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分析了全数字高清晰度电视(HDTV)中地面广播信道的干扰及抑制措施,给出了抑制同频干扰的梳状滤波器的设计方法和HDTV中8-VSB基本原理及传输方案,并基于传信率1/T=23.548Mbps的8-VSB作了计算机模拟。 相似文献
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高清晰度电视图象处理显示系统电子部第三研究所陈堤HDTV技术研究项目中有MPEG-2图象压缩方案研究和不同的信道编码(32QAM,VSB,COFDM)的研究,主要目标是:1)提供一套HDTV图象处理显示系统,显示HDTV活动图象序列。2)凡进行HDT... 相似文献
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MVDS称为宽带多路米波(甚高频VHF)分配系统,MUDS称为宽带分米波(特高频UHF)多路分配系统,是在MMDS技术的基础上,特为广播电视实现“村村通”而推出的新品种。1 MVDS/MUDS多路分配系统传输特点MVDS/MUDS多路分配系统与MMDS微波多路分配系统比较有如下特点。(1)MVDS/MUDS系统工作在VHF/UHF频段上,射频信号直接在空间传输,无需上变频发射及下变频接收;另外,VHF/UHF频段采用同轴电缆连接、功放模块组件,所需器件(特别是功率器件)价格约为MMDS设备同等器… 相似文献
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一、MPEG-1和MPEG-2简介 MPEG-1制定于1992年,为工业级标准而设计,标准的正式规范在 ISO/IEC11172中。可适用于不同带宽的设备.如 CD-ROM、VCD、CD-i,在数字存储介质中实现对活动图像和声音的压缩编码。MPEG-2制定于1994年,设计目标是高级工业标准的图象质量以及更高的传输率,针对标准数字电视(SDTV)和高清晰度电视(HDTV)在各种应用下的压缩方案和系统层的详细规定,编码码率从3Mbit/s-100Mbit/s,标准的正式规范在ISO/IEC13818… 相似文献
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应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级.样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处.SIMS和PL谱表明深电子陷阱与AlGaAs层里的氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系.它们影响PM-HEMT结构的电性能.应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理,结果表明,在一定条件下,PM-HEMT结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化/消除. 相似文献
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图像信号编码技术(二)村上仁已3电视信号编码与冗余度削减方法(续)3.4自适应编码方式目前,从HDTV信号到TV会议、在进行数字传输时,其目标传输速率是原CCITT建议数字复用等级(包括SDH)中的32Mb/s、45Mb/s或51.84Mb/s例如,... 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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1PCM1600Y的主要特性PCM1600Y是美国Burr-Brown公司于1999年10月正式宣布推出的高性能单片六声道音频DAC,广泛用于A级DOLBY-DIGITAL解码器、DTS解码器、数字AV功放、带AC-3,DTS,MPEG多声道音频解码的DVD、DVB等领域。PCM1600Y的主要特性包括:24bit分辨率可接受16/18/20/24bit字长的输入音频数据动态性能优异(V_cc=5V时)动态范围DR:105dB(典型值)信噪比SNR:105dB(典型值)THD+N:0.0015%… 相似文献
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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+SiGe界面处存在一个很薄的层,但在i-p+-iSiGe上外延生长Si时,无此现象产生.此薄层是由在硅上外延生长i-p+-iSiGe时硼原子聚集在靠近Si的i/p+SiGe界面处形成的高掺杂薄层.高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT)的BC结的正向导通电压. 相似文献
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MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化/消除 总被引:1,自引:1,他引:0
应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级。样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处。SIMS和PL谱表明深电子陷阱与ALGaAs层时原氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系,它们影响PM-HEMT结构的电性能,应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理, 相似文献
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记录HDTV广播的录像机日本日立公司打算在明年秋季销售用于记录高质量HDTV广播的录像机。其型号为VT-BM6000型。此种S-VHS录像机装有MUSE-NTSC转换器和广播卫星调谐器。王文亮摘译自“ATM”,1994.1以上杨秀华校记录HDTV广播的录... 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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本文提出了在相位量化下的高精度定时综合理论,并基于Viterbi算法提出一种最优合成方法,同时还给出了基于T-Viterbi的简化方法并对T-Viterbi和二阶Sigma-DeltaModulation(SDM)方法进行了分析和性能比较,仿真结果表明这两种方法在量化精度上大大优于传统的一阶SDM的方法,最后,本文给出了一个最优化算法在SDH漂移产生中的应用实例。 相似文献
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本文对地面同播数字高清晰度电视(HDTV)的规划参数的合理选择进行分析,讨论HDTV的服务面积与D/U比(常规电视/HDTV或HDTV/HDTV同频道设置)、阈值信噪比之间的关系。 相似文献