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采用传统方法制备了掺杂不同物质的量分数(0.01%,0.05%,0.10%,0.15%,0.20%)SiO2的SnO2压敏电阻,研究了SiO2掺杂量对SnO2压敏电阻电气性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,SnO2压敏电阻的电压梯度、非线性系数、势垒高度、施主密度和界面态密度均先增大后减小,泄漏电流密度先减小后增大,晶界电阻增大;当SiO2物质的量分数为0.10%时,SnO2压敏电阻的综合电气性能最佳,其电压梯度、非线性系数、施主密度、界面态密度、势垒高度最大,泄漏电流密度最小,分别为582 V·mm-1,33,1.7×1023 m-3,6.7×1016 m-2,2.03 eV,7.06μA·cm-2。 相似文献
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在1 850℃下采用无压液相烧结工艺制备TiC陶瓷,研究了烧结助剂Al2O3-Y2O3(二者物质的量比为1.5)质量分数(0,6%,8%,10%)对TiC陶瓷结构和性能的影响。结果表明:添加烧结助剂后TiC陶瓷中存在TiC相、YAM(Y4Al2O9)相和YAG(Y3Al5O12)相;随着烧结助剂质量分数由0增加到10%,陶瓷的相对密度由94.50%增加到97.86%,开口气孔率由0.77%下降到0.21%,YAM相与YAG相增多并逐渐发生聚集,断裂韧度、维氏硬度与抗弯强度均先升高后降低,当烧结助剂质量分数为6%时,断裂韧度和维氏硬度最大,分别为6.2 MPa·m1/2和19 GPa,当烧结助剂质量分数为8%时,抗弯强度最大,为524 MPa;陶瓷的电阻率均在1.00×10-6~2.00×10-6Ω·m,烧... 相似文献
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以Al2O3、TiC粉体为原料,采用无压烧结技术制备了TiC-Al2O3导电陶瓷复合材料,研究了TiC体积分数(30%~45%)对陶瓷复合材料微观结构和性能的影响。结果表明:TiC-Al2O3导电陶瓷复合材料主要由Al2O3和TiC两相组成;随着TiC含量的增加,陶瓷复合材料的相对密度降低,开口气孔率增大,当TiC体积分数为30%时,相对密度最大,开口气孔率最低,分别为95.5%和3.0%;陶瓷复合材料中导电相TiC均连接为网状结构,随着TiC含量的增加,TiC所形成的网状结构越发完整,陶瓷复合材料的硬度先升高后降低,电阻率和断裂韧度均呈降低趋势,抗弯强度增大;当TiC体积分数为45%时,陶瓷复合材料的抗弯强度最高,电阻率最低,分别为361 MPa和6.95×10-6Ω·m。 相似文献
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通过在SnO2陶瓷压敏电阻中共同掺杂Sb2O5和Y2O3(0.05%,物质的量分数),采用扫描电镜和阻抗仪研究了Sb2O5掺杂量(0,0.05%,0.10%,0.15%,物质的量分数)对SnO2压敏电阻微观形貌、电压梯度和晶粒电阻的影响.结果表明:随Sb2O5掺杂量增加,SnO2压敏电阻的晶粒尺寸和界面态密度先增大后减... 相似文献
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以Al2O3-13%TiO2(AT13)和纳米掺锑SnO2(Sb-SnO2)粉体为原料,采用等离子喷涂工艺在4145H合金钢基体表面制备了掺杂不同质量分数(0~16%)Sb-SnO2的AT13复合陶瓷涂层,研究了复合陶瓷涂层的表面性能、微观形貌、显微硬度、结合强度以及在地层采出水中的抗结垢性能,并与电镀铬层和未处理4145H合金钢进行对比。结果表明:与电镀铬层和未处理4145H合金钢相比,复合陶瓷涂层的水接触角较大,表面能较低,随着Sb-SnO2掺杂量的增加,水接触角基本呈先增大后减小的趋势,表面能先减小后增大;复合陶瓷涂层具有大量的孔隙;随着Sb-SnO2掺杂量的增加,硬度整体呈降低趋势,但均高于4145H合金钢和电镀铬层,单位面积结垢质量先减小后增大;掺杂质量分数10%Sb-SnO2的复合陶瓷涂层具有最大的水接触角、最小的表面能、最小的单位面积结垢质量,平均结合强度为25.7 MPa。 相似文献
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采用固相反应法在800℃烧结制备出了不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3(x=0,0.01,0.02,0.05)粉体,通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、傅里叶红外光谱仪(IR)、紫外吸收可见光谱(Uv-vis)分析仪以及扫描电镜(SEM)等对(In1-xSnx)2O3粉体的结构、光学性能和形貌进行了表征。结果表明:不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3粉体都保持了In2O3的立方相晶胞结构;锡的掺杂改变了In2O3的紫外-可见吸收性能和红外吸收性能,抑制了In2O3粉体颗粒的长大,使其结构变得更加紧密。 相似文献
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采用在Al2O3基体中加入NCP成孔剂的方法制备Al2O3基高强度透气性陶瓷材料,并对其性能进行了研究.结果表明加入适量NCP成孔剂,可以制得透气性好且强度高的透气性材料,可以用于一些透气性模具的制造.所研制材料的透气度及强度与预烧温度、烧结温度及酸处理条件等密切相关,材料强度高的原因主要是由于材料中气孔形状比较理想,且分布细小均匀,n值较低.当预烧温度1
42L/(m·Mpa·s),抗弯强度为251.0MPa.400℃,烧结温度1 480℃,酸处理时间为40h时,材料的综合性能较佳,透气度为0.042L/(m·Mpa·s),抗弯强度为251.0MPa. 相似文献
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通过不同时间的湿法球磨得到不同粒径分布的Ti2AlC粉末,再与Cu2O粉末和铜粉末混合,利用放电等离子烧结技术制备TiC0.5-Al2O3/Cu复合材料,研究了Ti2AlC粉末粒径分布对其组织和性能的影响。结果表明:随着Ti2AlC粉末中亚微米级颗粒体积分数由0增加到70.27%,复合材料中增强相颗粒TiC0.5和Al2O3在基体中分散更均匀,但是当亚微米级颗粒体积分数为98.07%时,增强相颗粒出现聚集现象;随着亚微米级颗粒体积分数的增加,复合材料的导电率与相对密度先减小后增大,硬度与屈服强度则先升后降,当亚微米级颗粒体积分数为70.27%时,复合材料综合性能最优异。 相似文献
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采用新型玻璃钎料CaO-Al2O3-MgO-SiO2-TiO2(CAMST)连接无压烧结SiC陶瓷,研究了连接温度(1 300~1 450℃)对SiC陶瓷接头微观结构和力学性能的影响。结果表明:CAMST玻璃钎料在1 350~1 450℃下可实现SiC陶瓷的有效连接。当连接温度为1 350℃时,焊缝厚度约为36μm,母材与焊缝界面存在较多孔洞,接头剪切强度为(21.4±2.7) MPa;当连接温度为1 400℃时,焊缝厚度为3μm,母材与焊缝结合良好,接头剪切强度为(47.6±6.2) MPa;当连接温度升高至1 450℃时,焊缝厚度约为50μm,母材与焊缝结合良好,但焊缝中存在裂纹缺陷,接头剪切强度为(20.9±3.9) MPa。连接温度对焊缝硬度无明显影响。 相似文献
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文中以In(NO3)3·4.5H2O为铟源,KMnO4为锰源,PVP为添加剂,分别以水和无水乙醇为溶剂,通过两步水热法成功合成了In2O3-Mn2O3复合纳米棒。采用XRD、SEM、XPS对复合材料的物相组成、微观形貌和元素价态进行了表征和分析,并将In2O3-Mn2O3复合材料组装成气敏传感器元件进行氢气的气敏性能研究。结果表明,相比于In2O3,In2O3-Mn2O3传感器的最佳工作温度降低至325℃,且In2O3-Mn2O3传感器在重复性实验中对氢气具有高灵敏度,优异的选择性、重复性和稳定性。复合材料表面... 相似文献
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利用溶液共混法制备不同质量分数(10%~40%)微米级Al2O3颗粒改性环氧树脂复合材料,研究了Al2O3微粒含量对复合材料导热和导电特性的影响。结果表明:当Al2O3微粒质量分数为10%和20%时,微粒在基体中分散良好,随着Al2O3微粒含量增加,微粒相互接触并出现团聚结块现象;随着Al2O3微粒质量分数由10%增加到40%,复合材料在室温下的热导率由0.30 W·m-1·K-1增加到1.11 W·m-1·K-1,玻璃化转变温度由115.44℃升高到122.89℃,线膨胀系数由56.86×10-6 K-1降至34.86×10-6 K-1,电阻率由4.27×1010Ω·cm降... 相似文献
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