无源元件集成技术取得新突破

意法半导体（ST）近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础，该类物质是一种化合物，主要元素是铅、锆、钛及氧，根据锆和钛的比例，该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900，     

薄膜集成无源元件技术发展现状

本文介绍了薄膜集成无源元件技术发展现状，重点介绍了硅基板、刚性基板和柔性基板上的薄膜集成无源元件技术的研制方法，材料和工艺的选择和优化。分析了这些薄膜集成无源元件技术各自的优点。     

硅/玻璃基板互连和无源元件的动向

概述了硅玻璃互连板和硅系集成无源元件(IPD)的动向。无源元件制造商的PCB嵌入用硅系芯片元件已经问世。硅基板上的微细薄膜线路和薄膜元件实现无硅化。     

芯片三维互连技术及异质集成研究进展

集成电路的纳米制程工艺逐渐逼近物理极限,通过异质集成来延续和拓展摩尔定律的重要性日趋凸显。异质集成以需求为导向,将分立的处理器、存储器和传感器等不同尺寸、功能和类型的芯片,在三维方向上实现灵活的模块化整合与系统集成。异质集成芯片在垂直方向上的信号互连依赖硅通孔（TSV）或玻璃通孔（TGV）等技术实现,而在水平方向上可通过再布线层（RDL）技术实现高密度互连。异质集成技术开发与整合的关键在于融合实现多尺度、多维度的芯片互连,通过三维互连技术配合,将不同功能的芯粒异质集成到一个封装体中,从而提高带宽和电源效率并减小延迟,为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供小尺寸、高性能的芯片。通过综述TSV、TGV、RDL技术及相应的2.5D、3D异质集成方案,阐述了当前研究现状,并探讨存在的技术难点及未来发展趋势。     

无源元件内埋置的技术趋势

分离无源元件走向集成化是无源元件技术发展方向之一。内埋置无源元件是实现无源元件集成化的主流技术选择,是实现SIP、3D-MCM和三维集成电路的重要技术基础。在芯片硅基板上也能实现无源元件的埋入与集成。有机树脂基板内埋置无源元件技术是重要发展方向,并已逐渐走向成熟。     

集成无源元件在无线系统中的应用及工艺

对在现代无线通讯系统中应用的无源元件集成化的主要解决方案进行了介绍与分析,并对比了半导体薄膜集成技术与厚膜集成技术的主要优缺点,以研发的一种薄膜集成RCD低通滤波芯片为例,介绍了薄膜集成无源元件的设计方法和主要工艺流程.     

下一代组装技术正向我们走来

电子管的问世．宣告了将人类带入全新发展阶段的一个新兴行业的诞生：晶体管、集成电路的发明．不仅改变了人们的生活方式．也使人类由此步入了历史发展的快行道。在这个进程中．起着”承前启后”作用的电子组装——用封装好的元器件／IC来制造各类电子产品——技术，伴随着整个行业的发展也已经走过了四个阶段的发展历程(详见下表)。目前，集成无源元件(IPD)、晶圆级封装(WLP)和系统级封装(SIP)被越来越多地采用．这仅仅是表明第四代组装技术正在向纵深发展．还是意味着新一代组装技术正在向我们走来？     

埋置元件PCB的发展和无源元件结构的变化

概述了新的安装结构的变化，埋置元件PBC的发展，无源元件结构的变化和今后的方向。     

电力电子集成技术的现状及研究进展

综述了电力电子集成技术目前的基本概念、研究的意义和现状等；列举了当前主要的研究机构和研究内容；分析了未来的研究方向。     

SOP集成技术的发展现状及其在毫米波系统中的应用

介绍了SOP(System On Package)集成技术,并与传统系统集成方法以及SOC(System On Chip)、MIP(Module In Package)、MCM(Mult i Chip Module)、SIP(System In Package)等微封装、微集成技术进行了比较和分析,揭示了SOP小型化、低成本、高可靠性、高性能特点。对SOP在毫米波系统应用、新材料和新工艺的进展进行了总结,结果表明SOP在毫米波系统中具有良好的应用前景。     

深硅刻蚀实现3D集成封装——贯穿硅的通孔技术正被用于MEMS制造、功率器件和3D结构中。

Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功能的要求。     

埋入无源元件集成的高密度印制板

概述了Motorola的埋入PTF电阻、CFP电容和螺旋电感等无源集成的高密度印制板和埋入无源集成技术。     

亚100 nm硅集成技术融合趋势

对亚100 nm硅集成技术融合趋势进行了展望。各项新技术使MOSFET器件可以按比例缩小到10 nm以下节点,让摩尔定律在未来很长时间继续有效。另一方面,随着硅通孔等技术的日益成熟,器件、芯片、晶圆和介质层之间将以各种灵活的方式进行互连,实现各式各样的三维硅集成。在摩尔定律指引下的器件小型化技术、沿着后摩尔定律方向的三维硅集成技术,以及两者之间的相互融合,是亚100 nm硅集成技术的发展方向。     

系统级封装(SiP)集成技术的发展与挑战

系统级封装集成技术是实现电子产品小型化和多功能化的重要手段。国际半导体技术发展路线已经将SiP列为未来的重要发展方向。本文从新型互连技术的发展、堆叠封装技术的研究、埋置技术的发展以及高性能基板的开发等方面概述了系统级封装集成技术的一些重要发展和面临的挑战。     

使用在有机基板中埋置无源元件的方法设计集成低噪声放大器

低噪声放大器(LNA)的噪声指数是由电感器的品质因数Q决定的。由于S中高Q电感器的缺乏，在例如GSM和W-CDMA等高灵敏度应用中，完全集成的CMOS LNA的发展已受到很大限制。目前，高Q电感器设计(埋置于低成本的IC封装中)的发展使得射频(RF)前端的单管封装集成成为可能。这些埋置无源元件提供了一个使分立元件或芯片上的低Q无源元件灵活变化、以达到完全集成的方法。与芯片上的低Q电感器和具有固定Qs的分立元件比较而言，这些埋置无源元件的使用同样会引起无源Q作为一个新的变量在电路设计中的应用。然而，高Q同样会引起新的调整，特别是在器件尺寸方面。本文为使用埋置无源元件来设计完全集成的CMOS LNA提供了新的优化战略。为较高Q值所做的电感器尺寸调整已经能够适应LNA的设计方案。文章还介绍了在封装基板中多个埋置元件应用的设计，特别涉及到了无源元件和基准接地布线之间的相互耦合。     

两种先进的封装技术SOC和SOP

为了能够实现通过集成所获得的优点，像高性能、低价格、较小的接触面、电源管理和缩短产品进入市场的时间，出现了针对晶圆级的系统级芯片（system on a chip简称SOC）和针对组件级的系统级封装（system on a package简称SOP）。本文着重介绍了SOC和SOP的功能和优点。     

在RF中应用的埋入无源元件技术

实施埋入无源元件(EP)技术是OEM为了减少元件数量和减小板的尺寸、增加板的功能以及降低整体产品成本所推动的。用于电子装置中的无源元件占据着全体元件数量中很大的份额,即电阻和电容将需成批的制造着。从历史上看,一个典型的GSM电话含有多于500个无源元件,它占据着板面的一半面积和25％的焊接点。在本文中所述的技术     

内存产品的金属化技术集成铜工艺

得益于双重大马士革结构的尺寸不断缩小、低介电常数绝缘材料的引入和铜互连可靠性的提升,逻辑产品的互连技术不断向前发展。随着内存产品由铝工艺转向铜工艺,包括间隙填充在内的多项工艺也面临着更多的挑战。     

下一代手机设计的集成技术

为了满足对于高度集成的无线电半导体解决方案日益增长的需求，蜂窝电话的技术创新正在沿着两个不同的方向发展。其一是在芯片级和封装级的功能集成，其二是完整的半导体系统解决方案。后者将所有必须的芯片、模块和软件捆绑到一个全面的解决方案中，从而简化了设计步骤．加快了产品进入市场的时间。