌和石英基片上沉积的铱涂层均由两层不同结构的薄膜构成，220℃挥发先驱体沉积出由纳米级颗粒疏松堆积构成的涂层，185℃挥发先驱体沉积出致密的涂层。铱涂层表面光滑均匀，无明显缺陷。     

CVD在铱涂层和薄膜制备中的应用

简要介绍化学气相沉积（CVD）技术的一般原理，评述CVD在贵金属铱涂层和薄膜制备方面的应用状况，主要包括：（1）制备石墨和难熔金属的铱保护涂层；（2）在石墨和陶瓷基本上沉积铱薄膜。     

铱薄膜的MOCVD沉积效果研究

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在Mo基体上制备Ir薄膜。研究Ir的沉积效果与沉积温度及反应气体(O2)间的关系。Ir薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程,沉积速率与沉积温度绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,Ir的沉积速率达到最大值,沉积温度对Ir薄膜的显微形貌有显著影响;O2的流量对薄膜的成分、形貌及结构等均有显著影响。     

MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜.研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响.研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势.大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征.当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm.     

前驱体加热温度对Pt-Ir合金薄膜的成分与沉积速率的影响

以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上沉积了PtIr薄膜。研究了前驱体加热温度对PtIr薄膜结构、成分和沉积速率的影响。结果表明,MOCVD的PtIr薄膜为合金膜,Pt-Ir合金薄膜成分、沉积速率随前躯体加热温度变化而变化,并存在极值点。     

MOCVD方法制备BeH2薄膜

采用二叔丁基铍(t-Bu2Be.Et2O)蒸气在加热的衬底上以热解的方式制备透明的BeH2薄膜。通过加热BeH2薄膜并借助氢气气相色谱仪探测到了薄膜释放的H2。X射线光电子能谱分析表明,薄膜表面层几乎完全被氧化成BeO。傅里叶变换红外光谱显示存在强烈的BeHBe键弯曲振动吸收峰。因此,二叔丁基铍在加热的基片上以分解的方式能够制备出BeH2薄膜。     

等离子体金属有机物化学气相沉积碳氮化钛

叙述了采用金属有机物钛酸四乙脂取代四氯化钛，运用ＰＣＶＤ外加法沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层，其显微硬度可达１６００ｋｇ／ｍｍ＾２，涂层结构仍为柱状晶。     

常压下MOCVD法制备Al2O3薄膜工艺的研究

在常压条件下，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统在Fe-Cr-Ni合金基片上沉积Al2O3薄膜。以仲丁醇铝（ASB）为原料，纯氮为载气，研究基片温度、ASB温度和载气流量对沉积速率的影响。采用EDS、SEM技术对Al2O3薄膜的组成进行分析。研究表明，ABS温度为125℃的工艺条件下，薄膜厚度为500μm，结合强度是梯度涂层（NiAl和Al2O3的梯度沉积）的结合强度的两倍。     

MOCVD法制备钯膜用的前驱体研究现状

金属钯薄膜作为一种新型的稀贵金属低维材料,因为其优异的物理和化学性能,在耐高温涂层、微电子、膜反应器、催化等领域有着非常重要的应用。钯薄膜优异的性能及广阔的应用前景引起人们广泛的关注。介绍了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备钯膜用前驱体的研究进展以及MOCVD工艺中各类前驱体的优缺点,概述了其目前研究的热点和进一步研究的方向。     

Platinum-Iridium Alloy Films Prepared by MOCVD

Platinum-Iridium alloy films were prepared by MOCVD on Mo substrate using metal-acetylacetonate precursors. Effects of deposition conditions on composition, microstructure and mechanical properties were determined. In these experimental conditions, the purities of films are high and more than 99.0%. The films are homogeneous and monophase solid solution of Pt and Ir. Weight percentage of platinum are much higher than iridium in the alloy. Lattice constant of the alloy changes with the platinum composition. Iridium composition showing an up-down-up trend at the precursor temperature of 190~230℃ and the deposition temperature at 400~ 550℃. The hardness of Pt-Ir alloys prepared by MOCVD is three times more than the alloys prepared by casting.     

Preparation of Silicon Carbide Coatings from Liquid Carbosilanes by Chemical Vapor Deposition

Liquid carbosilanes which were synthesized from polydimethylsilane (PDMS) were analyzed by infrared spectra (IR) and H-nuclear magnetic resonance (NMR). Silicon carbide coatings were prepared by chemical vapor deposition from liquid carbosilanes onto several different substrates. The coatings were characterized by scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD), and IR. The results show that liquid carbosilanes are mixtures of several oligomers which have Si-C backbone. The coatings prepared at 850 °C contain some organic segments, and those prepared at 900 °C are comparatively pure SiC which is partly crystallized. The coatings are glazed and very hard.     

采用热丝CVD法在多种基材上沉积金刚石薄膜

热丝法是一种比较成熟的气相合成金刚石膜的方法,其其它方法比较,热丝法在工艺参数对金刚石薄膜的结构和质量的影响、界面的形成、薄膜生长各阶段的特征等方面的基础研究及各种应用研究上有其特征的优越性。本文采用热丝法在ＳｉＣ昌须增强Ｓｉ３Ｎ４陶瓷、ＡＩＮ陶瓷、Ｓｉ单晶片、Ｍｏ片等基材上沉积出金刚薄膜,并通过ＴＥＭ和ＳＥＭ进行观察,分析和研究了影响金刚石薄膜沉积的因素．     

热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究

采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。实验结果显示：采用该工艺制备GaN晶体膜时，选择H2作反应气体兼载体，对GaN膜的形成起着非常有利的作用。     

化学气相沉积难熔金属钼组织性能的研究

介绍了化学气相沉积法制备难熔金属钼膜层的原理和方法。以MoF6和H2为原料,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钼膜层。分析研究了沉积层的组织、结构和硬度。实验结果表明：沉积膜层显微组织随沉积温度变化而不同,沉积温度较低时沉积层显微组织为细晶层状结构,沉积层硬度可达677HV;沉积温度较高时沉积层显微组织为致密的柱状晶,硬度稍高于一般烧结钼。     

不同过渡层对钢基金刚石薄膜的影响

采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在高速钢W18Cr4V基体上利用3种不同的过渡层(WC、Cr、WC/Cr)制备金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FE–SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微激光拉曼光谱仪(Raman)以及洛氏硬度计对过渡层和金刚石薄膜进行检测分析,研究了不同过渡层对金刚石薄膜形貌质量和附着性能的影响。结果表明,3种过渡层均可以有效减少钢基中Fe对金刚石薄膜的负面影响,提高金刚石的形核率;其中,采用WC/Cr过渡层时膜基间残余应力最小,仅为0.25 Gpa,附着性能最好。