俄歇化学位移影响因素分析

对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究，基于现有的化学位移的两个理论模型（电荷势模型和驰豫能模型），提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式，概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以极化能（离子有效半径）之间的关系，实验结果与理论计算相一致。     

用蒙特卡罗方法计算俄歇电子谱中的背散射因子

俄歇电子谱（AES）要成为样品定量分析的手段，必须考虑背散射电子与俄歇电子平均逃逸深度对俄歇电子产额的影响。本文提出一种对固体中低能电子背散射过程的简化模型，并进行蒙特卡罗计算机模拟研究，以确定背散射因子的方法，不仅可减少计算时间又能保持必要的精度，而且具有不依赖于实验测量误差的优点。以铜、银材料为实例，所得的背散射因子与文献报道相符，表明所采用的简化模型是合理的。     

一种用于确定某些金属氧化物化学位移的新方法

本文报导了我们在离子感生俄歇电子发射机制研究的基础上,在确定某些氧化物的原子内层化学位移方面所做的工作。从实验上和理论上讨论了离子轰击下,表面上产生的不同于电子激发的俄歇跃迁,提出了用离子感生俄歇确定氧化物中原子内层化学位移的方法,并测得了Al_2O_3、SiO_2和MgO中原子内层的化学位移值,与XPS的测定值相吻合。     

局域电子态密度的俄歇电子谱分析

采集GaAs／Si界面的各个深度剖面的俄歇线形（Augerlineshape），试图获得局域态密度变化的信息。俄歇信号经过小心处理和一系列修正以消除失真，同时俄歇线形分析藉助因子分析（factoranalysis）来进行。发现在界面中两种化学态并存，某些Si原子与As原子健合，并且每个Si原子将有0．3个p电子转移至As原子上，而其他Si原子保持纯Si元素的Si－Si键。由于Si－As成键而使Si的价带顶稍稍位移，局域态密度（LDOS）幅值明显下降。     

SiO_2/Si表面电子谱的因子分析法研究

用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。     

俄歇电子能谱学的历史,现状与展望

俄歇电子能谱学的历史、现状与展望雷雯编译（兰州物理研究所）１．引言俄歇电子能谱学是科学、物理、化学、技术和许多其它领域进行表面分析的最有效、最实用的技术。该技术为表面物理和化学定量化分析奠定了基础。本文介绍了俄歇电子能谱学的创始人、美国科学家劳伦斯·...     

Ti／Al2O3界面反应的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱详细研究了Ｔｉ／Ａｌ２Ｏ２的界面反应。通过观察Ｔｉ的Ｌ２３Ｍ２３Ｍ４５，Ｌ２３Ｍ２３Ｍ２３及Ａｌ的ＬＶＶ俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究了Ｔｉ－Ｏ，Ａｌ－Ｏ，Ｔｉ－Ａｌ等价键结合状态，同时考察Ａｌ不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Ａｕｇｅｒ深度分析。实验表明室温下Ｔｉ－Ａｌ价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。８６５０     

Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。     

氢离子束对Mo-Si多层膜界面改性的研究

为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量150eV）轰击Si表面，即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子能谱（AES）分析。实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应（intermixingeffect）。进而说明这是制备软X射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。     

Cu/TiO2超细复合粉末材料的制备与表征

基于自催化氧化－还原反应，通过金属铜在纳米二氧化钛粉末表面上的化学沉积，制备了Cu/TiO2超细复合粉末材料。用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微术（SEM）、EDAX能谱分析和俄歇电子能谱分析（AES）综合表征了产物的形貌及结构情况，用四探针法测定了产物的压片电阻率。     

Interfacial reactions between thin metal films and polar {0001} oriented CdS substrates

The interaction between deposited Al films on opposite polar {0001} surfaces of CdS single crystals was investigated by Auger electron spectroscopy. Aluminium reacts strongly with CdS resulting in a chemical shift of the Al Auger peaks. A chemical drawing effect is believed to dominate with thinner films, while a chemical trapping effect is dominant with thicker films. A sharp boundary between Al and CdS was formed initially; however, due to the reactive out-diffusion, the boundary became extended (over tens of nanometres) with time. A possible mechanism is proposed to explain these observations. The behaviour of the two polar surfaces of CdS was virtually the same.     

Auger-Elektronenspektroskopie an Festkörperoberflächen Teil 1: Generelle Betrachtungen

During the last 20 years Auger-Electron-Spectroscopy (AES) has become the most popular experimental method to be applied for the determination of the chemical composition of solid interfaces. Part 1 gives the necessary preconditions and theoretical basis for the AES method. Among these are the excitation process for the emission of Auger electrons, the element specific emission and the limited escape depth of Auger electrons within solid material, which makes this method so surface sensitive. Additionally to some critical remarks regarding quantitative analysis, chemical and crystatallographic effects, the necessary instrumental preconditions, as analyzers and detection systems are briefly discussed. As well the most important further developments of the AES method as the most usefull accessories are mentioned.     

核磁共振研究聚氨酯结构

利用超导核磁共振（ＮＭＲ）测定了各种类型的聚氨酯的＾１Ｈ和＾１３Ｃ谱，得到了一系列聚氨酯的ＮＭＲ化学位移数据，可用于未知结构的聚氨酯结构鉴定，同时对鉴定工作中遇到的问题作了一系列阐述。     

Improved temperature stability of Mo/Si multilayers by carbide based diffusion barriers through implantation of low energy CHx ions

To improve the thermal stability of Mo/Si multilayers, a novel method to form carbide based diffusion barriers, produced by the implantation of Si with CH_x⁺ ions, has been developed. The multilayers were grown by e-beam evaporation, while CH_x⁺ ions were implanted at the Mo/Si interfaces, using a Kaufman ion source with a Ne / CH₄ gas mixture. Energies were varied from 300 to 1000 eV. The growth as well as the implantation procedure were monitored by in situ X-ray reflectometry. Auger Electron Spectroscopy was used to characterize the surface composition before and after CH_x⁺ ion implantation. The shift of the Si LVV Auger peak revealed the formation of SiC. Ex situ X-ray reflectometry showed a thermal stability of both the reflectivity and the multilayer period up to 430 K.     

因子分析法在Ta_2O_5/Ta俄歇深度剖析上的应用

将一种基于多元统计方法的因子分析法用于俄歇深度剖面分析,采用Ar~ 离子轰击Ta_2O_5/Ta样品,俄歇峰采用具有高表面灵敏度和化学态灵敏的NOO俄歇跃迁,用因子分析可得到Ta的三种可区别的不同化学态即Ta、Ta_2O_5和Ta_xO_y,并且能提高探测灵敏度。     

GaAs/Si界面的化学态的研究

利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。提出了一种新的俄歇信号强度标定法——频域法。该方法利用低能俄歇电子较低的逸出深度,在复频域内标定来自最表层原子的俄歇信号强度,避免了二次电子本底和电子逸出平均自由程的影响,从而可以准确判定在界面这种突变结构中元素成分的深度分布信息。利用谱峰修正技术,研究了Ga、As、Si价带跃迁几率在界面不同深度内的变化情况,发现在界面处As-Si有明显的成键作用,Si原子的一部分p电子转移到了As原子空的p轨道中,由此产生了一个新的界面态,该界面态位于GaAs价带顶上方2eV的地方。在对Ga原子价带俄歇跃迁几率进行的研究中,并未发现其价电荷分布有明显的变化,表明Ga原子与其他原子在界面处并未发生明显的成键作用。     

溅射SiC薄膜的XPS分析

用 XPS 技术对射频溅射 SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以 Si(2p)和 C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。     

Subnanometer resolution in depth profiling using glancing Auger electrons

A new method for Auger depth profiling, employing a difference in the escape depth of the Auger electrons emitted at nearly normal and glancing angles, is proposed and verified. The depth profiles obtained under optimum ion sputtering conditions with registration of the glancing Auger electrons exhibit a subnanometer (0.8 nm) depth resolution. This technique was successfully applied to the study of high-quality In_xGa_1−x As/GaAs heterostructures with quantum wells grown by the method of metalorganic chemical vapor deposition.     

碳纤维碳化特征的SAM微观分析

本文应用SAM方法检测了由不同工艺条件造成的碳纤维的污染和产生的缺陷。对任意一根碳纤维,其表面和内部的碳俄歇峰、峰高和峰形都有差异,这一差异导致碳沿径向分布不均匀,并影响到碳纤维的力学性能。采用SAM的方法可监测予氧化和碳化过程中的工艺参数以便提高碳纤维的质量。