共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
《电子工程师》2003,29(3)
功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M… 相似文献
7.
正国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装,由于使用IR的Gen7薄晶圆沟道技术,可提供极低VCE(ON)和超高速开关,从而把感应加热产品内的导通和开关损耗降到最低,实现高系统效率。新器件的电压范围可扩 相似文献
8.
9.
10.
国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I… 相似文献
11.
<正> R-78BXX-1.5是 RECOM 公司推出的一款新型开关型三端稳压器模块(直流DC/DC 转换器),设计用来替代线性型三端稳压器78XX 系列,它适用于便携式仪器的应用。78XX 系列三端稳压器是大家熟知的电源器件,它有不同的输出电压(如5V、6V、9V、1 2V、15V、18V 及24V)、不同的输出电流(1.5A、500mA 及100mA(500mA 相似文献
12.
13.
《电子技术》2006,33(1):71-71
按照ADI公司的iCMOSTM(工业CMOS)工艺生产的ADG1233和ADG1234单刀双掷(SPDT)模拟开关采用±12V或±15V双电源工作,从而提供业界最低的电容和电荷注入。它们具有很低的关断电容(1.5pF)和电荷注入(<1pC)特性使它适合要求低毛刺和快速建立时间的数据采集和采样保持应用;快速导通和关断的开关速度(120ns和40ns)以及-3dB的带宽(900MHz)使它们非常适用于视频切换(可能需要外部视频缓冲器)。该模拟开关具有120Ω导通电阻,3.5Ω通道间匹配度和在0~VDD信号范围内有20Ω的导通电阻偏差。ADG1233/ADG1234器件满足了工业设计工程师对提… 相似文献
14.
15.
16.
《电子与电脑》2005,(8):64
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日推出新型的DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。例如,电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619和IRF6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。IR中国及香港销售总监严国富指出:“IRF6619和IRF6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代4个标准的D-PakMOSFET,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间… 相似文献
17.
为满足传感器应用的低功耗需求,设计并实现了一种低功耗Sigma-Delta模数转换器(ADC)芯片。该ADC采用一阶全差分开关电容Sigma-Delta调制器,且集成了可编程增益放大器(PGA)和Bandgap;使用1.5 bit量化结构,相较于1 bit量化结构减小了3 dB的量化误差;使用优化的反馈电路,减小了电容失配引入的误差;PGA采用轨到轨的运放电路拓扑,增大了整个芯片的电压适应范围。基于180 nm CMOS工艺对该ADC进行了设计和流片。测试结果表明:该Sigma-Delta ADC在采样频率512 kHz、过采样率(OSR)为256时,峰值信噪谐波失真比(SNDR)和有效位数(ENOB)分别为75.29 dB和12.21 bit,芯片功耗仅为0.92 mW。芯片能在2.3~5.5 V宽电源电压范围内正常工作,可实现最大128 V/V的增益。适用于小型传感器的信号测量应用,可以满足小型传感器低功耗、高精度的需求。 相似文献
18.