一种新型硅基恒流二极管的特性研究

提出了一种新型硅基环状分布垂直沟道恒流二极管,包括并联的结型场效应晶体管和PIN整流管。建立了器件的数值模型,并利用SILVACO TCAD仿真工具对器件的恒定电流值、击穿电压等特征参数进行模拟。结果显示,该器件工作于正向时,恒流效果好,开启电压约为3 V,击穿电压可达140 V;该器件工作在反向时,表现出良好的整流特性,开启电压约为0.8 V。     

恒流二极管及其用法

<正> 恒流二极管是庞大的二极管家族中的一员。在理想状态时,加在恒流二极管上的电压不管为何值,流过它的电流始终为一恒定值I_(H);恒流二极管的等效交流电阻力∞。图1示出了恒流二极管的符号,A为阳极,K为阴极。图2示出了恒流二极管的典型伏安特性曲线。当电压在0～V_S段内上升时,电流线性上升;电压在V_S～V_B段升高时,曲线上升趋缓并变得平坦,此     

S系列恒流二极管

LED照明灯的快速发展,促使LED驱动器的相应发展.各半导体器件厂纷纷开发出各种新颖驱动器,适合驱动各种不同功率的LED,满足市场的需要.这些驱动器不仅适合低压直流电供电,同时也适用于市电(220VAC)供电;驱动器中有恒流二极管(CRD)、恒流三极管(CRT)外,还有恒流输出的集成电路及模块.本刊将陆续发表最近开发的...     

接线简便的恒流二极管

大家对稳压二极管很熟悉,有读者就会问,既然有稳压二极管,那么有没有稳流二极管呢？答案是肯定的,但通常不把这种器件叫稳流二极管,而是叫恒流二极管。恒流二极管（英文缩写为CRD）简称、匣流管”．是一种能在很宽的电压变化范围内提供恒定电流的半导体两端器件。     

沟道掺杂浓度对恒流二极管电学特性的影响

设计了一种基于N－JFET结构的恒流二极管,分析了其沟道掺杂浓度与恒流值、开启电压、击穿电压以及温度特性之间的关系。利用SILVACO仿真软件对恒流二极管沟道掺杂分布进行优化设计,最终得到一个开启电压为2 V,击穿电压大于90 V,恒流值为40 mA,温度系数为－0．33%/K的恒流二极管。     

用数字万用表巧测恒流二极管的I_H

<正> 测试方法及原理 恒流二极管CRD属于两端结型场效应恒流器件。主要参数有恒定电流I_H、起始电压Vs、正向击穿电压V_(BO)等。 笔者在实践中发现:可以利 用数字万用表的h_(FE)挡检测恒流 二极管的恒定电流I_H,方法是通 过DT1000型(或DT830型)数字 万用表h_(FE)的显示值换算出电流 值。这种测量方法简单实用、快捷     

恒流二极管的扩流及调光

恒流二极管(CRD)可以通过多个并联的方法来实现扩大输出电流,但在要求输出电流较大时(如350mA),则需要并联的CRD数量太多,这不仅造成占PCB的面积大,而且会增加生产成本.本文介绍一种CRD扩流电器,电路较简单,有较好的恒流精度,并且有调光功能.另外,本文还介绍一种可采用PWM信号来调节CRD驱动LED电路的通断...     

恒流二极管2DHLxxx系列

本刊上期介绍过S系列恒流二极管,该系列恒流输出的种类虽多,但最大的输出仅20rnA.本文介绍深圳欧恩光电技术研究所最近开发的大电流LED恒流二极管2DHLxxx系列,它的恒流输出电流范围为20~85mA,它不仅适用于0.06W小功率LED驱动用,而且更适用于近年新开发的0.2W、0.3W及0.5W贴片式LED的驱动应用...     

恒流二、三极管的特性及其应用

恒流二极管和恒流三极管是许多爱好者不太熟悉的半导体器件。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流,并有很高的动态阻抗。由于其温度特性好、价格较低、使用方便,因此目前被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。一、恒流二极管和三极管的性能特点1.恒流二极管的性能特点恒流二极管实际由两端结型场效应管连接而成,其电路     

基于双极载流子导电的新型恒流器件

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。     

Optimal Doping of Diode Current Interrupters

An analytical solution to the problem of a decrease in energy losses Ω in diode current interrupters is derived for the stage of recovery of the blocking ability due to optimization of the dopant distribution N(x) over the structure thickness. The distribution N(x) close to optimal is found; it makes it possible to decrease Ω by 30–55% compared with standard design interrupters with homogeneously doped high-resistivity layers.     

一种高性能电流调节器的设计

基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在较大范围内工作的电流调节器。该电路通过适当地利用NMOS和PMOS差分输入对的各自特性,以及改进的差分结构,实现了工作范围的扩展和共阴极LED的驱动。该电流调节器采用的运算放大器都是一级的自补偿结构,从而简化了电路的稳定性设计,提高了物理实现的成功率。仿真结果表明,该电流调节器在整个工作范围内的精度可以达到80%以上。     

一种大电流LDO稳压器的设计

设计了一种最大输出电流为3 A的LDO电路。通过优化误差放大器,并采用两个NMOS管作为调整管,增强了电路上拉和下拉负载电流的能力。采用20 μF的陶瓷电容,保证电路具有足够快的负载瞬态响应,在空载时,电路仅消耗80 μA的负载电流。该芯片能够驱动高达3 A的负载电流,极大地提高了LDO的带载能力,并保持了良好的系统稳定性,具有快速的瞬态响应和较小的输出纹波。     

7.5V高精度BiCMOS电压调整器的设计

提出一种应用于有源功率因数校正控制芯片的7.5 V高精度线性电压调整器的设计.由于采用了多种改进措施,包括片上微调电阻网络的应用,该调整器具有良好的电压调整特性和很高的温度稳定性.此外,调整器还集成了过流保护功能.该电路采用1.5μm BiCMOS工艺设计实现,面积为0.42 mm×0.63 mm.测试结果表明,在12 V供电电压下,当负载电流在0～20 mA范围内变化时,其负载调整率达23%/A.片上微调电阻的应用使其可获得很低的温度系数.     

+12VATCA ORing二极管设计

本文将讨论选择ORing二极管时的一些考虑因素。参见图1不带输入功率耦合二极管的ATCA板级功率转换中的ORing二极管。     

200 V Fast Recovery Epitaxial Diode with superior ESD capability

In this paper the Electrostatic Discharge (ESD) capability of 200 V Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs) is analysed by means of suitable experiments, TCAD simulations and theoretical analyses. Different doping profiles are investigated in order to improve the ESD robustness of a standard device and an optimized doping profile is proposed. The newly fabricated devices show a remarkably high ESD capability without any significative loss in forward voltage drop and a reduction of the breakdown voltage that does not affect device rating.     

低压调整二极管击穿特性分析与优化设计

介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术.该技术论证了Si平面结型5.1V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此结构相匹配的工艺制程,进而实现5.1V击穿电压特性为硬击穿.此硬击穿优化的关键是对结构设计、氧化工艺的深度研究.     

大功率VDMOS（200V）的设计研究

介绍了大功率VDMOS（200V）的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围：外延厚度为20μm,外延电阻率为5Ω·cm栅氧厚度为52nm;P阱注入剂量为3×3^12cm^2,推阱时间65min。将流片结果与仿真结果进行了比较。     

1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计

设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。     

一种改进太阳能计算器芯片二极管稳压电路设计

对于太阳能计算器,稳压电路的设计是串联三个PN结二极管以达到稳压目的。这种设计会出现以下问题:当外部光线太强时,太阳能电池板的供电电压较高,而稳压电路由于正向饱和压降过高,不能及时将高电压释放掉,会造成计算器不能正常工作。文章研究了改进二极管稳压电路的设计,通过只变更其中的一层mask(P+),将其中一个PN结二极管改为肖特基二极管,使其正向饱和压降处于一个合理的区间,并且研究了通过该变动后不同的Ti金属厚度以及不同温度对该稳压电路的影响。结果显示该种优化完全符合应用需求。