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nc—Si:H/c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 总被引:3,自引:2,他引:1
采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了ns-Si:H/c-Si量子点二极管。在10 ̄100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出,当反身偏压为-7 ̄-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒长大小不一的Si微晶粒子,由于微晶粒子中能级的量 相似文献
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应用计算机数值模拟方法计算p+ (μc-Si∶H) /n (c-Si) 及p+ (μc-Si∶H) /i (a-Si∶H) /n (c-Si) 异质结太阳能电池中的电场强度分布, 说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si∶H 膜厚选择,进而对嵌入a-Si∶H 薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析, 包括a-Si∶H 薄层p 型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择, 最后讨论μc-Si/c-Si异质结太阳能电池稳定性 相似文献
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本文介绍了用于测量a-Si:H隙态密度的空间电荷限制电流(SCLC)法,并报道了采用此方法对PECVD方法制备的a—Si:H材料隙态密度的测量结果。对n+a—Si:H/a—Si1H/n+a—Si:H结构的样品,测量得到费米能级上0.16eV间的欧态密度分布为1015~1018(cm-3eV-1)。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+SiGe界面处存在一个很薄的层,但在i-p+-iSiGe上外延生长Si时,无此现象产生.此薄层是由在硅上外延生长i-p+-iSiGe时硼原子聚集在靠近Si的i/p+SiGe界面处形成的高掺杂薄层.高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT)的BC结的正向导通电压. 相似文献
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WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 相似文献
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高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
通过大量工艺实验开发了采用低温H2-O2合成氧化方法制备薄栅氧化层的工艺技术,得到了性能优良的薄栅氧化层,对于厚度为30nm的栅氧化层,其平均击穿电压为30V,Si/SiO2界面态密度小于3.5×1010cm-2.该工艺现已成功地应用于薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺中.同时还开展了采用低温H2-O2薄栅氧化工艺制备的全耗尽CMOS/SOI器件的抗总剂量辐照特性研究,采用低温H2-O2合成氧化方法制备的SOI器件的抗辐照特性明显优于采用常规干氧氧化方法制备的器件,H2-O2低温氧化工艺是制备抗核加固CMOS 相似文献
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田敬民 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):284-288
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型. 相似文献
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纳米硅二极管的电输运特性 总被引:4,自引:0,他引:4
用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10^3-10^-1Ω^-1cm^-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定性解释。 相似文献
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应用计算机数值模拟方法计算p^+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p^+(μc-Si:H)/i(a-Si:H_/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si:H膜厚选择,进而对嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-Si:H薄层p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μc-Si/c-Si异 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
本文对射频溅射法淀积的a-SiC∶H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究.我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程.在较高的射频功率下淀积的a-SiC∶H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC∶H形成6H-SiC的温度(1000℃).高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相.通过改变射频功率,本文研究了氩离子轰击对a-SiC∶H膜及形成6H-Si 相似文献
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ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征 总被引:7,自引:0,他引:7
本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100 相似文献
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毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H膜,通过测量Al/a-C:H/SiMIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性,结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献
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通过应用Scharfeter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,光吸收体i层中N型或P型掺杂都会在i层中造成低场区而不利于光生载流子传输,指出μc-Si∶Hp-i-n太阳能电池制造中采用补偿μc-Si∶H薄膜充当吸收体i层能提高长波(>800nm)载流子收集效率,从而增大电池的短路电流 相似文献