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介绍了射频与微波的低相位噪声介质振荡器的设计方法。从理论上估算了谐振器的频率,通过仿真实验介质谐振振荡器求出谐振频率,输出功率和相位噪声等。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振路有载Q值、有源器件、增益压缩量等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个Ku波段低相噪振荡器的设计方案。 相似文献
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采用线性时变(LTV)模型分析了电压偏置型CMOSLC交叉耦合压控振荡器(VCO)的相位噪声.以相位噪声为优化目标,元件参数为设计变量,根据理论计算与仿真结果确定了晶体管宽长比和谐振腔电感的最佳值,完成了电路的优化过程.并以此优化结果为依据,用0.18μm CMOS工艺设计、实现了一个芯片面积为1.1mm×0.7mm的LC交叉耦合振荡器.测试结果表明,在1.8V电源电压下,该压控振荡器的频率范围覆盖1150~1210 MHz,10kHz频偏处相位噪声达到-89dBc/Hz,核心电流4.3mA,抑制相位噪声性能优于其他振荡器. 相似文献
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振荡器相位噪声对双站SAR成像影响分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了振荡器的相位噪声对双站SAR系统成像的影响.根据振荡器的相位噪声的幂律模型,给出了双站SAR回波相位误差模型影响及其与单站模型的差异,基于相位噪声变化快慢对成像影响的差异,将其划分成线性误差、二次相位误差和高频误差三种分量,分别定量分析了它们对双站SAR图像偏移、聚焦及副瓣特性的影响. 相似文献
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振荡器相位噪声对双站SAR成像影响分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了振荡器的相位噪声对双站SAR系统成像的影响.根据振荡器的相位噪声的幂律模型,给出了双站SAR回波相位误差模型影响及其与单站模型的差异,基于相位噪声变化快慢对成像影响的差异,将其划分成线性误差、二次相位误差和高频误差三种分量,分别定量分析了它们对双站SAR图像偏移、聚焦及副瓣特性的影响. 相似文献
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利用补偿技术来减少因机械振动而引起石晶体振荡器附加相位噪声,其设计方法是将极化器产生的信号通过幅度和相位可调节的补偿器,并传输给振荡器以抵消附加噪声,经过实验测试,振荡器的附加噪声大大下降。 相似文献
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晶振在振动环境下产生严重的相位噪声恶化,由于其多学科交融的物理性质和在电子系统参考源中的应用价值而受到广泛关注。随着机电一体化设计理念的发展,研究振动环境下的信号调谐模式和探索它们独特的物理性质已经成为可能。该文从晶振的工作原理出发,分析了振动条件下相位噪声恶化的调谐原理,首次提出了一种新的晶振相位噪声振动恶化特征的物理表征方法。此外,搭建了晶振相位噪声测试系统,利用实验数据定量研究了各种输入条件对晶振电气性能的影响,并编制了相应的算法来进行求解,得出了非线性数学关系。最后,结合实验数据验证了机电一体化分析思路及物理表征方法的合理性,得到了晶振模块的振动稳健性矢量。 相似文献
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闪烁相位噪声引起的Allan方差 总被引:1,自引:0,他引:1
在激光频率与各类振荡器(如铯、铷以及晶体等)频率稳定度的分析中,Allan方差的理论获得广泛的应用。但对闪烁相位噪声所引起的Allan方差公式中的常数,许多文献给出的数值相差很大。本文推导出的数值为4.038。 相似文献
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相位噪声性能影响系统性能,低性能相位噪声不能满足系统要求,而过分追求高性能相位噪声会使本振的造价昂贵,以QPSK通信系统为例从理论上分析了本振相位噪声与系统误码率的关系,并且给出了如何确定相位噪声的具体指标,有助于系统设计师合理分配系统中本振的相位噪声。 相似文献
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相位噪声测试结果的分析与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简单介绍了相位噪声测量的各种方法,主要对相位噪声测试结果的正确分析与应用方法进行了介绍,并就工程技术人员关心的相位噪声与阿伦方差和时域抖动的换算方法进行了描述。 相似文献
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滤波器相位的非线性引起的信号失真是超短基线接收机系统中必须要解决的问题之一。采用常规滤波器与全通网络级联的方法设计了一种相位均衡器,解决了仅使用常规滤波器带来的非线性相位问题,使超短基线接收机在带宽内保持线性相位。给出了全通网络的原理、电路结构推导,分析了该网络中各参量对相位的影响。在设计实例中,相位均衡技术应用到实际硬件电路中进行测试,并结合试验数据及仿真结果对系统的性能进行评估。测试结果证明了相位均衡器可以实现相位的均衡校正功能,在水声接收机领域中有良好的应用前景。 相似文献
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J.J.Gagnepain 《计量学报》1984,(4)
本文把振荡器内的噪声分为两大类:其一是附加噪声,是由热噪声引起的,又可分为内附加噪声和外附加噪声两种;其二是参数噪声,来源于振荡器参数的变化。文中给出了这些噪声与输出信号的相位谱密度及阿仑方差之间的定量关系式。文章介绍了石英谐振器噪声特性的测量系统,从理论和实验上给出了相对频率起伏的谱密度与谐振器无载Q值的关系。文中还介绍了一种新型的SC切割晶体,其频率温度效应可减少两个数量级。 相似文献
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通过对LC压控振荡器原理的分析,设计了一种新型CMOS集成压控振荡器.该电路通过利用振荡器的输出产生高电压来控制开关电容阵列的开启来实现输出频率在不同频段中转换,从而提高输出频率范围和降低相位噪声.电路采用TsMc18rf工艺,用cadence的spectre工具进行仿真.结果表明:在0.6V的电源电压下,频率覆盖了2.07GHz到2.78GHz,可调控范围约为29%,总功耗约为1.8mw,1MHz频偏处相位噪声约为一120dB/Hz,满足了设计要求. 相似文献