氧氩流量比对RF溅射ZnO:Mg薄膜结构及光学性能的影响

利用射频(RF)磁控溅射技术,采用单质Zn靶和 MgO陶瓷靶共溅射,在O₂和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO(ZnO:Mg)薄膜,并通过改变O₂和Ar的流量比O ₂/Ar,研究了 对ZnO:Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室 温下O₂/Ar在1∶1～3∶1 范围内制备的薄膜均为单相的ZnO(002)薄膜,薄膜具有三维(3D)的结核生长模式;沉积的 ZnO:Mg薄膜在 N₂氛下200℃退火处理后,O₂/Ar为3∶1制备的薄膜在380～1200nm光谱范围内具有较高的透过率,可见光区平 均透过率约为85%、最大透过率达90%;薄膜的光学带隙 Eg为3.51eV,Mg掺杂对ZnO薄膜的光学带隙具有 较为明显的调制作用;采用极值包络线法计算表明,薄膜在589.3nm 处的折射率为1.963,膜厚约285nm。     

退火Cu2O薄膜的结构及光学特性

采用射频(RF)磁控溅射单质金属铜(Cu)靶, 在O₂和Ar的混合气氛下制备了Cu₂O薄 膜,并在N₂气氛下对预沉积的Cu₂O薄膜进行快速光热退火(RTA)处理,研究了 衬底温度及退火温度对Cu₂O 薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度在300℃以 下预沉积的Cu₂O薄膜 为非晶薄膜,退火处理对Cu₂O薄膜的结晶行为有明显影响,在N₂气氛下对Cu₂O薄膜进 行退火处理不影响薄膜的物 相结构;预沉积和退火Cu₂O薄膜在650nm以下波长范围内均有较强 吸收,吸收强度随退火温度的增加而增强,薄 膜在400nm以下波长范围内出现两个由缺陷引起的中间带(IB)吸收行 为,快速热退火处理不能减少或消除薄膜沉积 过程中形成的缺陷态;退火处理影响薄膜的光学带隙Eg,预沉 积薄膜经600℃退火处理,E_g值增大了 0.26eV。     

退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响

以纯度为99.95%、Al₂O₃为2wt.%的 ZnO-Al₂O₃金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬 底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度 对AZO薄膜的形貌、导 电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面 形貌与结晶特性 进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结 晶度变好;场发射 性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当 退火温度为300℃时, AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm, 发光均匀性较好,亮度达到650cd/m²,导电 性能最好,电阻率为5.42×10－4 Ω·cm。     

高声速（100）择优取向AIN薄膜的制备和性能研究

采用射频磁控溅射法,通过改变工艺参数在n型（100）Si片上制备了表面粗糙度小、以（100）面择优取向的AlN薄膜。研究了高温退火、N2结尾等工艺对AIN薄膜择优取向的影响。结果表明,增大工作气压有利于薄膜（100）面择优取向,但是随着工作气压升高薄膜沉积不均匀,通过退火可以减少这种缺陷;N2-Ar比低有利于（100）...     

磁控溅射法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜

采用磁控溅射FeSi₂、Si靶加后续退火法在6H-SiC(0001)衬底上成功制备了β-FeSi₂薄膜.采用XRD、SEM、AFM和Raman等测试手段对β-FeSi₂薄膜的结构及形貌等特性进行了表征。XRD结果表明,当退火温度从500℃增加到900℃时,溅射的非晶FeSi₂薄膜逐步相变为β-FeSi₂薄膜,且其最佳的退火温度为900℃;SEM测试结果表明β-FeSi₂薄膜表面较为平整、致密,β-FeSi₂/6H-SiC界面清晰陡峭,薄膜表面粗糙度(RMS)为0.87nm;β-FeSi₂薄膜的光学带隙为0.88eV。由此获得了在6H-SiC衬底上制备多晶β-FeSi₂薄膜的最佳工艺条件。     

溅射压强对ITO/Cu2O复合膜结构和光学性能的影响

利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡(ITO)导电玻璃为基底,采用单质金属Cu 靶作为溅射靶,在O₂和Ar的混合气氛下沉积了Cu₂O薄膜。通过调控溅射压强,研 究了脉冲磁控溅射沉积法在不同溅 射压强下对Cu₂O薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O₂、Ar流 量比(O₂/Ar)为20∶90的气 氛条件下,在2～3Pa的溅射压强范围内,可获得纯相的Cu₂O薄膜;薄膜表面形貌依赖于 溅射压强,薄膜表面粗糙度的 均方根(RMS)值随溅射压强的增大而减小;在ITO上沉积Cu₂O 薄膜后,薄膜的光学吸收边红移至780 nm, ITO/Cu₂O复合膜的光谱吸收范围拓展至300～780 nm,复合膜的吸收强度随溅射压强的增 大而减小,光学带隙E_g 随溅射压强的增大而增大,E_g值为2.28～2.39eV。     

六方氮化硼薄膜制备及其压电响应的研究

采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工艺参数在n型Si(100)片上制备六方氮化硼(h-BN)薄膜。通过傅立叶红外(FTIR)光谱仪,X射线衍射(XRD)仪进行结构表征,原子力显微镜(AFM)进行表面形貌和压电性能表征。测试结果表明,在射频功率为300 W、衬底温度为500℃、工作压强在0.8Pa、N2与Ar流量比为4∶20和衬底偏压在-200V时制备的六方BN薄膜具有高纯度、高c-轴择优取向,颗粒均匀致密,粗糙度为2.26nm,具有压电性并且压电响应均匀,符合高频声表面波器件基片高声速、优压电性要求。薄膜压电性测试研究表明,AFM的PFM测试方法适用于纳米结构半导体薄膜的压电性及其压电响应分布特性的表征。     

高压退火气氛对溶液法制备a-IGZO薄膜光学特性的影响

利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响。实验结果表明,当退火气氛为O₂时,压强由0.1 MPa增加到1.5 MPa,薄膜的光学带隙由3.23 eV增大到3.31 eV,表面粗糙层由6.77 nm降低到4.77 nm。与N₂气氛相比,1.5 MPa O₂气氛下薄膜的光学带隙有所提高,表面粗糙度也有所降低。因此,在1.5 MPa O₂气氛下,可以有效降低薄膜内部有机物的残留及缺陷,形成更加致密的非晶a-IGZO薄膜。     

高频声体波延迟线用极薄AlN薄膜制备研究

该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的产品。     

渠道火花烧蚀法制备In2O3∶Mo透明导电薄膜

采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In₂O₃∶Mo透明导电薄膜，研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响. 在基板温度Ts=350℃时，薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势. 薄膜电阻率最小值是4.8e-4Ω·cm，载流子浓度为7.1e20cm^-3. 载流子迁移率最高可达49.6cm²/ (V·s) . 可见光区域平均透射率大于87%以上，由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV. X射线衍射分析表明，薄膜结晶性良好并在（222）晶面择优取向生长. 原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm，峰谷最大差值为15.4nm.     

激光衍射法测量表面张力和表面压

实验上实现了低频液体表面波的激光衍射,提出了激光衍射法测量液体表面张力和表面压。当激光斜入射到几百赫兹液体表面波上,观察到反射光形成稳定的、清晰的衍射光斑。理论上导出了衍射光斑的角宽度和表面波波长的解析关系,实验上验证了液体表面波的色散关系,计算了蒸馏水的表面张力和蒸馏水中加入不溶性表面活性剂———“苯”单分子膜的表面压。根据其机理,建立起一种实时、非接触测量液体表面张力和表面压的实用方法。     

机场场面监视雷达系统设计

机场场面监视雷达是机场地面态势监视的重要手段,目前机场场面监视雷达产品几乎全部为国外公司制造。首先, 给出了机场场面监视雷达的系统功能要求,并分析了对其具体技术要求;然后,提出了一种机场场面监视雷达系统的设计方案,介绍了方案的主要特点、系统组成、工作原理和关键技术;其次,根据场面监视雷达回波信号的特点,给出了基于数字图像处理思想的目标检测新方法;最后,介绍了场面监视雷达工程样机的研制和试验情况,给出了试验结果。文中提出的方法对于场面监视雷达系统的研制有一定借鉴意义。     

生物医学表面信息检测新方法研究

本文在血液等液体的表面上，激振出了一维表面波光栅，当激光束照射时，形成一列线阵分布的衍射光斑，它包含了生物表面特性的光信息，用电荷耦合器件等光电系统采集光信息与处理数据，从而为定量地表征生物表面信息，开创了新的研究途径。     

用于波前校正的自由曲面反射镜设计方法研究

自由曲面反射镜拥有能够校正高能固体激光系统的波前畸变的能力。使用自由曲面反射镜进行波前校正,对镜子加工设计的精度有很高的要求。基于波前的相位互补原理,设计了自由曲面反射镜。并通过BP神经网络算法进行曲面重构,拟合出满足数控加工要求较高精度的自由曲面方程。     

碳化硅表面硅改性层的特性研究

为了获得具有高质量光学表面的非球面碳化硅反射镜,需对碳化硅反射镜表面进行改性。介绍了离子束辅助沉积硅的碳化硅表面改性技术。对改性样片表面硅改性层的机械性能、光学加工性、表面粗糙度及反射率等特性进行研究。实验结果表明,碳化硅表面的硅改性层具有优良的机械性能和良好的光学加工性。光学抛光后,碳化硅表面硅改性层的表面粗糙度为0.85nm[均方根(RMS)值],在可见光波段反射率最高可达98.5%(镀银反射膜)。采用数控加工方法对口径为Ф600mm的表面改性离轴非球面碳化硅反射镜进行加工,最终反射镜面形精度的RMS值达到0.018λ(λ=0.6328μm),满足高精度空间非球面反射镜的技术指标要求。     

界面电磁学的理论与应用

近年来以超构表面(metasurface)为代表的各种新型电磁表面在微波、太赫兹、光学频段不断涌现，一个新的被称为“界面电磁学”的电磁学研究领域正在逐渐浮现。文章首先对界面电磁学做了一个概述，主要明确了其学科定位和研究框架。基于其研究框架，对界面电磁学的基础理论、表面设计和系统应用三个方面逐一进行了深入介绍。相信界面电磁学的系统深入研究将会给电子信息系统带来重大的影响和变革。     

表面活性化常温结合过程中表面微观形貌变化的AFM研究

用表面活化方法实现了Ａｌ和Ｓａｐｐｈｉｒｅ之间常温直接结合，用原子力显微镜研究了电解腐蚀，高速原子束轰击和压接等过程中样品表面微观形貌及微粗糙度的变化，提示了压接前样品表面微观粗糙度对接合强度的影响，为优化表面活性常温结合过程控制，提高了ＳＡＢ接合强度提供了的实验依据。     

表面张力在PCB生产中的应用

概述了表面张力在PCB生产过程中的作用。     

Windows下利用DirectX进行PPI显示程序的开发

主要论述在Windows操作系统下，利用DirectX实现PPI实时显示的一种方法。该方法改善了Windows系统的实时性、大大提高了图形的处理速度，并且已通过了程序验证。     

金属目标后向散射特性与表面温度场关系的研究

本文研究金属目标的后向散射特性与入射角、表面温度场之间的关系。根据现有条件设计了实验装置,并用该装置测量了部分实验数据。相关结论对激光探测等领域的研究具有一定的参考价值。