用于反激式变换器的BJT功率管驱动电路的设计

为反激式变换器BJT功率管设计了一种驱动电路。针对电流镜复制的精确度,设计了运放、MOS管组成的深度负反馈环路和共源共栅结构对电路进行钳位,使电流精确复制到功率管基极;针对BJT管较慢的开关速度,配合数字控制,缩短功率管状态转换所需时间,降低了功率管损耗。在CSMC 18μm 18 V工艺下,利用Hspice软件进行仿真,结果表明,BJT功率管工作在饱和区,开关转换速度增强,满足了反激式变换器对BJT功率管开关速度的要求。     

一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路

本文给出一种适用于低电压、高开关频率升压型DC—DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，它的工作电压最低可达1．5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路设计思想，并且给出最终设计电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，经Hspice仿真验证达到设计目标。     

一种用于DC-DC的双模控制功率管分段驱动电路

提出了一种用于DC-DC的双模控制功率管分段驱动电路。该电路通过检测负载电流的变化,优化功率管大小,从而提高转换效率;提出根据负载电流大小自动切换至PSM控制模式的解决方案,进一步提高极轻负载下的效率。电路基于标准0.13 μm CMOS工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,与传统不分段DC-DC变换器相比,提出的双模控制分段驱动电路在15 mA负载时效率提升5.3%。     

PNP与NPN管放大电路输出波形失真情况仿真比较

许多模拟电子技术教材在讨论放大电路输出波形失真情况时,均以NPN管放大电路作为对象来分析,对于PNP管放大电路并没有详细介绍。在此对PNP管放大电路与NPN管放大电路输出波形的失真情况从理论及实验结果两方面做了详细的说明和比较。对帮助初学者掌握和理解问题具有重要意义。     

一种用于驱动内部功率管的单电容电荷泵设计

该文在介绍了传统电荷泵结构的基础上,结合驱动内部功率管的实际需求,充分利用内部功率管本身的寄生电容,设计了一个单电容电荷泵和该电荷泵的简化结构,给出了SPICE仿真结果,基于CSMC 0.18um BCD工艺流片验证,测试参数达到设计目标。     

一种高速低尖峰电流功率管驱动器电路的设计

利用电荷泵自举原理,提出一种新颖的CMOS驱动电路。该电路在输入信号未进行开关操作时对电容充电,在开关操作发生时,由电荷泵电容和电源一起向负载电容充放电,从而可在不影响充放电时间的前提下降低电源对负载电容的充放电尖峰电流,减小电源噪声。该电路特别适合用来驱动采用高k介质或深槽隔离工艺的功率集成电路,可同时降低上升/下降沿时间和电源尖峰电流,并大幅减小芯片面积。采用中芯国际0.35μm标准CMOS工艺进行流片,测试结果表明,该电路可同时降低负载电容充放电尖峰电流与上升/下降沿时间。     

一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路

本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，工作电压最低可达1．5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计思想，并且给出了最终设计电路。     

开关电源中逆变管的关断功耗分析

本文分析了计算开关电源中逆变管的产断功耗，讨论了电路参数对晶体管关断期间集电极电压及关断功耗的影响。     

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法.着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果.根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值.     

VMOS高速功率放大电路

本文介绍了VMOS功率场效应管的特性和基本电路,讨论了VMOS功率放大电路的设计思想和计算方法,并给出了实际电路和测试结果。     

大功率晶体管的保护电路

大功率晶体管调速系统中作为开关元件使用时，共优点是开关频率比可控硅的高，但是不注意保护就容易损坏。着重研究过电流故障，并对保护作用的影响进行了分析，进而提出了防止过电流的方法和工作原理。     

具有无损耗缓冲电路的软开关双管正激式变换器

介绍了一种具有无损耗缓冲电路的软开关双管正激式变换器。它采用无损耗缓冲技术,使开关管工作在软开关状态,抑制了dv/dt,使开关管的开关损耗下降一半左右。同时缓冲电路本身并不消耗能量,而是将能量返回到系统中,提高了整机效率。文中对其工作原理,缓冲电路的能量转换过程进行了分析,并给出了实验结果及波形。     

盖革模式雪崩光电二极管的场效应管淬灭电路设计

雪崩光电二极管(Avalanche Photondiode,APD)是一种常用于激光探测领域的光敏元件.本文针对盖革模式雪崩光电二极管(Geiger Mode-Avalanche Photondiode,Gm-APD)工作时发生的雪崩效应,设计了一种场效应管淬灭电路(Field Effect Transistor Qu...     

SiGe异质结微波功率晶体管

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。     

简易晶体管特性图示仪设计

设计了简易晶体管特性图示仪。设计模拟电路产生合适的阶梯电压加至被测小功率晶体管的基极,产生若干级大小不等的基极电流,在每级基极电流的作用下,取出对应的Uce、Ic、Ib等所需量加至示波器,用EWB分析波形,判断晶体管的性能。     

MOS功率驱动高速脉冲激光器的研究

运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,驱动电流达10～50AP-P激光器电源的要求.     

X波段功率异质结双极晶体管

讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。