X100管线钢奥氏体晶粒长大行为

通过控制加热温度和保温时间,研究了X100管线钢奥氏体晶粒尺寸分布和长大规律。结果表明,随着加热温度升高、保温时间延长,奥氏体晶粒呈现逐渐长大趋势。当加热温度在1050~1150 ℃时,奥氏体晶粒快速长大;温度高于1200 ℃时,出现明显粗大的晶粒。通过试验数据线性回归,经模拟、计算得到X100管线钢的奥氏体晶粒长大模型D_t^6.59=1.71×10²⁰exp(-379691.29/RT)t+,D₀^6.59经验证与试验数据拟合良好。     

高Nb-X80管线钢奥氏体晶粒长大规律

通过改变均热温度、保温时间,对高Nb-X80管线钢奥氏体晶粒长大规律进行了研究。结果表明,当保温温度高于1200℃时,奥氏体晶粒长大倾向显著增加,最佳保温温度范围为1150～1200℃。在1050～1200℃,高Nb-X80管线钢奥氏体晶粒长大规律为D1/0.1294-D01/0.1294=6.283×1022exp(-(426310)/(RT))t。     

MG600锚杆钢的奥氏体晶粒长大规律

利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、热力学软件Thermo-calc等研究了MG600锚杆钢奥氏体晶粒的长大规律。结果表明:加热温度对晶粒长大的影响比保温时间更显著,温度越高晶粒长大速率越快,但长大速率受界面曲率的影响而不断减小。热力学计算证明较低温度下V(C,N)的析出是抑制晶粒长大的主要因素。随着温度的升高,V(C,N)溶解以后,奥氏体晶粒进入平稳长大阶段。借助Sellars方程建立的MG600钢奥氏体晶粒长大模型与试验实测值吻合较好,能够较好地预测不同温度下的奥氏体晶粒尺寸。     

X100管线钢中奥氏体晶粒长大规律研究

通过改变均热温度(900～1200℃)和保温时间(0～4h),研究X100管线钢奥氏体晶粒长大规律.结果表明:奥氏体晶粒尺寸随加温温度升高和保温时间延长呈指数增加;保温温度在1050℃以上时出现奥氏体晶粒快速长大.通过对试验数据进行非线性回归建立了实验钢奥氏体晶粒长大规律的数学模型,拟合度较好.     

X120管线钢中第二相回溶及其对奥氏体晶粒尺寸的影响

采用电解、萃取复型、透射电镜以及能谱分析等方法研究了不同温度等温过程中X120管线钢中第二相粒子的回溶规律,并测定了相应条件下的奥氏体晶粒尺寸。结果表明:在锻态组织中存在两种类型的碳氮化物,一类是在凝固过程中形成的粗大富Ti颗粒;另一类是在变形过程中形变诱导析出产生的富Nb第二相粒子,其尺寸更加细小,此类粒子经1000℃保温60 min后消失。1000~1220℃保温过程中含Nb和Mo的碳氮化物发生回溶,导致奥氏体晶粒快速长大,但此时未回溶的碳氮化Nb、Ti粒子仍阻碍晶界的迁移。当再加热温度达到1270℃并保温120 min后,只有极少量的含Nb的Ti N颗粒能够保持稳定,故第二相粒子的钉扎作用明显减弱,使得奥氏体晶粒异常长大。     

非调质钢奥氏体晶粒长大行为研究

使用Gleebleb-1500热模拟试验机对F40MnV非调质钢在1000～1250℃进行等温保温试验,采用定量金相法计算了不同温度等温不同时间后的奥氏体晶粒尺寸。结果表明,1000℃及以下保温过程中,F40MnV钢奥氏体晶粒几乎不长大;在1000℃以上时,随着保温温度的升高和保温时间的延长,奥氏体晶粒长大显著。此外,拟合获得了F40MnV钢奥氏体晶粒的长大模型,所获得的模型可较为准确地预测奥氏体晶粒长大。     

GMAW焊接传热及其对HAZ奥氏体晶粒长大过程的影响

精确分析熔化极气体保护电弧焊（ＧＭＡＷ）焊接传热过程的前提是对施加于工件表面上的焊接热输入分布模式有一个恰当的、合乎实际的描述。本文作者根据电弧物理的基本原理和熔滴与熔池的交互作用,建立了双峰分布的电弧热流密度分布模型,确定了熔滴热焓量在熔池内部的分布区域。以此为基础,建立了ＧＭＡＷ焊接传热的数学模型,给出了焊接热影响区奥氏体晶粒长大的动力学方程。采用数值模拟技术研究了低碳钢和ＨＱ１３０钢ＨＡＺ的     

微合金钢中奥氏体晶粒长大规律研究

研究了四种有代表性的微合金钢在1200℃时奥氏体晶粒长大的规律,结果表明,20MnTi、35MnVNb、33Mn2VTi具有相似的抗晶粒粗化能力。随着等温时间的延长,奥氏体平均晶粒尺寸符合n小于1的复合幂函数图线模型;33Mn2VNbTi钢奥氏体晶粒随时间的延长迅速长大,说明同时添加V、Ti、Nb、N的微合金钢不具有抗晶粒粗化能力。     

加热工艺参数对12%Cr钢晶粒长大行为的影响

研究了不同加热工艺参数下(加热温度1050～1300℃,保温时间0.25～24 h) 12%Cr超超临界转子钢的奥氏体晶粒长大行为,并通过光学显微镜(OM)观察晶粒尺寸的变化规律,建立晶粒长大数学模型。结果表明:随着加热温度增加,晶粒尺寸逐渐增加,加热温度低于1150℃时,晶粒尺寸增加明显,而温度高于1150℃后,晶粒尺寸逐渐趋于稳定;随着保温时间的增加,晶粒尺寸逐渐增加,保温时间增加到3 h后,晶粒尺寸增加趋势放缓。采用非线性回归方法和Arrhenius晶粒长大模型,建立了该钢的晶粒长大数学模型。     

GCr15钢奥氏体晶粒长大规律研究

利用Gleeble-3800型热模拟试验机研究不同加热温度和保温时间下GCr15钢的奥氏体晶粒长大规律.结果表明,奥氏体晶粒随加热温度的升高呈指数关系长大,随保温时间的延长近似呈抛物线关系长大,同时晶粒平均直径与保温时间的关系符合Beck方程,温度越高,晶粒生长指数越大.在已有模型的基础上.通过对试验数据进行非线性回归得到了描述GCr15钢奥氏体晶粒长大规律的数学模型.     

超低碳微合金钢中碳氮化物的溶解行为

利用萃取复型,结合TEM和EDX技术,研究了超低碳Nb-Ti微合金钢中析出相粒子在1300℃保温后的回溶行为.结果表明,基体中存在两类析出相:一类为凝固过程中形成的比较粗大的析出相,另一类为应变诱导下产生的析出相,尺寸比较细小.凝固过程中形成的析出相中富Ti,应变诱导下的细小析出相富Nb.在1300℃回溶时应变诱导析出相不稳定,2h后基本不存在,而凝固过程中形成的析出相在回溶48 h后,还存在含Nb的(Nb,Ti)(C,N)复合相.在钢中含Ti的情况下,Nb碳氮化物的稳定性大幅提高.     

S34MnV钢的奥氏体晶粒长大动力学

利用DIL-805AD/T动态膨胀相变仪对S34MnV钢在不同加热温度和保温时间下进行奥氏体化试验,通过晶界腐蚀、光学显微镜观察和截点法测定了奥氏体平均晶粒尺寸,并对S34MnV钢奥氏体晶粒长大规律进行了深入分析.通过对比Beck模型、Hillert模型和Sellars模型,根据实测晶粒尺寸数据拟合并优化了模型参数,建...     

Nb微合金化对高碳钢奥氏体晶粒生长的影响

研究了含Nb高碳钢在高温均热阶段Nb对奥氏体晶粒生长的影响。结果表明,含Nb高碳钢在高温阶段的晶粒生长有两个阶段,奥氏体化温度低于临界温度Tc≈1150℃时,为缓慢增长阶段,奥氏体晶粒尺寸的变化很小,当奥氏体化温度高于Tc时,为快速生长阶段,晶粒直径随温度增加十分迅速;含Nb钢奥氏体晶粒快速长大的起始温度与弥散在基体中铌碳氮析出相数量有关,由高温阶段溶解于奥氏体中Nb数量所决定;奥氏体异常晶粒生长的临界析出粒径为一定值,不取决于加热前的析出状态。     

铌、钛碳氮化物在微合金钢中的回溶及析出行为

简述了钢中主要添加微合金元素Nb和Ti在钢坯加热过程中的回溶过程。阐明了钢板在轧制各阶段析出相的类型、晶体结构、分布规律,特别是应变诱导析出与再结晶的关系,同时,分析了时效硬化行为。讨论了微合金元素的选择及节约利用问题。     

X120管线钢的连续冷却相变及显微组织

采用Gleeble 1500热模拟试验机,模拟在1100 ℃变形30%和在850 ℃变形35%变形之后在0.5～50 ℃/s冷却速率下的X120管线钢的连续冷却过程,通过光学显微镜、透射电镜、维氏硬度计及显微力学探针分析,研究了X120管线钢的相变温度、显微组织及维氏硬度的变化规律.结果表明:当冷却速率在20～50 ℃/s时,试验钢的组织主要为下贝氏体和板条马氏体.下贝氏体的相变开始温度在470℃左右,终止温度在320～330℃.钢的硬度随冷却速率提高而逐渐增加,最高硬度达320 HV.     

15Cr12CuSiMoMn钢的奥氏体晶粒长大动力学

利用箱式炉将15Cr12CuSiMoMn钢加热至900～1100 ℃奥氏体化温度区间分别保温15～120 min,研究了不同奥氏体化温度和保温时间下原奥氏体晶粒的长大行为。结果表明,随着奥氏体化温度的升高,晶粒尺寸不断增大,长大行为呈幂函数规律;在1000 ℃以上加热,晶粒显著粗化;随着保温时间的延长,晶粒长大行为呈近似于抛物线匀减速规律;保温时间<60 min时,晶粒长大速率较快,当保温时间超过60 min时趋于平稳。基于Arrhenius公式,通过对试验数据进行线性回归拟合分析,建立了适合于本钢种的晶粒长大动力学模型,对比模型计算值与实际测量数据间的误差(2%＜ΔXi＜5%)验证了该模型的准确性与可靠性。     

析出相质点对取向硅钢二次再结晶的影响

基于Humphreys回复、再结晶和晶粒长大统一理论,研究了析出相质点的Zenner钉扎对Fe-3%Si取向硅钢二次再结晶的影响.比较了一般取向硅钢(CGO)和高磁感取向硅钢(HGO)的晶粒尺寸、晶界参数以及析出相质点的Zenner钉扎因子.结果表明,高斯晶粒与普通晶粒相比没有明显的尺寸优势,具有强烈高斯织构的HGO在晶界能和晶界活动性上与CGO的差异非常小,二者具有相近的临界Zenner因子;但HGO中析出相质点更为细小和弥散,其Zenner因子是CGO的2.8～5.0倍,因此HGO中Zenner因子更大,其高斯晶粒更容易率先达到临界条件而发生二次再结晶,从而在二次再结晶后具有更强的高斯织构.