CSR与TSMC扩大合作至90nm嵌入式闪存制程技术与硅知识产权

无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系,CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。     

TSMC率先推出具备100MHz读取速度的嵌入式闪存IP

TSMC近日宣布，推出在单一频率周期下闪存读取速度高达100MHz的90纳米嵌入式闪存集成电路知识产权（IP），可广泛支持应用于汽车、通信以及工业领域的各类微控制器产品。     

宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18μm

正上海宏力半导体制造有限公司(以下简称"宏力半导体"),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18μm"超低漏电"(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存工艺平台。0.18μm"超低漏电"嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的"超低漏电"工艺平台在宏力半导体现有的0.18微米"低功耗"(Low-Power,LP)工艺平台上实现了进一步技术提升,其N/P晶体管在1.8伏操作电压下可分别输出与"低功耗"工艺等同的525/205μA/μm驱动电流,但其N/P管静态漏电分别仅为0.6pA/μm和0.2pA/μm,达到业界领先水平。     

SST与TSMC合作90nm闪存技术

闪存厂商超捷（SST）和台积电公司（TSMC）已达成了一项新的技术开发和授权协议，以推出首项可授权90nm嵌入式闪存技术。根据该协议，TSMC将授权SST的新一代90nm超快闪（SuperFlosh）技术作为TSMC嵌入式闪存记忆技术组合的一部分。     

一种低压高速灵敏放大器电路的设计

提出了一种适合于低电源电压嵌入式闪存系统的高速高抗干扰能力的灵敏放大器。讨论了应用在这个灵敏放大器中的多相位预充、自调节负载及新型的箝位技术。提出的灵敏放大器电路在0.18μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明:提出的灵敏放大器达到9ns的访问时间。     

和舰科技成功开发完成0.18μm嵌入式闪存记忆体技术

和舰科技(苏州)有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布,已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0.18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆     

非易失MAX 10 FPGA及评估套件

正采用TSMC的55n m嵌入式闪存工艺技术,MAX 10 FPGA这一革命性的非易失FPGA在小外形封装、低成本和瞬时接通可编程逻辑器件封装中包含了双配置闪存、模拟和嵌入式处理功能。MAX 1FPGA现已开始发售,由多种设计解决方案提供支持,这些方案加速了系统开发,包括Quartus II软件、评估套件、设计实例,以及通过Altera设计服务网     

无源UHF RFID芯片中低功耗基带处理器的设计

对UHF RFID标签芯片的数字基带处理器结构及工作原理进行了分析。该基带处理器兼容ISO18000-6C协议。采用一系列先进的低功耗技术,如门控时钟技术、减小工作电压、降低时钟频率等,以降低无源射频识别标签的功耗。整个标签芯片采用TSMC 0.18μm 1P5M嵌入式EEPROM混合CMOS工艺实现。测试结果表明,该芯片正常工作的最低电压仅为1 V,平均电流为6.8μA,功耗为6.8μW,面积仅为150μm×690μm。     

每月新品

LPC2130:32位ARM微控制器咨询号:101 飞利浦电子公司推出5种带有512KB闪存的32位ARM微控制器LPC2130系列,和现有的32位ARMMCU相比,速度提高了1倍,性能提高了3倍,该设计用于各种嵌入式系统,包括工业控制、计算机外设和医疗市场。LPC2130系列采用0.18μm CMOS工艺技术,提供60MHz闪存,具有低功耗工作和内置纠错功能。     

基于ASIC的无线局域网中数字基带AGC的设计

AGC是无线通讯系统的重要组成部分。从工程设计的角度出发,阐述了如何使用专用电路而非DSP芯片来设计一个数字基带部分的AGC,以及AGC重要参数如何选择。此AGC已经通过了TSMC(台基电)0.18μm COMS工艺的综合与布局布线,并用于北京市嵌入式重点实验室802.11无线局域网芯片ELAB2451和ELAB2551中。     

面向海关应用的UHF RFID电子标签芯片基带处理器

设计了一款基于ISO 18000-6C协议且适用于海关集装箱运输监控的数字基带处理器。提出并分析了数字基带处理器的总体结构以及模块划分,详细介绍了锁离合采集、锁离合监测记录等关键电路的设计。芯片采用TSMC 0.18μm 1P5M嵌入式EEPROM混合CMOS工艺实现。测试结果表明,芯片支持协议规定的所有功能,能正确记录开锁次数,其正常工作的最低电压为1V,平均电流为6.7μA,功耗为6.7μW,芯片尺寸为710μm×320μm。     

和舰、常忆与晶心结合彼此长处共同推动MCU解决方案

和舰科技、常忆科技及晶心科技于日前共同推动MCU解决方案，为MCU集成电路设计业者提供了在0．18微米工艺上，易于集成的32位微控制器添加嵌入式闪存硅知识产权的整体组合及一条龙晶圆代工解决方案。     

无线局域网接收机用频率综合器的关键技术

对无线局域网接收机用锁相环型频率综合器的几项关键技术进行了研究.首先分析了锁相环型频率综合器的结构并提出了系统的主要参数.采用TSMC 0.18μm射频CMOS工艺设计了一个具有低相位噪声的单片LC调谐型压控振荡器.其在4.189GHz频点上4MHz频偏处所测得的相位噪声为-117dBc/Hz.采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺实现了具有低功耗的下变频模块电路.该电路在1.8V电源供电下可正常工作,功耗为13mW.     

Altera宣布开始提供下一代非易失MAX 10 FPGA和评估套件

正2014年10月,Altera公司宣布开始提供非易失MAX 10 FPGA,这是第10代系列产品中的最新型号。使用TSMC的55 nm嵌入式闪存工艺技术,MAX 10 FPGA这一革命性的非易失FPGA在小外形封装、低成本和瞬时接通可编程逻辑器件封装中包含了双配置闪存、模拟和嵌入式处理能力。MAX 10 FPGA减少了     

无线局域网接收机用频率综合器的关键技术

对无线局域网接收机用锁相环型频率综合器的几项关键技术进行了研究.首先分析了锁相环型频率综合器的结构并提出了系统的主要参数.采用TSMC 0.18μm射频CMOS工艺设计了一个具有低相位噪声的单片LC调谐型压控振荡器.其在4.189GHz频点上4MHz频偏处所测得的相位噪声为-117dBc/Hz.采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺实现了具有低功耗的下变频模块电路.该电路在1.8V电源供电下可正常工作,功耗为13mW.     

新品发布

集成电路元器件与组件测试和测量电 源封装与互连光电器件计算机及外设软 件集成电路低成本的32位ARM处理器高性能、低成本的32位ARM微控制器LPC21xx系列采用0.18μm的CMOS嵌入式闪存工艺,可实现超低1.8V电压工作,运行频率为60MHz,提供高性能的嵌入式128位宽零等待闪速存储器。新器件提供25KB的嵌入式闪存、10位模拟/数字转换器、16KSRAM、脉宽调制器、计时器、UART、串行外设接口(SPI),以及46个通用输入/输出系统,采用小巧的64管脚封装。为用户提供了从8位和16位微控制器向32位微控制器移植的低成本方案。一些传统的8位及32…     

CEVA与Tessera携手于MM2000便携式多媒体平台上提供嵌入式图像增强技术

全球领先的硅产品知识产权（SIP）平台解决方案和数字信号处理器（DSP）内核授权厂商CEVA公司,宣布在CEVA的便携式多媒体平台CEVA-MM2000上。提供Tessera的FotoNation嵌入式图像增强解决方案。CEVA在日本横滨市举行的台积电技术研讨会（TSMC Technology Symposium）上。向与会者现场演示了这些技术。     

一种应用于虚拟地闪存结构的读保护电路设计

提出了一种新型的应用于虚拟地闪存结构的读保护电路,电路采用双电压读保护技术及位线压降跟踪技术减少侧边漏电。提出的读保护电路在0.09μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明:该读保护电路可以将侧边漏电控制在0.3μA以内。     

MCU/DSP

MB91F467D：MCU 富士通微电子推出专为下一代汽车应用而设计的闪存MCU—MB91F467D（0．18μm）。该款带1MB嵌入式闪存的32位MCU具有1088KB存储空间。     

英飞凌推出首款面向芯片卡和安全应用的65nm嵌入式闪存微控制器

英飞凌科技近日宣布推出首款面向芯片卡和安全应用的65nm嵌入式闪存（eFlash）微控制器（MCU）样品。这是英飞凌和台积电（TSMC）于2009年开始共同开发及生产65nmeFlashMCU的结果。