TEM研究La2／3Ca1／3MnO3中的畴结构

由于具有巨磁阻效应,La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO)被广泛研究[1].LCMO是一典型的具有ABO3钙钛矿结构的化合物,其中La和Ca随机地占据A 位而Mn占据B位.在高温时, LCMO是立方相 (点群m3m,空间群Pm3m).LCMO的室温结构是正交相 (点群mmm,空间群Pnma).     

YBCO／LCMO双层膜微结构的HREM研究

La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜是一种典型的巨磁阻(CMR)材料,在信息存储领域具有广阔的应用前景[1,2](如磁记录读出磁头等),而LCMO与高温超导材料YBa2Cu3O7(YBCO)组成的双层薄膜更显示出许多奇特的物理性质[3]。由于薄膜的微结构对其物理性能有很大影响,因此研究薄膜的微结构有助于对此类材料的磁性与超导电性相关机制的理解。本文利用高分辨电子显微镜系统地研究了YBCO/LCMO双层薄膜的显微结构。本文使用的YBCO/LCMO双层薄膜样品是在(100)LaAlO3(LAO)单晶衬底上,用脉冲激光沉积法制备的。制备的程序是:首先在衬底上沉积LCM…     

PMMA-CsPbBr3薄膜的结构及光电特性

CsPbBr3是一种直接带隙宽禁带半导体,具有优异的光电性能。采用喷雾法制备了不同质量分数的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)-CsPbBr3薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了PMMA质量分数对PMMA-CsPbBr3薄膜表面形貌的影响,利用X射线衍射(XRD)对其结构进行了表征,同时还测量了材料的透射率并给出了光致发光(PL)图像,最后制成了PMMA-CsPbBr3/Au异质结型光电探测器,研究了它们的光电特性。结果表明:掺入PMMA可以显著改善PMMA-CsPbBr3薄膜表面形貌,随着加入PMMA的质量分数的增大,CsPbBr3薄膜的表面粗糙度明显下降,均方根粗糙度从311 nm降低到69.2 nm;同时PMMACsPbBr3薄膜是择优取向的;与纯CsPbBr3薄膜相比,PMMA-CsPbBr3薄膜的透射率明显增加。通过研究制备的PMMA-CsPbBr3/Au异质结型光电探测器的I-V特性,发现随着PMMA的加入,异质结器件的暗电流降低,同时其光电流密度和稳定性增加。     

CoAg颗粒膜巨磁阻效应的TEM研究

由于巨磁阻材料具有极高的磁阻变化率和许多其他的优良物理性能，其在磁传感器及磁阻式薄膜磁头方面具有潜在的应用价值。颗粒膜不仅具有优良的磁性能，且发现其具有各向同性巨磁阻效应，因此，巨磁阻颗粒膜材料成为近来研究的热点［１，２］。实验方法本文采用ＳＰＦ－３...     

Ag掺杂对La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜及激光感生电压效应的影响

采用固相法烧结制备了Ag掺杂的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO∶Agx,x为摩尔分数,x=0.00,0.05,0.10)多晶靶材,并利用此靶材采用脉冲激光沉积法(PLD)在0°和15°LaAlO3(100)单晶衬底(单面抛光)上于790℃和45 Pa流动氧压下制备了LCMO∶Agx外延薄膜,并于760℃和104Pa静态氧压下进行了30 min原位退火处理;X射线衍射(XRD)和ω-θ摇摆曲线分析表明所制备薄膜均沿[00l]方向生长,并且结晶质量较好,原子力显微镜(AFM)分析表明平均面光洁度较小,并且随Ag掺杂量的增加而变小;另外在倾斜衬底上生长的LCMO∶Agx薄膜上观察到激光感生电压(LIV)效应,并且随Ag掺杂浓度的增加,LCMO∶Agx薄膜的LIV信号的Up值先增大后减小,x=0.05时最大,x=0.10时最小,LIV信号响应时间τ则正好相反。     

异质结硅太阳能电池a—Si：H薄膜的研究

通过应用Scharfetter-Gummel数值求解Poisson方程，对热平衡态P^ （a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果指出，采用更薄P^ (a-Si：H）薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集，从而提高a-Si/c-Si异质结太阳能电池的性能。同时，还讨论了P^ (a-Si:h)薄膜中P型掺杂浓度对光生载流了传输与收集的影响。高强茺光照射下模拟，计算表明，a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性。     

CH3NH3PbI3/p-Si异质结的光电特性研究

利用一步溶液法在p型Si衬底上生长有机/无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜,构成CH3NH3PbI3/p-Si异质结。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌和结构进行表征,通过无光照和有光照条件下的电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)测试对异质结的光电特性进行研究。I-V测试结果显示CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有整流特性,正反偏压为±5V时,整流比大于70,并在此异质结上观察到了光电转换现象,开路电压为10mV,短路电流为0.16uA。C-V测试结果显示Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有与MIS(金属-绝缘层-半导体)结构相似的C-V特性曲线,与理想MIS的C-V特性曲线相比,异质结的C-V曲线整体沿电压轴向正电压方向平移。C-V特性曲线的这种平移表明Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结界面存在界面缺陷,CH3NH3PbI3层也可能存在固定电荷。这种界面缺陷是导致CH3NH3PbI3/p-Si异质结开路电压的大幅度降低的重要原因。此外,CH3NH3PbI3薄膜的C-V测试结果显示其具有介电非线性特性,其介电常数约为4.64。     

LaAlO3单晶基片上制备Ba0．5Sr0．5TiO3薄膜的透射电镜研究

铁电钛酸锶钡(Ba1-xSrx)TiO3(BSTO)薄膜材料具有很好的可调性，在微电子工业有广阔的应用前景。本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(001)LaAlO3单晶基片上外延生长了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。利用透射电子显微镜对薄膜的截面样品进行了微结构和界面行为的研究。     

磁控溅射AlN∶Mg/ZnO∶Al异质结二极管及其光电特性的研究

利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝(AlN∶Mg)薄膜、铝掺杂的氧化锌(ZnO∶Al或AZO)薄膜,成功制备AlN∶Mg/ZnO∶Al透明异质结二极管.实验结果表明:AlN∶Mg/ZnO∶Al异质结具有明显的Ⅰ-Ⅴ整流特性,正向开启电压1V左右,在氙灯光照下,二极管的反向电流在5V偏置时达到3m...     

金刚石薄膜高温器件

本文详细地论述了低压气相生长的金刚石薄膜作为一种新型半导体材料的研究进展,讨论了金刚石薄膜与金属的欧姆接触和整流接触,以及可以在高温区工作的金刚石薄膜Schottky二极管和MESFET器件。最后,讨论了目前金刚石薄膜作为半导体材料所遇到的两个尚无法实现的问题:n型掺杂和异质外延单晶膜的生长。