HL—1M装置硼化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ／Ｃ壁和Ｓ壁的出气特的对比实验研究。Ｂ／Ｃ壁的最大出气率是２．６０×１０＾２０ｍｏｌ／ｓ其中Ｈ２占９９．６％杂质组分３．８×１０＾－３。与ＳＳ壁相比，Ｂ／Ｃ壁的Ｈ２出气率增加了１．３倍，杂质组分出气率小一个量级，且气体的动力学滞留时间得到增强。     

Editorial and Advisory Boards of“NEW CARBON MATERIALS”

ＣｈｉｅｆＨｏｎｏｒａｒｙＡｄｖｉｓｏｒｓＳＨＩＣｈａｎｇ ｘｕ(Ｂｅｉｊｉｎｇ ,Ｃｈｉｎａ)　　　　　　　Ｍ .Ｓ .Ｄｒｅｓｓｅｌｈａｕｓ(Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ,Ｕ .Ｓ .Ａ)　　　　　Ｍ .Ｉｎａｇａｋｉ(Ｓａｐｐｏｒｏ ,Ｊａｐａｎ)Ｅｄｉｔｏｒｓ ｉｎ ＣｈｉｅｆＬＩＮＧＬｉ ｃｈｅｎｇ(Ｔａｉｙｕａｎ ,Ｃｈｉｎａ)　　　　　　ＣＨＥＮＧＨｕｉ ｍｉｎｇ(Ｓｈｅｎｙａｎｇ ,Ｃｈｉｎａ)ＶｉｃｅＥｄｉｔｏｒｓ ｉｎ ＣｈｉｅｆＫＡＮＧＦｅｉ ｙｕ(Ｂｅｉｊｉｎｇ ,Ｃｈｉｎａ)　　　　　　　Ｔｓｅ ＨａｏＫｏ(Ｔａ…     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

溶胶凝胶法制备Li4.5B0.5Si0.5O4-xLi2O导体材料及导电性能

采用溶胶－凝胶法制备了Ｌｉ４．５Ｂ ０．５Ｓｉ０．５Ｏ４－ｘＬｉ２Ｏ（ｘ＝０～０．５）离子导体材料,并采用ＤＴＡ－ＴＧ、ＸＲＤ、ＴＥＭ及交流阻抗等技术对样品进行了分析和测试,结果发现：溶胶－凝胶法可降低Ｌｉ４．５Ｂ０．５Ｓｉ０．５Ｏ４的合成温度;随Ｌｉ２Ｏ的掺入可增强基质材料的致密性并提高其离子的导电性能。     

HL—1M装置硼化膜的研究

ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化，在第一壁表面上形成一层半透明、非晶ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ膜。在单电极、１．２Ａ／７５０Ｖ放电参数下，平均沉积速率为１１０ｎｍ／ｈ，膜厚不均匀度为８４％，Ｂ／Ｃ＝０．６－２．０，Ｂ－Ｃ的结合能为９７－９９ｅＶ，与Ｂ／Ｃ值有关。膜层中有２０－３０％的硼是以Ｂ－Ｃ的形式存在，７０－８０％碳是以ａ－Ｃ：Ｈ形式存在，这是ＨＬ－１Ｍ装置     

含活性基团硅氮烷先驱体的裂解

用ＴＧ－ＧＣ，ＩＲ，元素分析，ＸＲＤ研究ＭｅＳｉＨＣｌ２与ＭｅＳｉＶｉ（Ｖｉ：－ＣＨ＝ＣＨ２）Ｃｌ２共氨解产物的裂解过程。     

玻璃容器模具图自动参数化绘制

玻璃容器模具图自动参数化绘制薛强，李树森，姚涵珍，苗德华ＡｕｔｏｍａｔｉｃａｎｄＰａｒａｍｅｔｒｉｃＤｒａｗｉｎｇｆｏｒｔｈｅＭｏｕｌｄｏｆＧｌａｓｓＣｏｎｔａｉｎｅｒ￥ＸｕｅＱｉａｎｇ；ＬｉＳｈｕｓｅｎ；ＹａｏＨａｎｚｈｅｎ；ＭｉａｏＤｅｈｕａＡｂ...     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上诸多进一步测试了Ｇ３石墨，ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在３ｋｅＶ／１，３μＡ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２－氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其中ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨的降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。     

Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金的晶化动力学

用ＤＴＡ结合ＸＲＤ了Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９晶合金的晶化动力学。表明，该事金在５００℃时析出α－Ｆｅ（Ｓｉ）相。晶化初期激活能最小为２４２ｋＪ／ｍｏｌ，它随晶化量的增加，在ＸＣ为０．４－０．８时，呈极大值为５２０ｋＪ／ｍｏｌ。在６２４℃时析出Ｆｅ２Ｂ相。     

Cu对Fe基非晶合金内禀磁性及晶化行为的影响

利用ＤＳＣ，ＸＲＤ，ＴＥＭ，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱及磁性测量技术研究了Ｃｕ取代Ｆｅ对ＦｅＳｉＢ非晶合金的内禀磁性及晶化行为的影响。结果表明：Ｃｕ元素取代Ｆｅ使ＦｅＳｉＢ非晶合金的λｓ，σｓ，Ｈｆ，μＦｅ下降，但居里温度Ｔｃ升度。而且，Ｃｕ的加入能够显著地降低ＦｅＳｉＢ非晶合金的晶化温度及晶化激活能，改善αＦｅ（Ｓｉ）相的形貌。ＦｅＣｕＳｉＢ非晶合金的晶化行为表明：在非晶合金内部存在αＦｅ（Ｓｉ）相成     

石墨及其涂层材料性能的研究

本文在改制后的ＬＡＳ－２０００表面分析设备上对ＳＭＦ８００，Ｇ３石墨和（ＳｉＣ＋Ｃ）／Ｃ涂层石墨的真空出气性能和Ｄ＾＋束辐照化学增强腐蚀性能进行了分析研究。研究表明：ＨＬ－１Ｍ装置第一壁选择ＳＭＦ８００石墨及其处理工艺及合理，正确的。     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３石墨、ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步地观察了氘束轰击下石墨释放ＣＤ４的角分布特性，为托卡马克偏滤器实验中建立ＣＤ４辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索。     

碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压烧结研究

本文通过采用热等静压（ＨＩＰ）这一先进的烧结工艺，研究了Ａｌ２Ｏ３添加量对ＳｉＣ陶瓷之显微结构与力学性能的影响。并成功地制备出Ｓｉ３Ｎ４粒子以及ＳｉＣ晶须补强的ＳｉＣ基复合材料，结果表明：Ａｌ２Ｏ３是ＨＩＰ烧结ＳｉＣ陶瓷及其复合材料的有效添加剂，当添加３ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３时，采用ＨＩＰ烧结工艺在１８５０℃温度和２００ＭＰａ压力下烧结１ｈ就可获得密度分别高达９７．３％、９９．４％和９７．０％的ＳｉＣ的     

INFLUENCE OF Nb ON THE MICROSTRUCTURE OF F_(e76.5-x) C_(u1)Nb_(x) Si_(13.5)B_9 NANOCRYSTALLINE STUDIED BY M■SSBAUER SPECTROCOPY

测量制备态和退火的Ｆｅ７６．５－ｘＣｕ１ＮｂｘＳｉ１３．５Ｂ９（ｘ＝０．１０、３．０、５．２、７．２）合金Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱，结果表明，晶化后Ｎｂ、Ｂ等元素向晶界区扩散，在残余非晶形成了富Ｎｂ、Ｂ区和Ｎｂ、Ｂ区、Ｎｂ抑制非昌相的晶化和Ｆｅ２Ｂ相的析出，并对磁织构有一定的影响。     

人造翡翠晶化区的研究

本文在１．１－５．５ＧＰａ压力、７５－２０５０℃温度范围内通过对产物的ＸＲＤ分析得到了以非晶为原料时，纯硬玉翡ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６和透辉石翡翠０．６ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－０．４ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６的晶化区，经过对晶化区中不同Ｐ、Ｔ点产物的结晶度计算，将区域分成三个晶化子区，并对各子区中合成样品的硬度、微观结构、强度、颜色、透明性和稳定性等进行了研究，结果表明，在较高温度和压力的Ａ枢产物具有高的结晶度、     

高性能2.5Gb／s用的DFB—LD／EA单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ的单片集成ＤＦＢ＝ＬＤ／ＥＡ组件的 在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ〉３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ，该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

SOCl_2/TiCl_4引发体系的α-蒎烯/苯乙烯阳离子共聚反应研究 Ⅰ.SOCl_2/TiCl_4的共聚合性能研究

通过对ＳＯＣｌ２／ＴｉＣｌ４引发体系的α－蒎烯（Ｍ１）／苯乙烯（Ｍ２）共聚产物进行ＧＰＣ、１ＨＮＭＲ以及微臭氧化－薄层层析法等分析表征，证明该引发体系能在宽广的单体投料比范围内实现有效共聚。在确认仅生成共聚物的反应条件下，采用Ｍａｙｏ－Ｌｅｗｉｓ式积分法测得该体系在－３０℃、［ＳＯＣｌ２］＝２０ｍｍｏｌ／Ｌ、［ＴｉＣｌ４］＝６０ｍｍｏｌ／Ｌ、ＣＨ２Ｃｌ２溶剂中的竞聚率分别为苯乙烯ｒ２＝２．３１±０．１５；α－蒎烯ｒ１＝０．５２±０．０６。     

波分复用系统中功率代价的测试

介绍了波分复用（ＷＤＭ）系统中功率代价的起因、测试方法和测试顺序,指出了各种起因对系统性能的影响,并提出了减小相应功率代价的方法。给出了８×２．５Ｇｂ／ｓ×（３×１５０ｋｍ常规单模光纤）ＷＤＭ系统中第６信道和第８信道的功率代价测试结果,ＣＨ８的总功率代价为１．８ｄＢ,其中色散代价为０．８ｄＢ,ＡＳＥ代价为０．９ｄＢ,串话代价为０．１ｄＢ;而ＣＨ６的总功率代价则仅有０．６ｄＢ。     

不同氯含量氯化聚丙烯的热降解

用ＴＧ－ＤＴＧ－ＤＳＣ法研究了低氯化聚丙烯（Ｃｌ－ＰＰ）在空气、Ｎ２气流中线性升温时的热降解，发现随Ｃｌ％增加，主链脱ＨＣＬ的失重率增大，而主链的降解失重率减小；Ｎ２气中平衡热降解温度ＴＰ１、Ｔ０．１随ＣＬ％的提高而下降，而ＴＰ２、ＴＰ３与其无关；空气中ＴＰ１、ＴＰ２随ＣＬ％的提高而下降，Ｔ０．１、ＴＰ３与其无关。     

Scheduling on 2-Machine Flow Shops Considering Disturbance on Job Processing Times

Ｓｃｈｅｄｕｌｉｎｇｏｎ２－ＭａｃｈｉｎｅＦｌｏｗＳｈｏｐｓＣｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇＤｉｓｔｕｒｂａｎｃｅｏｎＪｏｂＰｒｏｃｅｓｉｎｇＴｉｍｅｓＢｏＧｕｏＹａｓｕｏＮｏｎａｋａＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＩｎｄｕｓｔｒｉａｌＭａｎａｇｅｍｅｎｔａｎｄＥｎｇ...