氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３石墨、ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步地观察了氘束轰击下石墨释放ＣＤ４的角分布特性，为托卡马克偏滤器实验中建立ＣＤ４辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索。     

石墨第一壁化学腐蚀的温度特性

石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，入射高能氘离子束单独轰击或和一中和电子束联合轰击石墨以模拟等离子体辐照。石墨样品的温度从３００～１０００Ｋ可调。石墨样品是从进行过氢离子辐照实验的ＳＭＦ－８００石墨第一壁组件上切割下来的，它在氘束轰击下释放的产物（Ｍｅ－１＝２～４４范围内）用四极质谱探头ＳＱ１５６进行原位的分子束质谱分析，得到了在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下石墨样品释放氘甲烷（ＣＤ４）的温度特性，在７８０Ｋ温区有一个因增强的化学腐蚀而形成的释放高峰。分析研究了氘甲烷的温度特性     

石墨及其涂层材料性能的研究

本文在改制后的ＬＡＳ－２０００表面分析设备上对ＳＭＦ８００，Ｇ３石墨和（ＳｉＣ＋Ｃ）／Ｃ涂层石墨的真空出气性能和Ｄ＾＋束辐照化学增强腐蚀性能进行了分析研究。研究表明：ＨＬ－１Ｍ装置第一壁选择ＳＭＦ８００石墨及其处理工艺及合理，正确的。     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验研究

石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，入射氘离子束以３ｋｅＶ的能量单独轰击或和一中和电子束联合辐照石墨，石墨温度从３００－１０００Ｋ可调。石墨在辐照下释放的产物用四极质谱探头进行了原位的分子束质谱分析，得到了１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下石墨释放氘甲烷（ＣＤ４）温度特性，在７８０Ｋ处有一个释放高峰。分析研究了氘甲烷的温度特性，提出氘甲烷产额γ除与石墨表面的氘原子密度     

梯度复合B_4C/Cu面向等离子体材料的制备与表征

基于Ｂ４Ｃ和Ｃu材料具有明显电阻率及熔点差的特点,提出了在超高压下通电快速烧结Ｂ４Ｃ／Ｃｕ梯度复合材料的新工艺．在 ２～４ＧＰａ、１２ｋＷ,４０ｓ及适当的热处理条件下成功制备出了成分分布从０～１００％的接近理论密度的Ｂ４Ｃ／Ｃu层状复合材料;显微观察显示材料的成分和结构是呈梯度分布的．化学溅射实验表明其产额比 ＳＭＦ ８００核纯级石墨降低 ７０％;在Ｔｏｋａｍａｋ原位等离子体辐照下,材料表面无明显损伤．     

二次离子质谱在HL—1M聚变装置中的应用

将ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层，新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计，安装和物理实验过程中，我们用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢，第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化，硅化涂层和ＳｉＣ等涂层材料的真空热解释性能，吸氧性能和化学溅射性能以进行了实验研究，并对装置主轴气扁管内壁的清洁度进行了监测。实验证明了原位硼化，硅化和锂     

二次离子质谱在HL—1M聚变装置中的应用

将ＬＡＳ－２０００型二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层、新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计、安装和物理实验过程中，用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢、第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化、硅化涂层和ＳｉＣ等涂层材料的真空热解释性能、吸氢性能和化学溅射性能进行了实验研究，并对装置主抽气扁管内壁的清洁度进行了监测。实验证明了原位硼化、硅化和锂涂层     

MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导——温度机理

研究了温度对Ｐ型金 石薄膜电导性能的影响，采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的方法在Ｓｉ３Ｎ４基片上制作了掺硼金刚石薄膜，测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系，提出了一种简化的能带模型，解释了电导机理，基于能带模型计算出的电导－－温度关系结果与试验结果相符合。     

氮化硼先驱体的合成研究

收ＮＨ４Ｃｌ与ＢＣｌ３反应合成ＴＣＢ，然后与（Ｍｅ３Ｓｉ２）２ＮＨ和ＢＣｌ３在低温下反应获得具有硼氮六元环结构的ＢＮ陶瓷先驱体聚硼氮烷，并用ＩＲ，ＭＳ，ＤＴＡ，ＴＧ等对聚硼氮烷的结构及热稳定性进行了分析表征。结果表明，降低反应温度可提高聚硼氮烷的习率，决定产物溶解性能的主要因素是反应物料的配料比，反应所溶剂对聚硼氮烷的陶瓷产率影响最大。在１００℃下陶瓷产率可达３５－４５％。     

用于氟化镓铟高数值孔径光纤的氟磷酸盐和氟锆酸盐和氟锆酸盐包 …

为了得到用于１．３μｍ光通讯窗口掺镨化镓铟（ＰＧＩＣＥ）高数值孔光纤，本文报道以ＺｒＦ４－ＢａＦ２－ＬａＦ３－ＡｌＦ３－Ｎａ（Ｌｉ）Ｆ－ＰｂＦ２（ＺＢＬＡＮ（Ｌｉ）Ｐｂ）和ＮａＰＯ３－ＢａＦ２－ＺｎＦ２－ＰｂＦ２（ＦＰＧ）玻璃作为包层材料，研究了芯和包层玻璃在物理性质和化学组分上的匹配性，差热扫描（ＤＳＣ）和电镜（ＳＥＭ）分析表明ＰＧＩＣＺ／ＺＢＬＡＮ（Ｌｉ）Ｐｂ虽在物理性质上匹配，但在化学组分不     

某些氟化物的升华提纯 Ⅱ．ZrF_4和HfF_4的升华提纯

尽管升华方法在除去氧化物方面很有成效，但也必须注意ＺｒＦ４和ＨｆＦ４的水解温度和脱水温度．由于升华方法不能有效地除去象ＦｅＦ３等氟化物杂质．作者根据ＦｅＦ６３－，ＣｏＦ６３－是属于外轨道络合物，它们是不稳定的和容易离解出Ｆｅ３＋和ＣＯ３＋，同时ＦｅＺｒＦ６·６Ｈ２Ｏ也易于离解出Ｆｅ２＋，以致使（ＮＨ４）３ＺｒＦ７和（ＮＨ４）３ＨｆＦ７可以用ＤＤＴＣ－ＣＨＣｌ３，在ｐＨ３～３．５的有效萃取成为可能．在ＺｒＦ４－ＨｆＦ４的二元组分系统中，它们的升华、凝华过程是遵循图２的相平衡规律进行的．用ＸＲＤ检测升华产品，为无水单斜态的ＺｒＦ４或ＨｆＦ４晶体，用ＧＦＡＡＳ检测，升华前后Ｆｅ含量各自为０．８ｐｐｍ和０．５ｐｐｍ，批生产量２５０ｇ．     

某些氟化物的升华提纯：II.ZrF4和HfF4的升华提纯

尽管升华方法在除去氧化物方面很有成效，但也必须注意ＺｒＦ４和ＨｆＦ４的水解温度和脱水温度。由于升华方法不能有效地除去象ＦｅＦ３等氟化物杂质。作根据ＦｅＦ６＾３－，ＣｏＦ６＾３－是属于外轨道络合物，它们是不稳定的和容易离解出Ｆｅ＾３＋和Ｃｏ＾３＋，同时ＦｅＺｒ６·６Ｈ２Ｏ也易于离解出Ｆｅ＾２＋，以致使（ＮＨ４）３ＺｒＦ７和（ＮＨ４）３ＨｆＦ７可以用ＤＤＴＣ－ＣＨＣｌ３可以用ＤＤＴＣ－ＣＨＣｌ３，在     

NdCl3—FeCl3—石墨层间化合物的结构表征及稳定性研究

采用熔盐交换法成功地合成了ＮｄＣｌ３－ＦｅＣｌ３－石墨层间化合物,采用ＸＲＤ技术对其层间结构进行了表征,结果表明所得产物为２,３,４ 阶共存的阶结构,其中３ 阶ＮｄＣｌ３－ＧＩＣ的特征层间距为１６５３．６±２．４ｐｍ 。通过扫描电镜（ＳＥＭ） 观察了其形貌的变化, 同时利用Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ） 测定了各元素的相对含量。分析其插入机制认为, ＦｅＣｌ３ 的存在对ＮｄＣｌ３的插入过程有所影响。同时对其在空气中的稳定性和热稳定性进行了研究。     

B4C在石墨高温粘接过程中的组成和结构变化及改性机理

以酚醛树脂（Ｐｈｅｎｏｌ－ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ ｒｅｓｉｎ,ＰＦ）和Ｂ４Ｃ原料制备的高温粘接剂,对石墨材料进行粘接,并在２００℃、８００℃和１５００℃进行热处理。对粘接样品的强度测试结果表明,粘接部件具有较高的面热温度和粘接强度。利用扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）对不同温度热处理后的粘接界面结构形貌及粘接剂组成进行了分析,研究了酚醛树脂中的Ｂ４Ｃ添加剂在粘接过程中的结构变化及其对提高     

屈服强度对40CrMnSiMoVA超高强度钢腐蚀疲劳纹扩展的影响

研究了屈服强度对４０ＣｒＭｎＳｉＭＫｏＶＡ（ＧＣ－４）超高强度钢腐蚀疲劳（ＣＦ）裂纹扩展行为的影响。结果表明，不同屈服强度时，ＧＣ－４钢在３．５％ＮａＣｌ溶液中的ＣＦ裂纹扩展曲线上，都出现了类似于应力腐蚀的平台区，而且随屈服强度提高，平台区裂纹扩展速度显著增大。研究表明，氢脆在ＧＣ－４钢的腐蚀疲劳中起重要作用，进一步的理论分析与计算表明，屈服强度会影响高温钢氢致开裂的过程和速度。     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

Bi4Ti3O12铁电薄膜的I—V特性测量及导电机理

Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

Q相-C_4AF-C_2S-C_(12)A_7系统中各相共存条件的研究

本文研究了Ｑ相－Ｃ４ＡＦ－Ｃ２Ｓ系统中各相的共存条件。当在Ｑ相生料中加入少量Ｃ４ＡＦ时，会降低Ｑ相的形成温度。但是在高温下由于Ｍｇ２＋在Ｃ４ＡＦ中的固溶，大量的Ｃ４ＡＦ加入时反而不利于Ｑ相形成。这时需要在Ｑ相－Ｃ４ＡＦ生料中加入适量ＭｇＯ。对于Ｑ－Ｃ４ＡＦ－Ｃ２Ｓ－Ｃ１２Ａ７系统，当碱度系数≥１时，Ｑ相、Ｃ４ＡＦ、Ｃ１２Ａ７和Ｃ２Ｓ可在较大范围内共存     

用SEMT和XRD研究改性活性炭纤维的结构

比较了以ＦｅＳＯ４改性ＡＣＦ其表面形态及微晶结构的变化。经过改性，ＡＣＦ表面形态发生了很在大变化－表面被刻蚀，表面孔形态发生变化，ＡＣＦ的石墨微晶尺寸大大减小，出现明显的细晶化趋势。ＳＥＭ和ＸＲＤ两种测试方法的结果基本吻合，在此基础上提出改性模型。