硅雪崩光电二极管

Hamamatsu公司目前推出用于测距仪、激光雷达和空间光传播的S9717系列硅雪崩光电二极管。这些器件覆盖400nm-1000nm的响应光谱,在800nm处达到 0．5A／W的感光灵敏度和100的增益。目前该公司有三     

硅PIN光电二极管

本所已于1977年研制出用于红外、激光测距、激光通信等多方面用途的光探测接收器件——0.9微米和1.06微米高速PIN硅光电二极管(两个品种各四个系列),并已定型生产。经二十多个单位试用,证明性能良好:响应速度快,灵敏度高,暗电流小。用户均感满意。硅PIN光电二极管各系列的技术参数如下表所示:     

自然反型层硅光电二极管

业已证实,硅上生长的热氧化层中及硅与二氧化硅界面处,存在正的表面电荷,它将在硅片表层形成感生电荷层。在P型硅情形,在一定条件下,将形成表面反型层,为与用掺杂方法形成的反型层相区别,称之为自然反型层。利用自然反型层与衬底间形成     

自然反型层硅光电二极管

自然反型层光电二极管是利用在P型硅片上生长热氧化层时形成的自然反型层作为感应的NP结的一侧而制得的。本文报导作者试制的IL90型自然反型层光电二极管的初步结果。器件暗电流小于7×10~(-10)A(在100mV下测试,有效光敏面积1cm~2);光谱响应峰值向短波方向明显移动;光谱响应与人眼视见函数相近;对短波长光有较高的绝对响应度,例如,在365um处,为0.293μA/μW;在254um处,为0.113μA/μW。     

重结硅光电二极管

本文提出了一种重结光电二极管结构.这种结构由一个接近表面的浅结和一个较深的结组成,这两个结可以分别有效地收集产生在接近表面的和产生在体内的光生载流子,这对于提高光电二极管从短波长到长波长光的响应都是有利的.通过对所作实验样品的光谱响应灵敏度的测量,说明重结光电二极管结构对改善光电器件的光谱响应是有效的.     

SiO_2全封闭的硅量子线列阵

采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸．     

硅光电二极管的新发展

1.硅光电二极管的新发展在各种波长(蓝、近紫外)激光器迅速发展情况下,探测这些波长的激光硅光电二极管有了新的发展。蓝、近紫外激光的新应用是,用可调染料激光器进行吸收研究,对于有机分子键的分解和激光多普勒测速。 2.新产品性能新型的硅光电二极管是通过平面扩散、氧钝化制备的,响应率改进了20％～57％。美国联合探测器技术公司目前已进入试生产。表1是该公司生产的硅光电二极管样品的预计性能,从蓝光到近紫外的激光波长有     

高帧速自扫描光电二极管面阵

通过对多路并行输出的高帧速自扫描光电二极管面阵（ＳＳＰＡ）的研究，分析了影响面阵帧速和响应度的主要因素。设计并制作出３２×３２位多路并行输出的ＳＳＰＡ实验样品。其性能参数为：ＦＰＳ（帧速）≤２０００帧／秒时，Ｖｏｓ（最大输出电压）＝２４０ｍＶ，Ｒ（响应度）＝１．０９Ｖ·１ｘ－１·ｓ－１；ＦＰＳ＝１００００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１５０ｍＶ；ＦＰＳ＝１５０００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１００ｍＶ。     

P型硅光电二极管的特性

本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10~(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。     

激光对硅光电二极管的损伤

研究了受强光辐照的硅光电二极管的热损伤。报道了由1.06微米激光脉冲辐照的硅光电二极管的损伤阈值，辐照时间τ为10^-8~1秒。阈值激光辐照产生可见的微观损伤，并使光响应永久降级。响应度的损失随激光感应加热引起的检波二极管特性的降级而来。时间与波长的依赖关系同处理由高斯激光束辐照的半无限材料的热模型所预言的相符。     

硅光电二极管线性范围的定义

给硅光电二极管线性应用范围下了定义,把该范围的两个极限与所要求的测量精度联系了起来。用噪声等效功率(NEP)和从线性工作到饱和的过渡区内可容许的最大偏移给出了这两个极限。亦给出了商品化光电二极管线性范围的数据。     

高效快速的硅雪崩光电二极管

本文报导了高效,快速的保护环硅雪崩光电二极管(GAPD)和拉通型雪崩光电二极管(RAPD)。为使 GAPD 消除光电流中的扩散慢分量,在理论上分析和计算了零场区对它的影响。通过单晶片背面蚀洞减薄,并在背面作硼扩散构成内建场,以便在不增加工作电压的情况下,实现快速响应和高量子效率。并介绍了在中阻硅单晶片上,用离子注入制作高场区,用上述减薄方法制造了 RAPD。两种实验器件所获得的性能如下:GAPD—击穿电压为105～120V;对锁模 Nd:YAG 激光脉冲,输出脉冲半宽度τ=500ps,前沿为450ps,后沿为750ps,在λ=0.9μm 下,量子效率η≥30%。而 RAPD—击穿电压为120～180V,对锁模 Nd:YAG 激光脉冲,输出脉冲半宽度τ=450ps,前沿和后沿均为450ps,在λ=0.9μm 下,量子效率η≥60%。     

硅光电二极管和光电倍增管的选择比较

用硅光电二极管还是用光电倍增器的问题,看来无关紧要,但实际上比料想的要复杂得多。本文介绍一些在决定选择前必须考虑的因素。     

极紫外波段用的硅光电二极管

该产品与一般的PN结二极管不同,因为它不具备非扩散带,表面重新结合速度为零,其结果对于极紫外的光子来说具有接近理论值的量子效率。因为不能忽视由于氧化物的吸收使二极管的量子功率降低,主要对10—50eV的光子所引起表面50(?)的硅氧化物非活性而言的。所以,这些器件的量子效     

NEC新型硅二极管高速实现光电转换

NEC开发成功了可将光信号高速转换为电信号的硅发光二极管，并在“国际纳米综合展·技术会议（nanotech2005）”上展出。通过采用硅材料生产，不仅可以减小光通信系统的体积、实现低成本，而且将来还有望在LSI内部的光布线中使用。     

硅基雪崩光电二极管技术及应用

硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域.从工作原理、常见结构和分类3个方面对硅基雪崩光电二极管的技术进行分析,并对其性能发展趋势进行阐述,最后介绍了硅基雪崩光电二极管的应用.     

高速台型硅雪崩光电二极管的研制

为满足大容量,长距离光纤通信和其它快速微弱光信号的探测,我们采用化学腐蚀和表面钝化技术,研制成功了具有近乎直台角的N~+PP~+硅雪崩光电二极管(MAPD).该器件具有工艺简单,成本低,响应速度快等优点.并且有长期工作的稳定性.文中详细地讨论了器件结构的设计,并概述了制造方法和光电特性.     

紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380～500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.     

紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380～500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.     

光电二极管

美国新泽西州的EPITAXX公司生产两种光电二极管用于闭路电视的接收器。EPM745和EPM705型探测器与光缆线共轴,探测发出光路的和反回光路的频率分别860MHz和550MHz。这种传感器可用于超远距离、远距离模拟线路或A/D有线电视接