Culnse_2/CdS薄膜太阳电池的制备工艺

分别用三源共蒸发法和双源共蒸发法制备出CuInSe_2(简称CIS)膜和CdS膜,p型CIS与n型CdS组成异质结太阳电池.提高此种太阳电池性能的关键是必须严格控制工艺条件使CIS膜达到合适的组分比和电阻率.在空气中退火能大幅度提高太阳电池性能.     

三洋量产高效HIT太阳电池

日本三洋公司近日宣布量产目前光电转换效率达到21.6%的高效HIT新型混合型结晶硅太阳电池,基于该电池的HIT N系列240 W太阳电池组件转换效率可达19%,它是迄今为止量产化的太阳电池板中转化效率最高的.将于2011年在欧洲上市.此款N系列的太阳电池板是由带有本征薄层的异质结(HIT)太阳电池组成.     

过去十年硅太阳电池研究的进展

光伏界的专家们曾经认为硅太阳电池转换效率在实际器件上的极限为20%.在过去十年中不仅硅电池的性能已大大超过了这一极限,连聚光和非聚光硅电池板也达到了这个效率.本文着重介绍国际上硅太阳电池研究在过去十年的进展.     

康耐视In-Sight视觉系统完善太阳电池板产品

作为太阳电池制造商,德国Würth Solar公司的当前生产量已达到90%并且还在不断增长。在玻璃基板上制作印制电路板(PCBs)是一项艰难的工作。2000年,这些CIS涂层先锋还是利用其Marbach向导装置开发1200mm×600mm规格太阳电池模板的世界领先者。自从开始在德国生     

国外空间多结太阳电池技术进展

报道了国外主要空间太阳电池生产公司最新产品的生产和应用情况。德国AZUR SPACE公司研发的3G30-advanced电池效率达到29.8%,已在德国科技卫星TET-1上使用。美国Emcore公司ZTJ电池批产效率为29.5%,已生产了超过300 000片电池,在多项空间项目中得到应用。美国Spectrolab公司反向生长三结太阳电池转换效率达到32%,正在开发四结的反向生长太阳电池。日本JAXA开发的薄膜双结太阳电池TF2J转换效率达到25%,通过实验可达到低轨5年和高轨10年的寿命要求。     

对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法

用液相外延技术制备p-Ga_(1-x)Al_x/p-GaAs/n-GaAs结构的太阳电池,并获得AM1效率20.2%,AM0效率16%～17%.现已用研制出的GaAs电池单片,组装成组件,安装在我国1994年2月8日发射的实践4号卫星上作挂片实验.作者对此结构太阳电池提出一点新看法,同时提出北场GaAs太阳电池构想.     

世界最高效率太阳电池的记录

1999年11月1日,光电转换效率达到创记录的32%的ＧａＡｓ多结太阳电池由美国能源部国家可再生能源实验室(ＮＥＲＬ)和光谱实验室研制出来。这么高的效率使得这种太阳电池用在地面聚光系统将会有很大的应用前景。位于Ｓｙｌｍａｒ,Ｃａｌｉｆ.的光谱实验室“生长”了这种创记录的电池。后续工艺由ＮＥＲＬ完成。在实验室的太阳能研究设备下测得的光电转换效率为323%。类似的高效太阳电池———已经由ＮＥＲＬ发明和发展了10多年并且由光谱实验室生产———获得了接近30%的效率。这么高的效率使得ＧａＡｓ多结太阳电池对大功率空间卫星这一主要…     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破

从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史.     

Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池研究进展(Ⅰ)

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池.此电池具有如下特点:(1)光电转换效率高.2008年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积CIGS薄膜太阳电池光电转换效率已达到19.9%,是当前各类薄膜太阳电池的最高记录.     

世界最先用液体硅涂覆工艺的高性能太阳电池

日本高等科技研究所(JAIST)材料科学研究学科的下田达也教授,近日宣布开发出世界首次采用液体硅涂覆工艺,具有性能良好的半导体特性的非晶硅薄膜太阳电池。通过仅涂覆非光伏材料p-i-n型[1]中间i层的工艺,制作出的电池单体的转换效率为1.79%。希望当非晶态硅太阳电池的光电转化效率提高后,能利用卷到卷式的生产方式进行大规模硅太阳电池的生产。     

空间用三结砷化镓太阳电池的生产管理

介绍了三结砷化镓太阳电池的生产管理。通过以合理安排生产计划,做好生产线质量计划;分析不合格原因,提出改进措施;优化三结砷化镓太阳电池结构;采用SPC技术对生产过程进行分析和控制等途径,将三结砷化镓太阳电池成品率从72.6%提高为85%以上,三结砷化镓批产效率从平均光电转换效率为26.8%提高到28%以上,缩短工程型号所需的生产周期,提高了空间型号用太阳电池阵输出功率。     

新闻

新技术将太阳电池光电效率提高80%美国橡树岭国家实验室的研究人员利用新的技术,将一种光电效率比较差的太阳电池的转换效率从1.8%提升至3.2%,提高了80%。Jun Xu领导的研究团队创造了一种基于三维纳米锥的太阳电池平台,解决     

具有银背反射器高效大面积硅太阳电池

叙述在硅太阳电池背电极上采用光反射率高的银作背反射器,提高了太阳电池内部的反射率,尤其是有效地利用了长波范围内的太阳光,从而提高了硅太阳电池转换效率.采用此项新技术,结合常用的基础工艺技术,成功地开发出转换效率为14.7%的单晶硅太阳电池.经测试其参数为:短路电流密度42.5mA/cm~2;开路电压595mV;曲线因数0.79;经环境考核试验,电池耐湿性能、抗拉强度、高低温冲击试验等可靠性指标均符合要求.该电池可用于本未近太阳探测器及低轨道卫星空间电源.     

III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破

从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等,越来越多的太阳电池技术日趋成熟。     

32％效率三结砷化镓太阳电池设计与在轨应用

采用晶格小失配的GaInP/GaInAs/Ge三结砷化镓太阳电池结构,通过增加顶电池与中电池中In组分,选取带隙组合为1.87 eV/1.35 eV/0.67 eV的结构体系,使顶、中电池光吸收下限分别红移15和40 nm左右,提高了三结砷化镓太阳电池的电流密度,提升了太阳电池光电转换效率,研制出平均光电转换效率为32%(AM0,25℃)的三结砷化镓太阳电池。该太阳电池已成功应用于PakTES-1A卫星太阳电池阵,入轨初期由其SG1与SG5子阵在轨电流数据计算对比地面同工况测试结果,差异仅为-0.2%和0.5%。产品可用于后续航天器高效率太阳电池阵。     

硅基太阳电池栅极的变墨滴喷印优化技术

多次喷印是提高太阳电池效率的主要方法之一,但是多次喷印栅线展宽是此技术遇到的难点之一。本文以不增加印刷材料成本和栅线电阻值为前提,提出采用变墨滴体积多次喷印工艺方案。研究结果表明,采用变墨滴体积多次喷墨印刷技术能够降低太阳电池的栅线面积占太阳电池有源区域面积的比,能使光电转换效率处于13%～20%的硅太阳电池的光电转换效率增加0.41%～0.64%。     

CIS(CIGS)薄膜在乙醇中的一步电沉积制备

利用一步电沉积法在乙醇溶液中制备出CIS和CIGS前驱体薄膜,并在氩气氛中进行550℃、30 min的热处理。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及自带能谱仪(EDS)对薄膜进行测试表征,并对电沉积CIS(CIGS)薄膜的机理进行了初步探讨。结果表明热处理后的薄膜物相纯净且结晶度高,表面致密、均匀,EDS分析表明所制备的CIGS薄膜为轻微贫铜膜,原子比[Ga]/([In]+[Ga])为0.24,分布在高效太阳电池所需比值范围内。     

空间太阳电池研制与应用(长摘要)

随着空间技术发展的需要和卫星技术在海湾战争中的重大作用,各国都预感到发展空间技术的重要.40年来世界各国已发射4048个飞行器,其能源系统90%是太阳光伏系统,从而推动太阳电池的迅速发展,已形成一门太阳光伏技术和工程,主要表现为:第一,太阳电池在空间应用达到新水平:太阳电池以硅太阳电池为主,开始向化合物电池发展,提高效率,改进结构,增加寿命,适应空间环境.目前背反射器电池(BSR)AMO其η=     

薄膜太阳电池的新进展

美国能源部国家可再生能源实验室(ＮＲＥＬ)近来报道,ＣＩＧＳ薄膜太阳电池的光电转换效率已经达到188%。该结果是于1999年11月25日得到的,创下了薄膜太阳电池光电转换效率的新纪录。研制该类电池的目的是在提高太阳电池转换效率的前提下降低太阳电池的制造成本。ＣＩＧＳ太阳电池有良好的户外可靠性和稳定性。ＮＲＥＬ的研究者认为还有更大的改进余地来提高转换效率。此类电池可用于地面,也可用于空间。报道没有指明池是制作在玻璃上还是制作在柔性塑料或不锈钢基片上薄膜太阳电池的新进展$信息产业部电子第十八研究所@孔凡建…     

二十一世纪的太阳能发电站

图1是将太阳电池组装在静止轨道上的宇宙太阳能发电站的示意图。地球上可获得一千万千瓦的电力。所使用的太阳电池的效率在100℃时为10.3%,输电微波频率为2450兆赫,变换、传输的总效率为58.3%。