等离子体处理对GaN发光二极管性能影响

为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N₂、N₂O和NH₃等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20 W的射频功率条件下,用N₂O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N₂等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH₃等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.     

反转结构有机发光二极管的电子注入层研究

将薄层金属Al和含磷氧基团的有机材料DPSF依次蒸镀在ITO阴极上作为电子注入层,成功制备了具有反转结构的底发光有机发光二极管（IBOLED）。结果表明,Al/DPSF作为电子注入层可以有效降低ITO与发光层Alq3之间的注入势垒,大大降低了器件的工作电压,显著提高了器件的发光效率。反转器件的最大电流效率达到了4.9 cd A^-1,最大亮度为17000 cd m^-2,与正置器件的发光性能相当。     

隧穿注入量子点体系的载流子动力学研究

通过考虑载流子在量子点中的隧穿、弛豫、热逃逸和非辐射复合等主要输运过程,并建立速率方程模型,研究了隧穿注入量子点体系的载流子动力学过程,探讨了隧穿注入量子点发射光谱对温度和隧穿几率的依赖性．理论分析表明：共振隧穿结构对量子点尺寸色散导致的激光展宽具有一定的抑制作用．     

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。     

电场对OLED中自旋极化载流子输运的影响

为了明确有机电致发光器件(OLED)双极自旋注入中电场的影响,从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合泊松方程得出了注入载流子运动的微分方程,计算了自旋极化载流子浓度和自旋扩散长度的关系,讨论了电场对自旋扩散长度的影响.计算结果表明:电场通过改变自旋扩散长度来影响自旋极化载流子的运动.对电子来说,电场方向和扩散方向相同时,电场增大会导致自旋扩散长度减小,扩散变快,电子深入样品的平均距离小,不利于在有限厚度薄膜中获得高自旋极化率;电场方向和扩散方向相反时,电场越大,自旋扩散长度越大.有利于获得高自旋极化率.对空穴来说,情况正好相反.还讨论了电场对双极白旋极化注入的影响.     

光子晶体反射镜对深紫外发光二极管性能的影响

通过三维有限时域差分(3D-FDTD)的光学模拟仿真计算,系统地研究了空气孔型光子晶体反射镜结构中各参数对AlGaN基深紫外发光二极管的光提取效率的影响。研究发现,光子晶体与垂直光线的共振模式主要是由光子晶体的周期决定,而光子晶体的填充率和高度会影响这种共振模式的强度,但是填充率会严重影响横向传播的横向磁(Transverse Magnetic,TM)极性光与光子晶体的散射作用。一个相对更大的填充率更有利于光子晶体对TM极性光的散射;而随着光子晶体中填充铝的深度增加,光子晶体对横向电(Transverse Electric,TE)极性光和TM极性光的散射作用都是先增加后减少,但是当填充深度太深时,金属结构将对TM极性光起到强烈的限制作用,急剧增加金属对TM极性光的吸收,从而使整体光提取效率大幅下降。在优化的条件下,相比没有光子晶体的结构,具有部分填充金属反射镜的光子晶体结构的深紫外发光二极管的TM极性和TE极性光提取效率分别提高了19倍和2倍。     

NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展，负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重．研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题．首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响，这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应；然后给出了这种混合效应的解释．最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法．     

空穴注入层对OLED性能的影响

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件（OLED）性能的影响，将酞菁铜（CuPc）、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件，然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性，并进行了对比．结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2．94cd／A，2．4cd／A和18cd／A；2T—NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低．由此得出结论：在实验研究的3种材料中，2T—NaTa最适合作为空穴传输层．     

有机发光器件中载流子复合特性的数值模拟

考虑单层有机发光器件中注入载流子在电场作用下的漂移运动和Langevin复合,将注入特性量化为电极与有机层接触处的电流密度比,计算了有机层中的电场强度、载流子浓度和复合率分布,研究了注入特性、载流子迁移率及有机层厚度对载流子复合性能的影响.结果表明正负载流子的迁移率比、注入平衡程度及有机层厚度是影响器件内电场、载流子浓度和复合率分布的重要因素.计算结果对于发光材料选择和有机发光器件结构的优化设计具有重要的指导意义.     

不同种类气体注入对原油物性的影响研究

膨胀试验作为单井吞吐工艺试验的重要评价手段之一。在油田注气混相与非混相驱试验中已得到应用。目前对不同种类气体洲主对原油相态影响国内外虽作了些分析和研究,但针对同一种流体究竟那种注入气体国好,还研究得不多。首先对ＣＯ２注入时原油膨胀试验和未注气时的ＰＶＴ数据进行模拟后,对ＣＯ２、Ｎ２、ＣＨ４和烟道气四种不同的注入气体进行了模拟研究,给出了在不同种类气体注入时原油的膨胀系数和泡点压力的影响,同时对混合     

不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究

针对半导体薄膜厚度对器件光学特性的影响,利用金属有机物气相外延法研究了蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN单量子阱结构,其在室温下的的光学特性.大量实验结果表明,随着样品InGaN势阱层宽度的增加,光致发光谱的发光峰值波长出现了明显的红移现象,而且发光强度下降,谱线半高全宽展宽.通过对不同样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象.     

Enhancement of optical characteristic of InGaN/GaN multiple quantum-well structures by self-growing air voids

InGaN/GaN multiple quantum-well(MQW) structures with a wavelength range of green were successfully grown on a c-plane GaN template with SiO_2 stripe patterns along the [11-20] and [1-100] directions as a mask. The surface morphologies of both samples were investigated using scanning electron microscopy and demonstrated anisotropic growth characteristics of GaN. The optical characteristics were investigated using Raman spectra and photoluminescence(PL). The InGaN/GaN MQW structure grown on the GaN template with SiO_2 stripes along the [1-100] orientation exhibited less stress and higher PL intensity.Transmission electron microscopy results indicated that portions of MQWs were grown on an inclined semipolar plane, and air voids occurred only when the direction of the mask stripe was along the [1-100] orientation. The enhancement of the optical characteristic was due to the air-void structure and inclined semipolar quantum-well sidewalls.     

阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响

制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。     

Investigation of GaN-based light-emitting diodes using a p-GaN/i-InGaN short-period superlattice structure as last quantum barrier

In this work,GaN-based light-emitting diodes(LEDs) with a p-GaN/i-InGaN short-period superlattice(SPSL) structure,p-GaN and undoped GaN last quantum barrier(LQB) have been numerically investigated by using the APSYS simulation software.It has been found that the efficiency droop is significantly improved when the undoped GaN LQB in a typical blue LED is replaced by a p-GaN/i-InGaN SPSL structure.According to the simulation analysis,using the p-GaN/i-InGaN SPSL structure as LQB is beneficial to increasing the hole injection efficiency and decreasing the electron current leakage.Therefore,the radiative recombination and optical power are enhanced.     

Impact of strain relaxation of AlGaN barrier layer on the performance of high Al-content AlGaN/GaN HEMT

Owing to large direct bandgap energy, high saturation drift velocity, large conduction band discontinuities, high thermal stability and strong piezoelectric and spontaneous po- larization[1-4], AlGaN/GaN HEMTs have advantages over electronic devices based on Si, GaAs and their alloys in high-frequency, -temperature and -power applications. Many researches show[5,6] that the characteristics of AlGaN/GaN HEMTs depend on two-dimensional gas (2DEG) in heterostructures which has intimate r…     

亚甲基蓝自二氧化硅@磷酸八钙载药颗粒的释放行为

采用改性的Pechini方法在含亚甲基蓝(methylene blue, MB)的二氧化硅颗粒(silica-MB)表面沉积磷酸八钙(octacalcium phosphate, OCP)后制备得到silica-MB@OCP,研究制备工艺条件对载药颗粒的结构、药物释放行为和载体降解性能的影响规律。研究发现聚乙二醇(polyethylene glycol, PEG)的分子量、PEG和柠檬酸的添加量对载药颗粒的物相、化学组成和形貌有显著影响。MB释放量和单体/二聚体的比例随时间的变化规律都对载药颗粒的结构和溶液pH值条件敏感,这与MB分子扩散行为受OCP壳层的结构和溶液条件影响有关。相比于silica-MB, silica-MB@OCP在磷缓冲液和lysosome-like缓冲液中的降解比例要高得多,这是由于MB扩散行为对颗粒结构的破坏产生显著影响导致的。     

塑料注射模CAD中标准模架的编码和选择

塑料注射模ＣＡＤ标准模架的尺寸组合种类繁多,为便于计算机处理这些数据和图形,根据模架类型和主要参数,设计了标准模架的参数型编码,用三段、六个变量来表示标准模架,这样,通过输入已确定的工件参数和相关条件,计算机便可选定所需标准模架,从而减少了模具的设计过程,为实现参数绘图奠定了基础．     

AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立A1GaN/GaNHEMT器件二维模型.针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布.     

蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结的制备及性能研究

为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga0.70N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度相比,在成核温度为600℃的非故意掺杂GaN模板上制备的A...