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EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:5,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
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呼叫建立成功率是衡量一个网络质量的重要指标之一,所以想办法提高网络的呼叫建立成功率是非常重要的。 下面详细说明根据呼叫建立成功率计算公式分析可能原因,最后定位到哪套RF硬件问题。 一、呼叫建立成功率计算公式 Call_Setup_Success_Rate=(TOTAL_CALLS+CONGEST_ASSIGN HO SUC)/(OK_ACC_PROC:CM_SERV_REQ_CALL+OK_ACC_PROC:CM_ REESTABLISH+OK_ACC_ PROC:PAGE_ RE-SPONSE+OK_ACC_PROC… 相似文献
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隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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EEPROM与flash Memory 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要介绍EEPROM,flash mcmory的技术发展,单元结构。比较了EEPROM与flash memory的优缺点与应用领域。 相似文献
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新型单片机开发工具MMEVSMotorola公司新近宣布推出新型单片机开发工具MMEVS(MoorolaModularEvaluationSystem),它是高性能模块化开发系统MMDS(MOtorolaHodularDevelopmentSyste... 相似文献
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我们开发了一种新的工艺技术,实现了在CMOS VLSI制造中嵌入E^2PROM的制造技术。在此新工艺中,制造的是单层多晶硅的E^2PROM。与传统的双层多晶硅E^2PROM的工艺相比,减少了25%的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层,可以缩小在CMOSVLSI中嵌入的E^2PROM的器件尺寸。器件工作电压范围宽为1.5-6V,静态电流低于100nA。 相似文献
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利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。 相似文献
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采用英国欧陆公司(EUROTHERM PROCESS AUTOMATION)出产的DCS制品T640,对土霉素发酵过程实行监控,进而稳定其生产工艺,实现发酵过程的自动控制。 相似文献