铟锡氧化物陶瓷靶的现状

详细论述了铟锡氧化物陶瓷靶(ITO陶瓷靶)的生产工艺性能要求 ,重点介绍了利用ITO陶瓷靶生产的电子溅射产品———ITO透明导电膜玻璃的应用前景。     

掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响

采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示掺杂摩尔分数n(Sb)∶n(Sn)=4%～8%时达到最佳导电性能, 随温度升高, 电阻率降低.     

基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO2薄膜结构与亲水性的影响

在工作气压为 2 .0Pa的氧气氛下 ,通过改变基片温度 (室温 ,2 80℃ ,42 0℃ ) ,在预先镀 10nm左右SiO2 的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了 30 0nm左右的TiO2 薄膜试样。用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素组成、离子状态和物相组成 ,用接触角分析仪测试了试样在紫外光照射后的水润湿角。结果表明 :试样表面的钛离子都以 4价的形式存在 ,氧化钛表面易吸附OH-和CO32 - ,氧化钛中n (O)∶n (Ti) =1.90～ 1.97;基片不加热时 ,试样是非晶态 ,升高基片温度 ,薄膜结晶逐渐完善 ,并以锐钛矿形式存在。在相同时间的紫外线照射下 ,非晶TiO2 膜的润湿角从 34°降低到 2 2° ,而结晶完好的试样的润湿角从 18°～ 2 4°降低到 5°     

稀土氧化物对氮化铝瓷介电性能的影响

研究了添加Nd2O3和Er2O3对氮化铝陶瓷烧结性能、介电性能和显微结构的影响。结果表明:在氮化铝瓷中添加Nd2O3和Er2O3,有利于降低氮化铝陶瓷烧结温度,提高致密性,并且介电性能能够得到显著改善。添加3%(质量分数)Er2O3的AlN陶瓷的相对密度达98.8%,介电损耗为1.3×10-4,是纯AlN陶瓷的5%。其显微结构分析表明,氮化铝晶粒尺寸更均匀,并且其晶格参数更接近理论值,晶界相较少,从而使得其介电性能得到较大改善。     

纳米氧化物粒子对PVDF中空纤维膜结构与性能的影响

采用相转化法制备纳米氧化物／聚偏氟乙烯复合中空纤维膜，讨论了纳米氧化钛和氧化铝粒子对PVDF膜结构和性能的影响。应用牛血清白蛋白截留实验、扫描电子显微镜、傅立叶红外光谱分别对不同膜的分离性能、微观结构和晶相组成进行了分析。     

干燥温度对锰氧化物结构及催化氨氮性能的影响

锰氧化物催化氧化法因高效、受季节和温度影响小等优点近年来开始应用于去除饮用水水源中的氨氮。但具有催化性能的活性锰氧化物(MnO_x)难以可靠形成,这限制了该方法的推广应用。本研究以高锰酸钾为氧化剂,乙酸锰为还原剂,在实验室条件下进行了MnO_x的制备并考察了干燥温度对MnO_x结构与氨氮催化性能的影响。实验结果表明,未经干燥的湿润样品具有最高的NH₄⁺催化活性,而随着干燥温度从30℃升高至120℃,MnO_x催化活性逐步降低并最终丧失。通过SEM、XRD、FTIR和XPS表征发现,干燥处理后,氧化物由合成初期的buserite锰矿最终转变为binessite锰矿,其表面羟基含量下降,且Mn(Ⅲ)向Mn(Ⅳ)大量转变,这可能是导致其氨氮催化活性丧失的重要原因。研究结果将为MnO_x催化剂制备方法的建立提供支撑。     

焙烧温度对Mg-Zn复合氧化物催化剂结构与催化性能的影响

采用共沉淀法制备Mg-Zn复合氧化物催化剂,着重考察了焙烧温度对催化剂结构和催化性能的影响,并将其用于催化大豆油甘油解合成单甘酯(MAG)。利用XRD、BET、SEM和HRTEM等分析手段对Mg-Zn复合氧化物催化剂进行表征。不同焙烧温度下,Mg-Zn复合氧化物催化剂碱强度H_在15. 0～17. 2范围时,催化剂MZ800碱量最大,碱强度是影响催化剂活性的主要因素。由HRTEM分析发现,800℃时催化剂出现六边形结构,这是由于Zn-Mg-O晶格的生成。且Mg-Zn复合氧化物催化剂中Zn O(101)处晶面间距(0. 024 2 nm)略小于标准卡片六方晶相Zn O(101)晶面间距(0. 248 nm)。结果表明,适宜的焙烧温度为800℃,此时大豆油转化率为96. 5%,MAG收率为53. 4%。     

氧化物对离子交换膜膜面电阻的影响

综述了不同种类氧化物对离子交换膜膜电阻的影响,如金属磷酸盐、金属氧化物、多孔无机化合物和介孔无机氧化物。无机材料对膜领域的未来是很有利的,重点是这些技术应用程度较低,如何大规模应用是我们要面临的挑战。     

氧化物对离子交换膜膜面电阻的影响

综述了不同种类氧化物对离子交换膜膜电阻的影响,如金属磷酸盐、金属氧化物、多孔无机化合物和介孔无机氧化物。无机材料对膜领域的未来是很有利的,重点是这些技术应用程度较低,如何大规模应用是我们要面临的挑战。     

工艺参数对SnO2基NTC热敏陶瓷电性能影响的研究

采用SnO2、Sb2O3、陶瓷熔块等物质,成功地研制出了室温至200℃范围内使用的一系列不同温度系数及电阻率的NTC热敏电阻陶瓷,并研究了各种化学组分、烧成制度、老化处理等工艺条件对其电学性能的影响规律。     

Al2O3掺量及氧气分压对直流磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响

制备了掺杂质量数为1％,2％,3％和4％Al2O3的ZnO靶材。用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO;Al(ZAO)透明导电薄膜试样。用X射线衍射和扫描电镜分析了薄膜的物相及表面形貌。用四探针法测试了薄膜的电性能。用紫外-可见光谱仪测试了试样的可见光透过率。结果表明：溅射气氛中氧气的存在降低薄膜的电导率,对薄膜试样的可见光透过率影响不大;用含3％Al2O3的ZnO靶材制备的薄膜的电导率最高。讨论了氧气分压和Al2O3的掺杂量对ZAO薄膜的结构和性能的影响。     

基片对超导厚膜性能的影响

采用普通丝网印刷技术在YSZ基片上制得零电阻温度力90K、转变宽度为2K、与基片能良好附着、具有良好工艺性的Y-Ba-Cu-O系超导厚膜。运用四探针法测量电阻,X-射线衍射仪,电子显微镜分析晶相组成和显微结构,用扫描电镜和电子能谱分析技术研究了膜与基片间的反应,发现不同基片(Al_2O_3和YSZ)、膜与基片之间的反应不同,对膜相结构、致密情况的影响不同,因而厚膜的超导电性能也就不同。     

氧气含量对射频磁控溅射Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

采用射频磁控溅射法在镀氧化铟锡的Corning 1737玻璃基片上制备了用于无机电致发光显示器绝缘层的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,该薄膜厚约400 nm.研究了O2和Ar O2的体积比V(O2)/V(Ar O2)对薄膜沉积速率、结晶性和介电性能的影响.当V(O2)/V(Ar O2)由0增加至0.5时,薄膜的结晶取向、介电常数、介电损耗、击穿场强和漏电流密度并没有明显的规律性可循.V(O2)/V(Ar O2)为0.1时,薄膜的品质因子最好,其值为5 μC/cm2.     

导电纳米颗粒对Sb:SnO2薄膜性能影响研究

采用水热晶化法,通过控制水热反应条件、溶液的浓度以及矿化剂的种类等因素,制备出分散性及导电性良好的SnO2纳米颗粒.采用溶胶-凝胶浸渍镀膜的方法制备Sb掺杂SnO2薄膜,在镀膜溶液的配制过程中引入SnO2纳米颗粒悬浮液,经陈化后最终得到镀膜溶液.采用van der Pauw法、UV/VIS分光光度计以及Fourier变换红外光谱仪研究和分析了添加纳米颗粒对膜层导电性能、光学性能以及膜层结构的影响;采用场发射扫描电镜研究了膜层的表面形貌.结果表明导电纳米颗粒的加入可有效提高膜层的导电性能,当SnO2纳米颗粒添加质量分数为10%时,膜层的电阻率为6.5×10…3Ω·cm;添加和未添加纳米颗粒的膜层的可见光透过率均为85%.纳米颗粒参与了溶胶-凝胶制备薄膜网络的形成,提高了膜层结构的连续性,从而使膜层具有较好的导电性能和光学性能.     

YG8衬底腐蚀处理对氮化碳薄膜摩擦学性能的影响

采用直流与射频磁控反应溅射法在硬质合金YG8衬底上制备了氮化碳(carbon nitride,CNx)薄膜。研究了溅射方式、衬底腐蚀处理对薄膜摩擦学性能的影响。结果表明:射频反应磁控溅射制备的CNx薄膜的膜基结合力和摩擦因数明显高于直流反应磁控溅射薄膜的,适当的负偏压可以提高膜基结合力。衬底化学腐蚀预处理能够大幅度提高CNx薄膜的膜基结合力,对直流溅射CNx薄膜的摩擦因数影响不大,但能降低射频溅射CNx薄膜的摩擦因数。射频反应磁控溅射法制备的CNx薄膜比直流溅射法制备的CNx薄膜耐磨性能好。衬底化学腐蚀预处理和溅射时对衬底施加适当的负偏压均有利于耐磨性能的提高。     

在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜

利用射频反应性溅射沉积技术在掺的Ｓｎ的Ｉｎ２Ｏ３导电透明膜衬底上制备了钙钛矿型Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜。研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响。运用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱和扫描电镜等技术,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态。测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能。结果表明：在掺Ｓｎ的Ｉｎ２Ｏ３导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹,化学计量比符合要求的ＰＺ     

蓝宝石衬底表面SiO2薄膜的应力分析

采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜.通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO2薄膜内应力的影响.采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面应力.结果表明:制备SiO2薄膜时,工艺参数影响SiO2薄膜的成分,当O2/Ar流量比值为1.25,衬底温度为300℃,射频功率为100 W时,可以制备出化学计量比的SiO2薄膜,此时薄膜中的内应力较小;制备的SiO2薄膜呈压应力状态,镀SiO2薄膜可以改变蓝宝石的表面应力,蓝宝石的表面应力已由原来的拉应力变为压应力.