共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
采用机械合金化法来制备(Ag-Cu28)80-Inx-Sn20-x合金焊粉,x值分别取6,7.5,10.5,13.5和15.采用差示扫描量热(DSC)、X-射线衍射(XRD)以及电子扫描(SEM)和Simple-PCI软件对制备合金粒子的物相、熔化特性、显微结构和粒度等进行表征分析.结果表明:机械合金化可以有效地制备(Ag-Cu28)80-Inx-Sn20-x合金焊粉,组分为(Ag-Cu28)80-In10.5-Sn9.5合金焊粉,其物相组成主要为富Ag相和β-Cu81Sn22相.球磨30 h,(Ag-Cu28)80-Inx-Sn20-x体系合金化完全.球磨至80 h,合金粒子尺寸分布于19.89~69.62 μm,其产率在90%以上. 相似文献
2.
《电子材料与电子技术》1996,23(3):38-42
研究了用机械合金化和热处理制备的MFe12O19(M=Ba、Sr、Pb)六角形铁氧体物结构和性能。测得Ba、Sr的六角形铁氧体粉末的矫顽力为6 ̄7KOe。矫顽力高与机械合金化和热处理导致的粒子尺寸小( ̄0.1μm)有关。高矫顽力各向异性样品可由热压法制备,其剩磁为饱和磁化强度的70% ̄75%。 相似文献
3.
机械合金化法是将欲合金化的元素粉末首先按一定配比机械混合 ,在高能球磨机等设备中长时间运转 ,将回转机械能传递给粉末 ,同时粉末在球磨介质的反复冲撞下 ,承受冲击、剪切、摩擦和压缩多种力的作用 ,经历反复的挤压、冷焊合及粉碎 ,成为弥散分布的超细粒子 ,从而在固态下实现合金化。近年来机械合金化在理论和应用方面均引起材料科学界的极大关注[1,2 ] 。本文拟采用一种新型的固态合金化方法———机械合金化方法研究制备Fe-Si合金。1 试验方法试验选用纯度为 99 5 %、颗粒尺寸约 5 0 μm的Fe元素粉末和纯度为 99 9%、颗粒尺寸… 相似文献
4.
以Co、Sb、Yb粉体为原料,采用机械合金化(MA)和热压烧结法(HIP)制备Yb2O3/CoSb3复合热电材料,并测试了该体系的电输运性质和热扩散系数。结果表明:球磨40 h后,Co、Sb发生合金化生成了CoSb3和CoSb2化合物相;球磨后的粉末在高纯Ar气氛(体积分数>99.99%)保护下经过50 MPa压强、530℃温度下热压烧结(HIP)2 h后合金内部主要由CoSb3相组成,同时合金内部有大量Yb2O3氧化物弥散掺杂,Yb2O3/CoSb3体系电阻率和热扩散系数随温度升高而降低。 相似文献
5.
6.
S. H. Yang T. J. Zhu S. N. Zhang J. J. Shen X. B. Zhao 《Journal of Electronic Materials》2010,39(9):2127-2131
Thermoelectric (TE) materials (GeTe)80(Ag y Sb2−y Te3−y )20 (y = 0.6, 0.8, 1.0, 1.2, and 1.4) were prepared, and their TE properties and microstructure studied in this work. Due to their relatively low thermal conductivity and proper carrier concentration, high ZT values were obtained for all samples except for y = 1.4. Using transmission electron microscopy, twins, antiphase domains, and low-angle grain boundaries were observed throughout the sample with y = 1.2. Nanoscale regions with double atomic spacing were detected. These regions and the matrix were coherent without obvious mismatch. The relationship between high ZT values and microstructure is discussed. 相似文献
7.
8.
采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)20纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构和磁性的影响.结果表明,Ar溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构、垂直磁各向异性和矫顽力有很大的影响.所有样品的有效各向异性常数Ke.>0,具有垂直磁各向异性.X射线衍射结果显示,小角衍射峰很锐,样品有良好的周期性层状结构.随着Ar溅射气压增加,样品垂直膜面的矫顽力增加,但样品有效磁各向异性常数减小.原子力显微镜照片显示,随着Ar溅射气压增加,其表面平均晶粒尺寸和粗糙度均增加,这是导致多层膜的垂直矫顽力增加和有效磁各向异性常数减小的因素. 相似文献
9.
分别利用因子群对称分析法和位置群对称分析法对Ca3(BO3)2晶体的振动模式进行了理论分析。Ca3(BO3)2的晶格振动模式分为外振动和内振动模式,外振动模式为:3A1g+4A2g+7Eg+3A1u+3A2u+6Eu,内振动模式为:2A1g+2A2g+4Eg+2A1u+2A2u+4Eu。Ca3(BO3)2晶体在布里渊区中心Γ点晶格振动的对称性分类为:5A1g+6A2g+11Eg+5A1u+6A2u+11Eu,其中声学模为:A2u+Eu,拉曼活性光学模为5A1g+11Eg,红外活性光学模为:5A2u+10Eu,其余为非拉曼、非红外活性光学振动模。用高温固相法成功合成了Ca3(BO3)2粉末,测量了它的室温Raman光谱,并利用群论分析的结果对谱图进行了讨论,指认了BO33-基团的特征振动频率。 相似文献
10.
11.
12.
13.
测定了室温下Na5TbxEu1-x(MoO4)4的发射光谱。发现随x的增加,Tb^3+离子546nm(^5D4→^7F5)的荧光发射亦随这增加。同时观察到,当x>0.7时,发光相对强度变化会出现突变。 相似文献
14.
The results of theoretical estimations of important parameters of the process of magnetron-assisted sputtering are reported.
The parameters are the extent of the zone of thermalization of atoms and the distance from the target to the conditional anode.
The method of magnetron-assisted sputtering of polycrys-talline SiC-AlN targets is applied to produce thin (SiC)1-x(AlN)x alloy films on SiC and Al2O3 substrates. The structure and composition of the films are studied by X-ray diffraction measurements and electron microscopy.
The factors that control the composition and structure of the films and the conditions of formation of the single-crystal
(SiC)1-x(AlN)x films on the SiC substrates are established. 相似文献
15.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术,以硝酸铋、硝酸镧和钛酸丁酯为原料,制备了掺镧钛酸铋(Bi3.6,La0.4)Ti3O12(简记为BLT)粉体。利用DTA、XRD以及激光光散射粒度分析等手段分析了粉体的固相反应、结构和颗粒度,结果表明,BLT初始粉体在730℃左右发生固相反应,生成BLT颗粒;730℃以下烧结的粉体为含立方(Bi,La)12TiO20相和正交(Bi3.6,La0.4)Ti3O12相的混合物,平均颗粒度为60nm左右;730℃以上烧结的粉体为完全正交结构的BLT多晶颗粒体,平均颗粒度约为500nm;利用Sol-Gel技术,可以制备纳米级、分散良好、分布一致的BLT粉体,这对BLT新型压电陶瓷的制备具有重要意义。 相似文献
16.
17.
(Bi1/2Na1/2)1—xBaxTiO3系铁电陶瓷制备工艺研究 总被引:3,自引:1,他引:2
采用XRD、SEM等分析技术,研究了制备工艺对(Bi1/2Na1/2)1-xBaxTiO5(简称BNBT)结构形成的影响,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明,在适当温度及保温时间下,能获得全钙钛矿结构的BNBT固溶体;在同样工艺条件下,钡成分的增加有抑制晶粒长大的作用。 相似文献
18.
Dependently addressable dual-spot native-oxide-confined GaInP-(AlxGa1-x)0.5In0.5Pquantum-well lasers
We describe the fabrication and characteristics of 15-μm spaced dual-spot, 670-nm native-oxide confined GaInP-(AlxGa1-x )0.5In0.5P quantum-well ridge waveguide laser diodes. The devices are fabricated from a compressively strained GaInP-(AlxGa1-x)0.5In0.5P quantum-well separate confinement heterostructure laser structure. Wet oxidation of Al0.5In0.5P is used to form native-oxide-confined dual-ridge waveguides. The oxidation process converts part of the p-Al0.5In0.5P cladding layer into AlOx after ridge etching. These diodes show excellent performance: uniform low threshold currents of 15 mA and differential quantum efficiencies over 35%/facet. The diodes show crosstalk less than 2% 相似文献