不同氧化锰引入形式对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

研究了不同氧化锰引入形式对Ｐｂ（Ｓｈ１／５Ｎｂ１／２）Ｏ３－Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ｐｓｎｚｔ）压电陶瓷机电性能的影响。结果有明,以ＭｎＯ２引入氧化锰的受主作用比ＭｎＣＯ３引入的要大。     

制备工艺对铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷性能的影响

由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷.采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44～0.49)粉体.通过X射线衍射及扫描电镜分析.研究了不同锆钛比和烧结温度对陶瓷的相组成、显微结构和介电、压电性能的影响.结果表明:当合成温度为900℃时,获得的粉体的主晶相为钙钛矿结构.当Zr/Ti摩尔比为51/47,烧结温度为1230℃时,各项性能达到最佳值,介电常数ε T 32/ε0为1945,介电损耗tanδ为0.019,压电常数d33为425pC/N,机电耦合系数Kp为0.65,Curie温度θc为352℃.铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷的烧结温度范围宽,具有较强的工艺操作性且θc高.     

不同氧化锰引入形式对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

研究了不同氧化锰引入形式 (MnO2、 MnCO3)对 Pb(Sb1/2Nb1/2)O3－ Pb(Zr,Ti)O3(PSNZT)压电陶瓷机电性能的影响。结果表明,以 MnO2引入氧化锰的受主作用比 MnCO3引入的要大。     

三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷极化的研究

研究了极化条件对三方 /四方相共存 (即准同型相界 ,简称MPB)的铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷性能和结构的影响 .利用XRD探讨了三方、四方相共存PNSZT压电陶瓷极化过程中畴转向、相变、晶格常数的变化、应变 ,分析讨论了极化作用机理 .XRD结果分析表明 :两相共存压电陶瓷极化过程中畴转向的同时伴随着相变 (四方相→三方相 )、应变、晶格常数变化 ;随着极化程度的提高 ,试样的应变量和 90°畴转向率不断增加 ;当达到极化饱和状态时 ,它们也达到最大值 ,其中应变的最大值为 0 .4% ,90°畴的转向率最大值为 41.6 % ,此时样品的介电常数和机电耦合系数也达到最大值 .当 90°畴转向率高和应变大时 ,材料的机电耦合系数和介电常数也大 .90°畴转向率和应变是表征极化程度的微观结构物理量 .最优极化条件是得到最佳压电性能陶瓷的关键之一     

添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响

对添加剂按电价进行了分类，讨论了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响，分析了各类添加剂能对锆钛酸铅二元系压电陶瓷进行改性的原因。研究表明各种添加剂的加入量都有一个适宜的范围。     

组成对三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷结构和机电性能的影响

研究了Zr/Ti和（Sb1/2Nb1/2)量对三方相，四方相共存（相界附近）铌锑锆钛酸铅（PNSZT）压电陶瓷机电性能（εee^T/ε0,Kp,Qm,TKfr)的影响。认为Zr/Ti和（Sb1/2Nb1/2)量对PNSZT机电性能影响很大，调整Zr/Ti,(Sb1/2Nb1/2)量是改变机电性能的有效方法，它们的正确选择是得到所需综合性能压电陶瓷的关键之一。探讨了Zr/Ti对相共存区PNSZT压电陶瓷晶格常数和相组成的影响及不同Zr/Ti陶瓷极化前后介电常数变化的特点分析了组成对相共存区PNSZT压电陶瓷机电性能影响机理。     

添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响

对添加剂按电价进行了分类，讨论了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响，分析了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的原因。研究表明，各种添加剂的加入量都有一个适宜的范围。     

锆钛酸铅陶瓷的烧结研究进展

综述了国内外锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的烧结研究进展，介绍了各国研究者为获得烧结致密、性能优良的PZT陶瓷所采取的各种措施，并展望了其发展方向。     

锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的压电性能

以同时位于准同型相界的Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(PMnS-PZT)与Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3(PZN-PZT)组合而成的xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3-(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]四元系压电陶瓷为研究对象,研究了PZN和PMnS含量的变化对xPMnS-(1-x)PZN材料结构与性能的影响,制备了具有高性能的四元系xPMnS-(1-x)PZN陶瓷材料.结果表明:性能最好的组成位于准同型相界附近靠近四方相含量较高的区域.Ba2 ,Sr2 取代显著提高了材料的压电性能,Ba2 取代0.5PMnS-0.5PZN的性能为压电系数da3=406 pC/N,机电耦合系数kp=0.55,介电常数εT33/ε0=2 183,机械品质因数Qm=1 077和介电损耗tan δ=2.7%;Sr2 取代0.6 PMnS-0.4 PZN的性能为d33=438 pC/N,kp=0.55,εT33/ε0=2 701,Qm=1 073和tan δ=3.3%.     

Bi_2O_3掺杂对PBSZT压电-铁电陶瓷结构和特性的影响

采用扎膜工艺和固相反应法制备了Bi2O3掺杂的(Pb0.70Ba0.26Sr0.04)(Zr0.52Ti0.48)O3–xBi2O3(Bi–PBSZT,x=0,0.1%(质量分数,下同),0.3%,0.5%,0.8%,1.0%)压电–铁电陶瓷。通过扫描电镜和X射线衍射表征Bi–PBSZT陶瓷的结构和物相组成,并对其弯曲强度(σb)、相对介电常数(εr)和横向压电应变常数(d31)进行了检测和分析。结果表明:适量Bi2O3(x=0～0.3%)掺杂可使Bi–PBSZT陶瓷晶粒细化,致密度提高,σb增大;陶瓷的εr和d31下降。当Bi2O3掺杂量为0.3%时,Bi–PBSZT陶瓷的性能得到优化,σb为175.21MPa,εr为5520,d31为518×10–12m/V。     

锶掺杂铅酸钡陶瓷的热电性能

用固相反应法对BaPbO3材料进行了Sr掺杂,合成了Bal-xSrxPbO3(0≤x≤1.0)系列粉体材料.对样品进行了X射线衍射分析.通过计算获得了材料的晶胞参数随化学组分的变化规律.将粉体烧结成块状陶瓷,在300～673 K测试了该陶瓷的电导率、Seebeck系数和热导率随Sr掺杂量(x)和温度的变化情况.结果发现:随x的增加,晶胞参数(a,b,c)缩短,晶胞体积(V)收缩,晶格对称性降低.Seebeck系数的绝对值升高,热导率降低,电导率下降.当x=0.6时,BalxSrxPbO3表现出高的品质因子Z,在673 K时,Z的最大值达1.2×10-4/K.     

微波加热对日用陶瓷铅镉溶出量影响的研究

依照GB/T3534-2002《日用陶瓷器铅、镉溶出量的测定方法》,对日用陶瓷铅镉溶出的萃取增加微波加热处理,研究了微波加热对日用陶瓷铅镉溶出量的影响。选取铅溶出量在0.500mg/mL、镉溶出量在0.050mg/mL以上的日用陶瓷偏平制品（盘）进行试验,对微波加热处理时间与制品表面溶出的铅、镉量之间的关系进行了研究。结果表明,加热10min以上的铅、镉溶出浓度比只用醋酸浸泡的明显增加,有的达原浓度的1.5倍;微波加热时间在0～25min,浸泡液中铅、镉溶出浓度随微波加热时间递增,20min以上无变化。采用微波加热不仅加速日用陶瓷铅镉溶出量,而且还可增加溶出量。     

不同压电陶瓷体积分数对1-3-2型压电复合材料性能的影响

以环氧树脂为基体,铌镁锆钛酸铅[0.375Pb(Mg1/3Nb2/3)O3·0.375PbTiO3·0.25PbZrO3,PMN]为压电功能体,采用切割-浇注法制备了1-3-2型压电复合材料.分析讨论压电陶瓷体积分数(φ,下同)对1-3-2型压电复合材料压电性能、介电性能及声阻抗的影响.结果表明:随着PMN的φ的增加,复合材料的压电应变常数(d33)和声阻抗(2)增大;相对介电常数(εr)几乎呈线性增加,且当PMN的φ为47.47%时,复合材料的εr=1 660,远小于纯PMN陶瓷的(εr=4000).压电电压常数(g33)及介电损耗(tan δ)则呈下降趋势;与PMN相比较,1-3-2型压电复合材料厚度方向的谐振明显增强,机械品质因数(Qm)显著降低;随着PMN的φ的增加,复合材料的平面机电耦合系数(Kp)减小,而厚度机电耦合系数(Kt)增加.     

烧结工艺对石英质多孔陶瓷性能的影响

以石英砂为主要原料,采用液相烧结法,经半干压成型制备石英质多孔陶瓷.采用SEM对多孔陶瓷的显微结构进行表征.探讨了烧结温度、保温时间对多孔陶瓷孔隙率及断裂强度的影响.结果表明:随着烧结温度升高,保温时间延长,石英质多孔陶瓷的孔隙率下降、断裂强度不断增大;最佳烧结温度为1250℃,最佳保温时间为30 min.在最佳烧结工艺条件下,制备得到高孔隙率陶瓷,孔结构单一且孔径分布较窄,平均孔径大约为12.41μm.     

烧结温度对大功率超薄型压电蜂鸣器用压电陶瓷结构和性能的影响

采用轧膜成型工艺制备大功率超薄型峰鸣器用压电陶瓷。该陶瓷是三方／四方相共存PSN—PBZT(0．02Pb(Sb0．5Nb0．5)O3—0．98PbxBa1-z(Zr0.55Ti0.45)O3)压电陶瓷。研究了烧结温度对三方／四方相共存PSN—PBZTB陶瓷性能的影响，利用XRD和SEM研究了烧结温度对其结构的影响。结果表明，随着烧结温度的升高，材料的晶格常数轴率比Ct／at逐渐升高，ar有所降低，同时，材料的晶粒尺才增大，材料的介电常数和机电耦合系数增大。但是，烧结温度太高将手致其介电常数和机电耦合系数降低，这是由于出现玻璃相和游离氧化锆稀释铁电相所致。     

锰掺杂对压电陶瓷介电性能的影响

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷（PZN-PMS-PZT）。考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的室温介电常数（εTr)，介电常数温度谱以及居里温度（Tc)的影响。实验结果表明：随着Mn含量的增加，压电陶瓷的室温介电常数εTr减小；由于内偏置场的影响，居里温度Tc随锰含量的增加而增加。