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采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出纳米ZnO镶嵌SiO2非晶薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计研究了纳米Zn0镶嵌SiO2薄膜相比纯ZnO纳米薄膜结构的变化及镶嵌结构对其光学特性的影响.研究发现与纯ZnO纳米薄膜相比,纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜结构样品呈非晶结构,在紫外区光吸收系数以及光学带隙明显增大,光吸收以及光学带隙的变化与样品制备的衬底温度有关.研究结果表明,由于SiO2的特殊结构实现了对纳米ZnO的束缚,减少了ZnO纳米粒子的集聚,使得量子限制效应变得显著,导致复合膜光学带隙的明显增大以及吸收边的蓝移. 相似文献
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利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4∶ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明:器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压(p-Si接正极)下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压(p-Si接负极)下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。 相似文献
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镶嵌在SiO2薄膜中的锗纳米晶粒的光致发光 总被引:6,自引:0,他引:6
采用630nm波长的激发光在室温下对镶嵌有锗纳米晶的SiO2薄膜进行了光致姚研究。在室温下观察到了由于双光子吸收而导致的蓝色荧光峰。按照量子限域理论对所观察到的峰的特征进行了讨论。 相似文献
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用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/pSi结构的电致发光.利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心. 相似文献
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本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。 相似文献
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纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性 总被引:3,自引:0,他引:3
采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。表明,薄膜由晶态的GaAs及非晶Sdisplay status两相组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化且以纳米颗粒形式均匀地弥散;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度,成功地获得了GaAs的平均粒径分 相似文献
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研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程,计算了ZnS:Mn^2+中声学声子,极化光学声子,电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系,对各种散射这程了比较,发现极化光学声子散射及谷间散射较为重要,杂质散射的重要性取决于浓度的大小。同时研究了它们在不同能谷中的行为,进而研究了温度对散射过程的影响。 相似文献
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A series of transparent titanium dioxide thin films have been obtained on microscope glass slides by means of r.f. magnetron reactive sputtering using Ar and O2 mixed gases. The photocatalytic activity of the TiO2 thin films was evaluated by the degradation of rhodamine B dye wastewater. The influences of substrate temperatures and total sputtering pressures on the photocatalytic activity of the TiO2 films were investigated. It was observed that substrate temperature had little influences on the photocatalytic activity, but the photocatalytic activity of the TiO2 thin films was improved by decreasing the total sputtering pressure. 相似文献
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利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜.利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响.结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率.氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力. 相似文献
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利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响. 相似文献
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采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。 相似文献
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利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构. 相似文献
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反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在氧气和氩气的混合气体中,在没有额外加热的条件下用反应射(RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a-SiO2)薄膜,并测试分析了薄膜的结构和电特性与O2/Ar流量比的关系。当固定氩气流量,改变氧气流量时,薄膜沉积速率先急剧减少,再增大,然后又减少。当O2/Ar≥0.075时,得到满足化学配比的氧化硅薄膜。并且,随着O2/Ar流量比的增大,薄膜的电阻,电场击穿强度都有所增大,而在HF缓冲溶液(BHF)中的腐蚀速率下降,所有的样品中无明显的H-OH水分子的红外吸收峰。比较发现反应射频(RF)磁控溅射法制备的a-SiO2薄膜具有良好的致密性和绝缘性。 相似文献
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Optical and electrical characterization of r.f. sputtered ITO films developed as art protection coatings 总被引:1,自引:0,他引:1
Transparent and conductive tin-doped indium oxide (ITO) films have been prepared by r.f. plasma sputtering technique in Ar and Ar + O2 gas mixture. The influence of the deposition conditions, film thickness, and substrate heating, as well as the post-annealing treatment on the optical and electrical properties of the ITO films has been investigated.The present study has extended the optical behaviour characterization of the ITO films in a wide UV-VIS-IR spectral region in addition to the comprehensive optical studies of this material at shorter wavelengths.The optical constants: refractive index (n), extinction (k) and absorption (α) coefficient, and the optical band gap (Ego) have been calculated for the ITO films in the spectral range between 350 and 2500 nm. A combination of several well-known theoretical models has been applied to describe precisely the complex optical behaviour of ITO films in separate spectral parts. In this approach, a good overlapping between the experimental and the simulated spectra in the whole investigated spectral region has been achieved.The deposition conditions and the optical and electrical properties of the ITO films have been optimized with respect to the requirements for their applications in art protection coatings. 相似文献