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分析了全数字高清晰度电视（ＨＤＴＶ）中地面广播信道的干扰及抑制措施，给出了抑制同频干扰的梳状滤波器的设计方法和ＨＤＴＶ中８－ＶＳＢ基本原理及传输方案，并基于传信率１／Ｔ＝２３．５４８Ｍｂｐｓ的８－ＶＳＢ作了计算机模拟。 相似文献
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高清晰度电视图象处理显示系统电子部第三研究所陈堤ＨＤＴＶ技术研究项目中有ＭＰＥＧ－２图象压缩方案研究和不同的信道编码（３２ＱＡＭ，ＶＳＢ，ＣＯＦＤＭ）的研究，主要目标是：１）提供一套ＨＤＴＶ图象处理显示系统，显示ＨＤＴＶ活动图象序列。２）凡进行ＨＤＴ... 相似文献
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ＭＶＤＳ称为宽带多路米波（甚高频ＶＨＦ）分配系统,ＭＵＤＳ称为宽带分米波（特高频ＵＨＦ）多路分配系统,是在ＭＭＤＳ技术的基础上,特为广播电视实现“村村通”而推出的新品种。１ ＭＶＤＳ／ＭＵＤＳ多路分配系统传输特点ＭＶＤＳ／ＭＵＤＳ多路分配系统与ＭＭＤＳ微波多路分配系统比较有如下特点。（１）ＭＶＤＳ／ＭＵＤＳ系统工作在ＶＨＦ／ＵＨＦ频段上,射频信号直接在空间传输,无需上变频发射及下变频接收;另外,ＶＨＦ／ＵＨＦ频段采用同轴电缆连接、功放模块组件,所需器件（特别是功率器件）价格约为ＭＭＤＳ设备同等器… 相似文献
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一、ＭＰＥＧ－１和ＭＰＥＧ－２简介 ＭＰＥＧ－１制定于１９９２年,为工业级标准而设计,标准的正式规范在 ＩＳＯ／ＩＥＣ１１１７２中。可适用于不同带宽的设备．如 ＣＤ－ＲＯＭ、ＶＣＤ、ＣＤ－ｉ,在数字存储介质中实现对活动图像和声音的压缩编码。ＭＰＥＧ－２制定于１９９４年,设计目标是高级工业标准的图象质量以及更高的传输率,针对标准数字电视（ＳＤＴＶ）和高清晰度电视（ＨＤＴＶ）在各种应用下的压缩方案和系统层的详细规定,编码码率从３Ｍｂｉｔ／ｓ－１００Ｍｂｉｔ／ｓ,标准的正式规范在ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８… 相似文献
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应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级．样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处．ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡｌＧａＡｓ层里的氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系．它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能．应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，结果表明，在一定条件下，ＰＭ－ＨＥＭＴ结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化／消除． 相似文献
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图像信号编码技术（二）村上仁已３电视信号编码与冗余度削减方法（续）３．４自适应编码方式目前，从ＨＤＴＶ信号到ＴＶ会议、在进行数字传输时，其目标传输速率是原ＣＣＩＴＴ建议数字复用等级（包括ＳＤＨ）中的３２Ｍｂ／ｓ、４５Ｍｂ／ｓ或５１．８４Ｍｂ／ｓ例如，... 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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１ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性ＰＣＭ１６００Ｙ是美国Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司于１９９９年１０月正式宣布推出的高性能单片六声道音频ＤＡＣ,广泛用于Ａ级ＤＯＬＢＹ－ＤＩＧＩＴＡＬ解码器、ＤＴＳ解码器、数字ＡＶ功放、带ＡＣ－３,ＤＴＳ,ＭＰＥＧ多声道音频解码的ＤＶＤ、ＤＶＢ等领域。ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性包括：２４ｂｉｔ分辨率可接受１６／１８／２０／２４ｂｉｔ字长的输入音频数据动态性能优异（Ｖ_ｃｃ＝５Ｖ时）动态范围ＤＲ：１０５ｄＢ（典型值）信噪比ＳＮＲ：１０５ｄＢ（典型值）ＴＨＤ＋Ｎ：０．００１５％… 相似文献
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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析 总被引：1，自引：1，他引：0
本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压． 相似文献
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MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除 总被引：1，自引：1，他引：0
应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级。样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处。ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡＬＧａＡｓ层时原氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系，它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能，应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理， 相似文献
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记录ＨＤＴＶ广播的录像机日本日立公司打算在明年秋季销售用于记录高质量ＨＤＴＶ广播的录像机。其型号为ＶＴ－ＢＭ６０００型。此种Ｓ－ＶＨＳ录像机装有ＭＵＳＥ－ＮＴＳＣ转换器和广播卫星调谐器。王文亮摘译自“ＡＴＭ”，１９９４．１以上杨秀华校记录HDTV广播的录... 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。 相似文献
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研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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本文提出了在相位量化下的高精度定时综合理论,并基于Ｖｉｔｅｒｂｉ算法提出一种最优合成方法,同时还给出了基于Ｔ－Ｖｉｔｅｒｂｉ的简化方法并对Ｔ－Ｖｉｔｅｒｂｉ和二阶Ｓｉｇｍａ－ＤｅｌｔａＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ（ＳＤＭ）方法进行了分析和性能比较,仿真结果表明这两种方法在量化精度上大大优于传统的一阶ＳＤＭ的方法,最后,本文给出了一个最优化算法在ＳＤＨ漂移产生中的应用实例。 相似文献
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本文对地面同播数字高清晰度电视（ＨＤＴＶ）的规划参数的合理选择进行分析，讨论ＨＤＴＶ的服务面积与Ｄ／Ｕ比（常规电视／ＨＤＴＶ或ＨＤＴＶ／ＨＤＴＶ同频道设置）、阈值信噪比之间的关系。 相似文献