亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器

报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采用阶梯型分布布拉格反射器（ＤＢＲ）及腐蚀倒台面结构，降低了器件串联电阻。对于２×３μｍ２的台面结构ＶＣＳＥＬ，室温连续工作阈值电流一般为１．５ｍＡ，最低达到０．７ｍＡ，阈值电压为２．５伏，输出功率达到０．５ｍＷ，激射波长为０．９４ｕｍ，量子效率为１２％。     

高灵敏度催化元件的研制

本文通过对元件进行表面修饰研制了三种类型气敏催化元件。结果表明，Ｃ类催化元件对所测气体具有较高的灵敏度和选择性，元件的响应时间为Ｔｒｓ〈３０ｓ，恢复时间Ｔｒｅ〈１ｍｉｎ，变异系数ＣＶ〈５％，标准偏差为ＳＤ＝５．３７％，平均收率为９９．９５％，元件的灵敏度为１５９ｍＶ／１％丁烷，在０．０１％－１．６５％范围内具有良好的线性，可用于石油液化气的检测与报警装置。     

ZrO2（Y2O3）纳米粉在超高压下快速烧结

研究了超高压（５ＧＰａ）、高温（１３５０℃）下烧结的ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）纳米材料的结构及相关系。结果表明：水解法制备的纳米（９ｎｍ）２．２Ｙ－ＺｒＯ２粉体经超高压烧结１０ｓ，致密度即达９９．５％以上，晶粒迅速长大达６０ｎｍ。在０￣９９ｓ范围内，随烧结时间延长，２．２Ｙ－ＴＺＰ的ｔ相增加，四方度（ｃ·ａ＾－１）减小，表明Ｙ２Ｏ３固溶进入ＺｒＯ２晶格内。     

PVA／HEC偏光膜的制备与偏光性能研究

研究了采用聚乙烯醇，羟乙基纤维素为主体材料，内含碘化钾，或者碘化锂，用过氧化氢氧化制备ＰＶＡ／ＨＥＣ偏光膜。实验结果表明，选择４．８０ｇＰＶＡ．０．２０ｇＨＥＣ中含有５ｍｍｏｌＫＩ的基膜，用５％Ｈ２Ｏ２水溶液氧化５ｓ，经拉伸，干燥，可制备柔韧性能好的ＰＶＡ／ＨＥＣ偏光膜。根据实验结果，提出了新法ＰＶＡ／ＨＥＣ膜与Ｉ２形成络合物的机理模型。     

高性能2.5Gb／s用的DFB—LD／EA单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ的单片集成ＤＦＢ＝ＬＤ／ＥＡ组件的 在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ〉３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ，该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

改性酚醛环氧—PTFE耐磨防蚀涂层

介绍了一种改性酚醛环氧－ＰＴＦＥ耐磨防蚀涂层。这种涂层Ｔｉｍｋｅｎ试验机上于３１２Ｎ，２．５ｍ／ｓａ下耐磨寿命可达１３５００ｍ／μｍ，摩擦系数为０．１６－０．２０；在スウスト试验机上３ＭＰａ、０．２ｍ／ｓ，干燥空气和相对湿度为５０％中耐磨寿命均大于２．５×１０＾５周。经５％ＮａＣｌ盐雾试验１００ｈ后，底材与涂层的粘结强度，抗冲击强度及     

JK-10型耐电压测试仪综合校验仪

一、技术指标摘要电压部分 :交直流高压数表 ,测量范围１０ｋＶ、２０ｋＶ或３０ｋＶ三种。准确度等级为０．３%～０．５%。电流部分 :测量范围１００μＡ～１００ｍＡ内部测量表 ,准确度等级为０．５% ;外部表测量 ,准确度等级为０．２%。容量部分 :最高做２０ｋＶ耐电压测试仪的标称容量 ,准确度等级为０．５%。时间部分 :可测量包括浮地高压在内的驻留时间 ,测量范围０．００１ｓ～９９Ｈ５９Ｍ,准确度等级为读数的０．２%±２个字。特点 :重量轻 ,便于现场检测 ;价格低 ,可全配 ,也可单配某一部分。二、售后服务 :保修期１８个月 ,维修…     

改性酚醛环氧－PTFE耐磨防蚀涂层

介绍了一种改性酚醛环氧－ＰＴＦＥ耐磨防蚀涂层。这种涂层在Ｔｉｍｋｅｎ（环－块）试验机上于３１２Ｎ、２．５ｍ／ｓ下耐磨寿命可达１３５００ｍ／μｍ，摩擦系数为０．１６～０．２０；在试验机上３ＭＰａ、０．２ｍ／ｓ、干燥空气和相对湿度为５０％中耐磨寿命均大于２．５×１０５周。经５％ＮａＣｌ盐雾试验１００ｈ后，底材与涂层的粘结强度、抗冲击强度及柔韧性等良好，低碳钢底材无锈蚀，可广泛应用于耐磨及防蚀等场合。     

Q相—C2S系统中V2O5对β—C2S稳定性的研究

本文研究了Ｑ相－Ｃ２Ｓ配合料中Ｖ２Ｏ５对β－Ｃ２Ｓ的稳定性问题,结果表明,微量Ｖ２Ｏ５可以稳定β－Ｃ２Ｓ,使Ｑ相与β－Ｃ２Ｓ可在常温下共存;Ｑ相－Ｃ２Ｓ配合料中Ｖ２Ｏ５／Ｃ２Ｓ在０．８～１．０％的范围内Ｖ２Ｏ５稳定β－Ｃ２Ｓ的效果最好。     

PSA制氢技术在我厂的应用

以天然气和蒸汽为原料，采用间歇催化转化法制取水煤气，然后使其经ＰＳＡ制氢装置生产纯氢产品．水煤气处理量为６００ｍ３／ｈ，产品氢纯度≥９９．９９％，露点＜－６０℃，含杂质ＣＯ＋ＣＯ２＋ＣＨ４＜２０×１０－６，Ｏ２＜５×１０－６，纯氢产量２００ｍ３／ｈ．安装了解吸气燃烧系统，可节约天然气１００ｍ３／ｄ．采用ＰＳＡ装置制氢与水电解制氢相比，可节电３５２．５万ｋＷｈ／ａ，且操作、控制简单、可靠，开、停车方便，自动控制和调节系统运行可靠，产品质量好．     

单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件,并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

乳状液膜法分离提取Cu2+

研究了以Ｌｉｘ９８４为流动载体的乳状液膜法分离提取低吕位蓝铜矿浸出液中Ｃｕ＾２＋，考察了各种因素对Ｃｕ＾２＋分离提取率的影响。结果表明，由Ｌｉｘ９８４（体积分数６％）、ＥＣＡ４３６０Ｊ（体积分数５％）和磺化煤油组成的膜相，３ｍｏｌ·Ｌ＾－１ＨＣｌ为内水相，浸出液ｐＨ值为３￣６，油内比Ｒｏｉ－１：１，乳水比Ｒｅｗ－１：５，提取时间６ｍｉｎ后，Ｃｕｚ＾２＋提取率几近１００％，纯度可达９９％以上，富体浓     

G99钢时效过程的Moessbauer谱研究

用Ｍｏｅｓｓｂａｕｅｒ谱学方法研究高强高韧钢Ｇ９９（Ｆｅ－９Ｎｉ－９Ｃｏ－２Ｃｒ－１Ｍｏ）的时效过程，结果表明，在时效过程中Ｇ９９钢的超精细场分布发生明显变化，４８０℃时效５ｈ超精细场高场成分所占比例最大，平均超精细场达到最大值，进效１－３ｈ时，碳化物类型发生变化 。     

基于WO3膜,V2O5膜和Li聚合物凝胶电介质构成的电色器件

基于玻璃／ＩＴＯ／ＷＯ３／ＰＭＡ＋ＬｉＣｌＯ４＋ＰＣ／Ｖ２Ｏ５／ＩＴＯ／玻璃结构的叠型电色器件的研制是为潜在作大面积的Ｓｍａｒｔ窗用。制备的聚合物凝胶电介质室温时最大的离子电导率为１．９２×１０＾－３Ｓ／ｃｍ,在波长４００～２０００ｎｍ范围的透射比为７５％～９０％,并且有优良的自粘两个玻璃电极的能力。对这种叠型ＷＯＰ３／Ｇｅｌ／Ｖ２Ｏ５器件,在６３３．３ｎｍ单角光作用下的透射比变化为６３％（７５６     

多弧离子镀TiN涂层结合力的影响因素

选择Ｗ６Ｍｏ５Ｃｒ４Ｖ２、３Ｃｒ２Ｗ８Ｖ和ＧＣｒ１５等材料研究了多弧离子镀ＴｉＮ涂层也基体的结合力。结果表明,基体表面粗造度越小、硬度越高,支与基体的结合力越好,涂层厚度以２．５～３．５μｍ为最佳,含Ｖ量高的基体和具有强烈ＴｉＮ（１１１）择优取向的除层结合力好。     

PVC／CEVA共混体系相容性研究

采用ＤＳＣ对ＰＶＣ／ＣＥＶＡ溶液共混物的玻璃化转变进行了研究。结果表明，对ＣＥＶＡ／ＰＶＣ质量比分别为１：９、２：８、４：６、８：２的共混体系，各共混物均分别出现一个明显的玻璃化转变温度，表明ＶＡｃ质量含量为５．９％，但氯含量为５８％的ＣＥＶＡ与ＰＶＣ具有较好的相容性，这是ＣＲ－ＭＭＡ－ＣＥＶＡ接枝共聚物对增塑ＰＶＣ人造革显示出较高粘合性能的主要根源。     

InAlAs／InGaAs MSM光电探测器

采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压下暗电流小于２０ｎＡ，对应的暗电流密度为３ｐａ／μｍ＾２，优于已有文献的报导。     

Fe73.5Cu1Mo3Si13.5B9微晶软磁合金的结构及其对磁性的影响

对Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９微晶软磁合金的结构及其对合金磁性的影响了研究，结果表明，在最佳磁性能下，晶相点阵常数ａ＝０．２８４３ｎｍ，相当于Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体中含Ｓｉ％（ｍｏｌ／ｍｏｌ）：１８－２０，体积百分数Ｖ＝７４．８％，晶粒尺寸Ｄ＝１４．６ｎｍ；残余非晶层厚度δ＝１．２３ｎｍ；当Ｔ退火≥５６０℃时明显有Ｆｅ－Ｂ化合物析出。Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的磁性不仅与     

FeCuNbVSiB纳米晶软磁合金及其在电力电子技术领域中的应用

报道了新开发的Ｆｅ７３．２Ｃｕ０．８Ｎｂ２Ｖ１．５Ｓｉ１．５Ｂ１１纳米晶合金的主要磁性能：μ０≥８×１０＾４,ＢＳ＝１．４０Ｔ,Ｐ０．５／２０ｋ≤１９Ｗ／ｋｇ,Ｐ０．５／５０ｋ≤９０Ｗ／ｋｇ。以μ（ｋ）ｔ Ｐ０．５／２０ｋ为参数,研究了合金的温度稳定性。研究表明,与２５℃时全金性能相比,在－５０℃和＋５０℃时合金性能的相对变化率不超过５％。介绍了合金在中、高频功率变压器、传感器、电感器等电力电子技