小电流接地系统单相接地保护装置的研制

随着小电流接地系统单相接地保护的装置的发展,由一个单片机构成的装置已经不能满足数据采集和保护算法对硬件的要求。而采用单片机和DSP双CPU结构,充分利用了单片机的硬件资源和DSP强大的数据处理能力,完全可以满足小电流接地保护装置的数据采集和各种保护算法的要求。DSP外扩展了6片ADS8364,一共可以同时采集36路参数,因此可以适用于大多数的配电系统。可以达到很好的选线效果。     

电机智能启动器的设计和实现

根据对称分量法,采用了通过检测电动机的负序电流分量,判断不对称故障,通过检测正序电流分量,判断对称故障的方法,设计了电动机的电流检测电路和启动闭合电路。基于C8051F005单片机,实现了一种新型的电动机综合保护启动装置。与传统的保护装置相比,本装置不仅将故障诊断技术应用于保护装置中,还实现了电动机的智能再启动功能,并最终实现了集测量、诊断、保护、控制、启动和通信功能于一体的电动机终端监控保护系统。     

利用单片机制作的10kV接地监察报警系统

介绍工厂小电流接地系统的特点;介绍单片机、外围硬设、A/D转换等以及利用该系统实现接地报警。     

探讨发电厂中的应用接地系统的继电保护

文章阐述6kv配电网中性点经小电阻接地系统、接地方式,研究了系统发生单相接地故障的短路电流特性,并提出了中性点经小电阻接地系统单相接地短路的保护要求     

适用于小电流接地系统的暂态特征型故障指示器技术研究

由于故障电流小、电弧不稳定、故障指示器处理能力不够等原因,小电流接地系统的单相接地故障定位始终没有得到彻底解决。文中通过分析单相接地故障时的暂态特征,结合智能分布式馈线自动化算法,设计了一种高精度采样的新型故障指示器,在小电流接地系统中实现分布式单相接地故障定位。通过搭建模拟实际现场的仿真环境RTDS以及现场试挂等测试手段证明,该故障指示器采样精度高、故障判断准确,不受故障初相角、接地电阻、故障位置的影响,最终实现小电流接地系统中单相接地故障定位功能。     

基于电子式电流互感器的采样值差动保护研究

采样值差动保护原理的保护装置可以直接利用电子式电流互感器的数字化输出的采样数据, 加快保护出 口跳闸, 简化保护配置。采样值电流差动保护优于传统电流差动保护制动效果的条件是:必须在半个周期中有大于1/4周波的角度范围满足动作判别方程, 即S>N/4。电子式电流互感器采样频率会影响采样值差动保护动作, 采样频率越高, 在复平面上采样值差动保护动作的模糊区就越小, 保护装置的动作可靠性就越高。     

基于波形相似度的水电站电流饱和变压器保护装置设计

为解决传统水电站电流饱和变压器保护装置保护及时率低的问题,基于波形相似度设计水电站电流饱和变压器保护装置。计算水电站电流饱和变压器保护运维动态基线,补偿水电站电流饱和变压器保护功率因数,基于波形相似度,分析水电站电流饱和变压器保护信号,采用NBC叠片式弹片,设定水电站电流饱和变压器保护装置额定电压,实现水电站电流饱和变压器保护装置设计。设计实例分析,结果表明,设计的保护装置保护及时率明显高于对照组,能够解决传统保护装置保护及时率低的问题。     

基于MATLAB仿真的配网单相接地暂态零序电流突变量研究

为研究中性点不接地系统和经消弧线圈接地系统发生金属性单相接地时的暂态故障特征信息,文章利用MATLAB系统搭建了一个10 k V小电流接地模型,通过该模型对金属性单相接地故障进行了模拟,分析了小电流接地系统故障时暂态过程中的零序电流的特征信息。     

矿用隔爆式高式配电装置微机型漏电保护的研究

在分析3～10kv电网中性点不接地系统单相接他故障的基础上，运用单片机的逻辑判断、运算和存贮记忆功能，提出了用单片机进行漏电保护的方法，经实践试验、方案可行。     

基于PSCAD/EMTDC的小电流接地系统单相接地故障的仿真研究

小电流接地系统是我国配电网络中最常用的接地方式,对于其单相接地故障的研究具有十分重要的意义.介绍了PSCAD/EMTDC的仿真环境,并对小电流接地系统故障特征进行分析,以PSCAD/EMTDC仿真工具为平台,构建了小电流接地系统.仿真结果与实际一致,形象地表明了小电流接地系统的特点及故障特征,为各种选线算法的研究工作打下了坚实的基础.     

低电阻率PTC陶瓷及限流保安器的研究

采用Ｓｂ（３＋）、Ｎｂ（５＋）双施主掺杂并添加ＡＳＴＬ玻璃料，研制出限流保安器用的ＢａＴｉＯ３基低电阻率ＰＴＣ陶瓷材料。探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对ＰＴＣ陶瓷性能的影响。应用上述ＰＴＣ陶瓷制作出开关温度Ｔｂ＝１２０℃的限流保安器。     

基于ATC51的新型数控直流电源设计

针对目前的电源普遍存在输出恒定、精度较差的问题,设计了一种基于单片机的新型数控直流电源。主要分为电源模块,单片机控制模块,数码管、按键模块和PWM波输出驱动模块这4部分。首先通过键盘输入预期的电压值,单片机根据输入值输出不同占空比的PWM波,控制可控稳压芯片LM317的输出,输出结果在数码管上显示。在整个系统中,由专门的电源稳压模块提供稳定电压以减小误差。输出电压范围为0.00～15.00 V,电流范围0～1 A,误差不超过5%,具有使用灵活、精度高、工作稳定,成本低的优点,适宜推广使用。     

一种新颖的开关电源调制模式

为了解决开关电源PWM模式在轻载时的效率低下和PFM模式输出噪声频带比较宽,滤波难度大的问题,提出了一种新颖的开关电源调制模式-跳周期调制(SCM)结合可变极限电流比较器双环控制模式.提出SCM的控制机理和理论模式,SCM模式的效率比常规的PWM高,且基本上与负载无关;通过可变极限电流比较器对负载进行监测形成双环路控制模式,提高了电源的响应度,降低了开关电源的电磁干扰和输出纹波电压.分析了其效率和负载的关系,并与PWM、PFM调制模式进行了比较,得出SCM结合可变极限电流比较器双环控制模式是一种在不同负载下均有很高效率的调制模式,特别适用于在满载下工作时间相对不长的中小功率电源系统.     

Application of Scanning Capacitance Microscopy on SOI device with wafer edge low yield pattern

As semiconductor technology keeps scaling down, many advanced technology and process were applied in the semiconductor process. Especially for the application of IOT (internet of thing) technology, the low leakage and low power consumption product was the key component for this kind of application. SOI (Silicon-On-Insulator) wafer process is one of the advanced and important branches of the semiconductor manufacturing process. Its intrinsic advantage, low leakage and lower power consuming make it very suitable for personal communication device and IOT which match well with the application requirement. As is well known the SOI wafer is different form the normal bulk silicon wafer. The active sits on the silicon oxide insulator, which makes the final device separate from the substrate. Basically, all of the devices are floating on a nonconductive oxide layer. It comes with many challenges for process and analysis as compared with the conventional bulk silicon process.The most conventional analysis method is not applicable in the SOI device such as the PVC (passive voltage contrast) and current image methodology which are a very powerful and important in the failure analysis.In this paper, scanning capacitance is successfully used as the substitution of the PVC method. The SCM (Scanning Capacitance Microscopy) is a complicated process. Since all of the abnormality or physical change will affect the measured capacitance, then the capacitance signal will theoretically has many information with itself, including open, short and leakage. Through the detailed study, the contact level top-down SCM was successfully applied on the SOI unit. By proper setting of SCM bias condition, it can not only visualize the possible leaky location but also can reveal the possible path. Further nanoprobing and TEM (Transmission Electron Microscopy) have confirmed the SCM analysis.     

高频高磁损耗材料传导干扰抑制特性研究

为了验证软磁合金复合材料(SCM)对传导干扰电流的抑制作用,建立了微带线(MSL)装置模拟印制线路板(PCB),通过测量放置复合材料前后MSL的S参数变化来分析材料的传导干扰抑制性能。在同等条件下,进行了SCM与其它类干扰抑制材料(磁性金属复合材料、铁氧体材料)的对比测试。结果表明,1.8 GHz时SCM的最大损耗功率比(Ploss/Pin)为0.4,明显高于其它材料,具有优越的传导干扰抑制性能。     

三相交流电相位检测系统的设计与研究

针对三相电产品信息化、智能化发展趋势,通过对三相电相位检测技术的探索,提出了一种将单片机控制检测方式应用于三相交流电相序检测的方法,成功实现了对电气控制设备的判断错相,缺相,并显示和报警,并可记录故障次数,工作次数,工作时间,实现相位保护功能。模拟测试系统结果表明,系统较好地实现了三相交流电相序检测的实用化,小型化,数字化。     

一种用于表征亚阈值电流镜电路中CMOS工艺波动的统计学方法

提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法.与现有的统计学方法相比,该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁,但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估.此模型利用统计学的概念将依赖于IC工艺的物理参数抽象为具有确定均值和方差的随机变量,并进一步将所有随机因素累加为离散鞅.在SMIC 0.18μm CMOS 1P6M混合信号工艺下,利用工作在100pA～1μA范围内、增益为100的亚阈值电流镜电路对此方法的正确性进行了实验验证.该理论成功地预测了～10%的实测芯片间工艺波动,并且给出了～1mV的片上阈值电压标准偏差,此结果与SMIC提供的没计参数吻合.该理论给出的概率分布与实测结果的偏差小于8%.同时,还针对高工艺稳定性的亚阈值模拟电路设计方法进行了相关的讨论.     

小电流接地系统单相接地故障分析及选线研究

分析了小电流接地系统单相接地运行时几种易出现的故障,阐述了接地故障的判别方法及对策,并在此基础上研究了小电流接地系统单相接地的选线方案.实验证明,该系统可准确地对单项接地故障进行确认并报警.     

基于单片机的倒车雷达设计

在此设计了一种基于单片机的倒车雷达系统,该系统采用超声波传感器将40kHz的机械波发射到空气中,经障碍物反射后被超声波传感器接收,对接收后的信号进行放大,并对其进行信号处理。最后将处理后的信号输入到单片机中,通过单片机的显示器输出距离,并比较输出距离与1m,0.5m的关系,分别发出不同的警报,即通过单片机及其外围部件测量车和障碍物间的距离,最终实现引导驾驶员倒车的功能。经测试,该系统具有精确度高,成本低等优点。     

基于闪存阵列的高速存储方法

针对单片Flash存储速度过慢的情况,提出了一种利用DMA(直接存储器访问)技术和流水线Flash存储来实现高速存储的方法.该方法通过AVR单片机和CPLD控制产生DMA和Flash片选时序不经过处理器,直接往Flash里写一页数据,在第一片Flash进行数据编程而无法对其进行其他操作时,继续往下一片Flash里写一页...